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- [实用新型]一种高速场效应晶体管-CN202221042975.7有效
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孟繁新;姚秋原;袁强;贺晓金;陆超;王博;岳兰
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中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
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2022-04-29
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2022-11-04
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H01L29/10
- 本实用新型提供的一种高速场效应晶体管,包括衬底,所述衬底上设置有栅极单元与栅极单元两侧分别连接的源极单元、漏极单元,所述栅极单元包括本征GaAs层,本征GaAs层两端上依次覆盖有本征AlGaAs层和N+AlGaAs层,N+AlGaAs层的上端设置有栅极金属层,本征GaAs层的中部设置有P区,P区的下端与衬底接触,P区的上端依次覆盖有氧化层和多晶硅,多晶硅和氧化层的两侧与本征AlGaAs层接触。本实用新型在栅极、源极、漏极之间形成由AlGaAs和GaAs构成的异质结结构,该结构能够形成薄层N型导电沟道,从而消除了杂质散射的影响;且GaAs相对于Si具有更高的电子迁移率,因此多数载流子也移动的比硅中更快,此外GaAs也有减小寄生电容和信号损耗的特性,从而有效提升了输出功率和频率。
- 一种高速场效应晶体管
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