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[发明专利]使用位置不同于工作光学端子的测试光学端子测试光学接收器光电二极管-CN202310175518.8在审
发明人： 丁汉屹;颜爱东;曹荣涛 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本公开涉及使用位置不同于工作光学端子的测试光学端子测试光学接收器光电二极管。一种使用光栅耦合器测试PIC中的光电二极管的结构，该光栅耦合器与一光学端子光通信，该光学端子在光电二极管中的位置不同于在PIC的工作期间使用的另一光学端子。该光电二极管包括工作光学端子和测试光学端子，其中测试光学端子位于与工作光学端子不同的位置。光学部件与光电二极管的工作光学端子光通信，并且在光电二极管和PIC的工作期间被使用。为了测试目的，光栅耦合器与光电二极管的测试光学端子光通信。
使用位置不同于工作光学端子测试接收器光电二极管

[发明专利]具有电感及电容段的微带传输线-CN202210171548.7在审
发明人： 丁汉屹 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01P3/08 文献下载
摘要：本发明涉及具有电感及电容段的微带传输线，揭示微带传输线的结构以及形成微带传输线的方法。该微带传输线包括信号线，屏蔽罩，以及连接至该信号线的多个线路结构。各线路结构自该信号线的部分向该屏蔽罩延伸，且各线路结构包括邻近该屏蔽罩设置的金属部件。
具有电感电容微带传输线

[发明专利]具有位于光学光栅耦合器之上的光学吸收体层的集成电路结构-CN202110789389.2在审
发明人： B·V·法萨诺;A·D·斯特里克;丁汉屹;卞宇生;彭博 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本公开涉及具有位于光学光栅耦合器之上的光学吸收体层的集成电路结构。本公开的实施例提供了一种集成电路(IC)结构，其包括：用于光信号的光学介质；以及耦合到光学介质的光学光栅耦合器。光学光栅耦合器被配置为重定向来自光学介质的光。包覆材料位于光学光栅耦合器之上。吸收体层位于包覆材料之上并且竖直地位于光学光栅耦合器上方。
具有位于光学光栅耦合器之上吸收体集成电路结构

[发明专利]用于PIC管芯的探测器及相关测试组件和方法-CN201910620258.4在审
发明人：王业;丁汉屹;T·M·普拉特 -专利权人：格芯公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明涉及用于PIC管芯的探测器及相关测试组件和方法。本公开的实施例提供了一种针对光子集成电路(PIC)管芯的电气和光子测试而构造的探测器，该探测器包括：具有第一表面和相反的第二表面并且包括导电迹线的膜，该膜被配置为电耦合到探测器接口板(PIB)；被定位在该膜上的一组探测器尖端，该组探测器尖端被配置为向PIC管芯发送电气测试信号或从PIC管芯接收电气测试信号；以及光子测试组件，其被设置在该膜上并且被电耦合到该膜的导电迹线，该光子测试组件被定位成与PIC管芯的光子I/O元件基本对准，其中光子测试组件被配置为向光子I/O元件发射光子输入信号或检测来自光子I/O元件的光子输出信号。
用于 pic 管芯探测器相关测试组件方法

[发明专利]具有双锥形发射极指的双极结型晶体管-CN201610451808.0有效
发明人： 丁汉屹;V·贾殷;A·J·约瑟夫;A·K·斯坦珀 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及具有双锥形发射极指的双极结型晶体管，其揭露双极结型晶体管的装置结构以及制造双极结型晶体管的装置结构的方法。形成由第一半导体材料组成的基极层。在该基极层上形成由第二半导体材料组成的发射极层。图案化该发射极层以形成发射极指，该发射极指具有长度以及沿该发射极指的该长度变化的宽度。
具有锥形发射极双极结型晶体管

[发明专利]针对具有高电阻操作晶圆的绝缘体上硅衬底的装置结构-CN201610460390.X有效
发明人： R·卡米洛卡斯蒂洛;丁汉屹;N·B·菲尔欣费尔德;V·贾殷;A·K·斯坦珀 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明涉及针对具有高电阻操作晶圆的绝缘体上硅衬底的装置结构，其利用包括高电阻操作晶圆的绝缘体上硅衬底的装置结构以及形成装置结构的方法。在该高电阻操作晶圆中形成掺杂区。形成穿过该绝缘体上硅衬底的装置层及绝缘体埋层延伸至该高电阻操作晶圆的第一沟槽。该掺杂区包括相对该第一沟槽横向延伸的该掺杂区的横向延伸部分。在该第一沟槽内外延生长半导体层，以及利用该半导体层的至少部分形成装置结构。形成穿过该装置层及该绝缘体埋层延伸至该掺杂区的该横向延伸部分的第二沟槽，以及在该第二沟槽中形成导电插塞。该掺杂区及该插塞包括体接触。
针对具有电阻操作绝缘体衬底装置结构

[发明专利]频率锁定电压调节回路-CN201610885242.2有效
发明人： 丁汉屹;丰佳迪 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H03L7/099 文献下载
摘要：一种集成电路包括频率锁定电压调节回路，该频率锁定电压调节回路更包括压控震荡器(VCO)、基于该VCO的周期自除频VCO信号产生顺序计时信号的除频器、将该除频VCO信号转换成输出电压FVC_OUT的频率电压转换器(FVC)、内部参考电压、以及产生控制电压VCO_IN的电压调节器，该控制电压回授至该VCO以锁定该频率锁定电压调节回路中该VCO的频率。
频率锁定电压调节回路

[发明专利]用于共用衬底的电路的隔离结构-CN201710290505.X在审
发明人：裴成文;丁汉屹;王平川;佳·D·丰 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及用于共用衬底的电路的隔离结构，揭示包括隔离结构的结构以及制造隔离结构的方法。在衬底中蚀刻第一沟槽及第二沟槽，该第一沟槽及第二沟槽围绕装置区，在该装置区中形成集成电路。在该第一沟槽中沉积介电材料以定义第一隔离结构，且在该第二沟槽中沉积电性导体以定义第二隔离结构。
用于共用衬底电路隔离结构

[发明专利]微机电系统（MEMS）电容式欧姆开关和设计结构-CN201310002115.X有效
发明人： 丁汉屹;刘奇志;A·K·斯坦珀 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-01-04 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种微机电系统（MEMS）、形成该MEMS的方法以及设计结构。所述方法包括在基底上形成共面波导（CPW），所述CPW包括信号电极和电极对。所述方法包括在所述CPW之上形成第一牺牲材料，且在所述第一牺牲材料之上以及所述CPW上方形成布线层。所述方法包括在所述布线层之上形成第二牺牲材料，且在所述第一牺牲材料和所述第二牺牲材料附近形成绝缘体材料。所述方法包括在所述绝缘体材料中形成至少一个通气孔以暴露部分所述第二牺牲材料，且通过所述通气孔去除所述第一和第二牺牲材料以在所述布线层附近形成腔结构，所述腔结构暴露位于所述布线层下方的所述信号线和所述电极对。用密封材料密封所述通气孔。
微机系统 mems 电容欧姆开关设计结构

[发明专利]硅通孔威尔金森功率分配器的方法、结构及设计结构-CN201080037449.5无效
发明人： 丁汉屹;A·J·约瑟夫;W·H·伍兹 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-08-12 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：本发明涉及硅通孔威尔金森功率分配器(100)的方法、结构和设计结构。一种方法包括：在衬底(200)的第一侧形成输入部(105)；形成第一支路(110a)，所述第一支路包含在所述衬底中形成的第一硅通孔(120a)，其中所述第一支路电连接所述输入部和第一输出部(115a)；形成第二支路(110b)，所述第二支路包含在所述衬底中形成的第二硅通孔(120b)，其中所述第二支路电连接所述输入部和第二输出部(115b)；以及形成电阻器(125)，所述电阻器电连接在所述第一输出部与所述第二输出部之间。
硅通孔威尔金森功率分配器方法结构设计

[发明专利]片上毫米波蓝吉耦合器-CN201080011365.4有效
发明人： 丁汉屹;K·H·林 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-02-25 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01P5/18 文献下载
摘要：一种蓝吉耦合器，其在第一层级上具有第一多条导线(210、220)以及在第二层级上具有第二多条导线(230、240)。所述第一层级上的至少一条导线经由穿越所述第一和第二多条导线的电磁波(250、260、270、280)而交错耦合至所述第二层级上的相应导线。所述第一和第二多条导线可以由金属制成，并且所述第一层级可以高于所述第二层级。可提供基板(200)，在所述基板(200)中蚀刻所述第一和第二多条导线以限定片上蓝吉耦合器。
毫米波耦合器

[发明专利]晶片通孔及其制造方法-CN200980130191.0无效
发明人： 丁汉屹;A·约瑟夫;A·斯塔珀 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2009-07-22 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种晶片通孔结构，所述结构包括：半导体衬底(100)，其具有顶表面(105)和相反的底表面(320)；以及晶片通孔阵列，其包括至少一个导电晶片通孔(130)和至少一个非导电晶片通孔(125)，所述晶片通孔阵列的每一个晶片通孔从所述衬底(100)的所述顶表面(105)延伸到大于至所述衬底(100)的所述底表面(320)的中途与直到所述衬底(100)的所述底表面(320)之间。还公开了制造所述晶片通孔结构的方法。
晶片及其制造方法

[发明专利]用于提供具有固定特性阻抗的片上可变延迟传输线的设计结构、结构和方法-CN200980117714.8有效
发明人： 丁汉屹;W·H·小伍兹 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2009-06-17 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01P9/00 文献下载
摘要：一种用于提供具有固定特性阻抗的片上可变延迟传输线的设计结构、结构和方法。传输线结构包括：信号线(50)(例如S)；第一接地回路结构(55)(例如G1)，其在传输线结构中导致第一延迟(t1)和第一特性阻抗(Zo1)；以及第二接地回路结构(75)(例如G2)，其在传输线结构中导致第二延迟(t2)和第二特性阻抗(Zo2)。第一延迟(t1)与第二延迟(t2)不同，而第一特性阻抗(Zo1)与第二特性阻抗(Zo2)实质上相同。
用于提供具有固定特性阻抗可变延迟传输线设计结构方法

[发明专利]T形连接、设计T形连接的方法及其系统-CN201010170629.2有效
发明人：王国安;丁汉屹;E·米纳;W·H·小伍兹 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-04-29 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供了T形连接、设计T形连接的方法及其系统。具体地，提供了T形连接、设计T形连接的方法以及对T形连接进行的集约建模。T形连接包括导电T形接头，其包括主体以及从主体的相互垂直侧凸出的第一一体式臂、第二一体式臂和第三一体式臂，三条一体式臂的每一条臂在邻近主体处具有相同的第一宽度，并且具有从主体延伸出去的相同长度；导电阶梯形接头，包括具有第一宽度的第一段以及具有第二宽度的一体式紧靠的第二段，第二宽度不同于第一宽度，第一段平滑地紧靠T形接头的第一臂并且与其成一体；以及其中T形接头和阶梯形接头的顶表面是共面的。
连接设计方法及其系统

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