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[发明专利]用于宽禁带半导体SiC MOSFET的短路保护结构及保护方法-CN202010355178.3有效
发明人：薛聚;辛振;陈建良;李雪;卢保聪 -专利权人：连云港灌源科技有限公司;河北工业大学
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H03K17/0812 文献下载
摘要：本发明为用于宽禁带半导体SiC MOSFET的短路保护结构及保护方法，包括比较和逻辑关断电路、RCD积分电路、复位电路，所述RCD积分电路包括积分电容Cf、积分电阻Rf、阻断二极管Dblo、接地电阻Rgro，接地电阻Rgro并联在阻断二极管Dblo两端，阻断二极管Dblo的正极端依次连接积分电阻Rf、积分电容Cf；积分电容Cf的另一端接地Vs,积分电容Cf的接地端连接SiC MOSFET的开尔文源极，阻断二极管Dblo的负极端连接SiC MOSFET的功率源极；RCD积分电路的输出端从积分电容Cf和积分电阻Rf之间引出，分别接入比较和逻辑关断电路、复位电路中。减小了传统的di/dt‑RC检测在负载短路故障情况下存在的巨大检测误差。在FUL故障下，本申请将短路保护的误差从51.3％降低到6.4％，保护时间缩短了50ns。
用于宽禁带半导体 sic mosfet 短路保护结构方法

[发明专利]单驱动控制的串联SiC MOSFET直流固态断路器及配电系统-CN202210874781.1在审
发明人：辛振;岳远省;薛聚;陈建良 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H02H7/26 文献下载
摘要：本发明为一种单驱动控制的串联SiC MOSFET直流固态断路器及配电系统，直流固态断路器包括SiC MOSFET驱动电路、SiC MOSFET器件M1～Mn、驱动电阻Rg1～Rgn、二极管D1～Dn‑1、RCD缓冲电路、压敏电阻MOV和压敏电阻MOVcs；SiC MOSFET驱动电路的一端与SiC MOSFET器件M1的源极连接，SiC MOSFET驱动电路的输出端通过驱动电阻Rg1与SiC MOSFET器件M1的栅极连接；SiC MOSFET驱动电路的输出端同时串联有二极管D1～Dn‑1，二极管D1～Dn‑1通过各自的驱动电阻分别与SiC MOSFET器件M2～Mn的栅极连接；SiC MOSFET器件M2～Mn各连接一个稳压二极管，稳压二极管的阳极与SiC MOSFET器件的源极相连，稳压二极管的阴极与SiC MOSFET器件的栅极相连。解决了器件的栅极振荡问题，降低了导通损耗。
驱动控制串联 sic mosfet 直流固态断路器配电系统

[实用新型]一种上下双面修边封边装置-CN201920011211.3有效
发明人：宋磊;薛聚;庄文杰 -专利权人：青岛海西正通机械有限公司
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： B23D79/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种上下双面修边封边装置，包括支撑架、导向杆、上修边组件和下修边组件。所述导向杆固定在支撑架上，导向杆上设有电机固定板，上修边组件和下修边组件固定在电机固定板上。上修边组件和下修边组件均设有驱动电机，驱动电机通过挡板固定在电机固定板上，挡板上设有修边刀孔。驱动电机外套设有卡箍，驱动电机前端设有修边刀。本实用新型采用采用双侧修边组件配合，可一次对板材上下两面进行修边；并且，通过在电机上表面设置键槽，卡箍顶部设置锁紧旋钮、位置旋钮和齿轮，可有效调节修边深度；另外，电机通过卡箍和挡板固定在支撑架上，给电机提供双从固定设计，更好的防止电机因振动和位移而脱落，结构简单，经济耐用，应用领域更广。
修边驱动电机电机固定板挡板导向杆支撑架电机卡箍本实用新型封边装置上下双面修边刀顶部设置固定设计锁紧旋钮有效调节组件固定组件配合上表面齿轮键槽旋钮