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[发明专利]电平移位电路及驱动电路-CN201711376938.3有效
发明人：外园和也;山本晃央;王东 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H03K17/0812 文献下载
摘要：得到一种具有电绝缘性、小型且低价的电平移位电路及驱动电路。电热变换元件(5)将以第一基准电位为基准的第一电信号变换为热。热电变换元件(6)将来自电热变换元件(5)的热变换为以与第一基准电位不同的第二基准电位为基准的第二电信号。绝缘区域(7)将电热变换元件(5)和热电变换元件(6)电绝缘。
电平移位电路驱动

[实用新型]一种隔离式功率管驱动电路-CN202023032059.9有效
发明人：伏旭;汪凯;林思羽;王睿;刘春辉;赵宁 -专利权人：青岛正伟电源有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H03K17/0812 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种隔离式功率管驱动电路，包括集成电路IC1、驱动接口排针H1和辅助电源芯片M1，所述集成电路IC1的1脚连接到电阻R2的输出端，集成电路IC1的6脚连接到二极管D4的输出端，二极管D4的输入端与电阻R2的输入端相连后连接到驱动接口排针H1的11脚。本隔离式功率管驱动电路，适应范围广，工作频率高，输入输出延迟小，MOS管、IGBT、碳化硅MOS都能精确的设置驱动电压，真正做到了全兼容，驱动引脚充电和放电分离，可以精确的设置门级电阻，能精确控制门级关断电压；具有米勒钳位功能，同时具备故障输出及故障状态复位、大功率开关电源功率管驱动的功能。
一种隔离功率管驱动电路

[发明专利]IGBT模块的驱动保护电路和空调器-CN201810076609.5有效
发明人：杨建宁 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H03K17/0812 文献下载
摘要：本发明提出一种IGBT模块的驱动保护电路和空调器，其中，IGBT模块包括上桥IGBT和下桥IGBT，下桥IGBT通过设置驱动发射端和功率发射端以净化驱动信号，驱动保护电路包括：与功率发射端相连的采样单元，用于采样下桥IGBT的电流；与采样单元相连的过流保护单元，用于在下桥IGBT发生过流时，对下桥IGBT进行过流保护；驱动单元，驱动单元包括第一驱动芯片和第二驱动芯片，第二驱动芯片的第一接地端连接到地，且第二驱动芯片的第二地端连接到驱动发射端以实现第一接地端与第二接地端之间的隔离，并通过功率发射端接地，以便第二驱动芯片承受采样单元引入的共模电压。该驱动保护电路能够在保证过流保护准确性的同时，净化驱动信号。
igbt 模块驱动保护电路空调器

[发明专利]晶体管的驱动模块的控制方法-CN201980058702.6在审
发明人： C·比尔曼;T·巴伏瓦 -专利权人：纬湃科技有限责任公司
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H03K17/0812 文献下载
摘要：本发明的目的在于直流到直流电压转换器的晶体管的驱动模块的控制方法，该直流到直流电压转换器使得能够控制机动车辆热力发动机的至少一个燃料喷射器（2）。该方法包括测量流过第一开关或第二开关中的处于导通状态的开关的电流的强度的步骤（E1），确定所述电流所运送的电荷步骤（E2），以及当确定的电荷高于预定最大电荷阈值时中断驱动模块的运转的步骤（E4）。
晶体管驱动模块控制方法

[发明专利]开关电路及其控制方法-CN201911009058.1在审
发明人：张书浩;杨斌 -专利权人：北京比特大陆科技有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H03K17/0812 文献下载
摘要：本申请涉及一种开关电路及其控制方法。该控制电路包括：开关器件，用于连接在工作电路中；检测器件，用于检测流经开关器件的电流；控制电路，用于在检测器件检测得到的电流值超出电流门限值的情况下，控制开关器件关断，其中，该工作电路布置于PCB上，该PCB上布置有n个结构相同的计算处理器芯片，其中，至少两个计算处理器芯片采用串联方式连接，n为大于1的整数。该开关电路可以在维护成本较低、对电路性能影响较小的前提下，实现电路的过流保护的快速响应。
开关电路及其控制方法

[实用新型]一种压控流型功率管驱动电路-CN202022199510.X有效
发明人：钱飞燕;李杰梅;谢佳明 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H03K17/0812 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种压控流型功率管驱动电路，包括前级放大电路、功率放大电路、电源及RC网络；其中电源用于供电，前级放大电路接入PWM信号，功率放大电路与前级放大电路、RC网络、压控流功率管连接，RC网络与压控流功率管连接。本实用新型驱动电路可有效提升驱动电流、驱动功率开关频率大小以及减小开关损耗；通过实测显示驱动电路瞬时驱动电流峰值达十几A，并且IGBT的开通上升沿、关断下降沿驱动电路的传输延时时间可控制在几十ns以内，大功率管的开关频率能达近MHz，该指标在同类产品中属于领先，充分说明本驱动电路驱动功率大的优势。
一种压控流型功率管驱动电路

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管的运行-CN201980057092.8在审
发明人： H-G·埃克尔;简·富尔曼;费利克斯·凯泽;陈光天 -专利权人：西门子股份公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H03K17/0812 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于运行IGBT(1、2)的方法，其中，确定对于IGBT(1、2)的运行来说所要求的最大的稳定阻断电压；确定第一迁移电荷，其在IGBT(1、2)的栅极(5)处的迁移引起电场强度，该电场强度能够实现IGBT(1、2)在稳定的阻断时能够接收最大的稳定阻断电压；确定第二迁移电荷，其在栅极(5)处的迁移引起电场强度，该电场强度导致动态雪崩，并且在电荷迁移持续时间(T3)期间在关断IGBT(1、2)时从栅极(5)迁移出迁移电荷，其大于第一迁移电荷并且小于第二迁移电荷。
绝缘栅双极型晶体管运行

[发明专利]开关电路以及运行方法-CN201910575174.3在审
发明人：傅胡叶;彭作辉;叶丰桥;王健;齐玉祥 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H03K17/0812 文献下载
摘要：一种开关电路以及运行方法。开关电路包含一火线取电电路、一控制电路以及一可控电容阵列。火线取电电路耦接一火线以接收一交流电压。控制电路用以对交流电压进行一过零检测。可控电容阵列耦接火线取电电路以及控制电路。控制电路用以基于一第一开关的状态以及一过零检测结果，控制火线取电电路供电给控制电路或可控电容阵列放电以对控制电路供电。
开关电路以及运行方法

[实用新型]一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路-CN201921850461.2有效
发明人：谭国俊;张经纬;耿程飞;何凤有 -专利权人：徐州中矿大传动与自动化有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H03K17/0812 文献下载
摘要：本发明提供一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路，包括：逻辑单元、驱动单元、短路保护单元、VDS检测单元以及VG检测单元，本发明采用降低栅极电压VG的方法抑制短路电流，从而降低短路故障对器件的冲击，减小了短路损耗，增大了短路耐受时间。当SiC MOSFET发生一类短路时，漏极电压VDS将不会下降至导通压降，本发明通过判断漏极电压VDS是否下降至导通压降来选择开通瞬态的栅极驱动电压，使栅极电压VG钳位在较低的驱动电压等级；当SiC MOSFET发生二类短路时，栅极电压VG将会发生突变，形成电压尖峰，本发明通过判断导通状态时栅极电压VG是否出现电压尖峰来选择导通状态的栅极驱动电压，可在短路时将栅极电压VG钳位在较低的驱动电压等级。
一种基于短路电流抑制 sic mosfet 保护电路

[发明专利]偏置开关的方法和装置-CN201611030160.6有效
发明人： B·T·卡维斯;T·库尔克尤克鲁;Y·A·阿特赛尔 -专利权人：亚德诺半导体集团
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H03K17/0812 文献下载
摘要：公开了偏置开关的方法和装置。提供控制电路用于控制用作开关的场效应晶体管的栅极端子处的电压。在例如晶体管的源极端子处的电压可以提供给低通滤波器，然后被电压转换以提供栅极信号。滤波可以被布置为补偿晶体管内的寄生电容的影响，从而使其频率响应线性化。电压转换可以帮助限制晶体管的栅极和沟道之间的电压差。这是重要的，因为可能在微波电路中使用的相对快速的晶体管可能在其栅极处具有相对适度的电压而失效。
偏置开关方法装置

[发明专利]用于控制晶体管的电路装置-CN201680002994.8有效
发明人：伯恩哈德·阿特尔斯梅尔 -专利权人：弗罗纽斯国际有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H03K17/0812 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于控制具有绝缘栅极(3)的晶体管(T1)的电路装置(1)，该电路装置(1)具有用于产生驱动信号(UTR)的栅极驱动器(2)和与所述晶体管(T1)的栅极(3)‑源极(8)路径并联的电容器(C)，其中所述栅极驱动器(2)被设计成产生大于或等于零伏的驱动信号(UTR)，设置用于与所述电容器(C)形成谐振电路(9)的电感器(L)，并且在所述谐振电路(9)中设置开关元件(S)，所述开关元件(S)被设计成在所述电容器(C)重新充电之后将所述谐振电路(9)中断。根据本发明，所述电路装置(1)的位于所述栅极驱动器(2)的下游的部分被设计成使用所述栅极驱动器(2)的驱动信号(UTR)进行唯一电压供应，并且所述开关元件(S)由附加晶体管(T2)形成，第一续流二极管(D1)与所述开关元件(S)并联布置，并且所述谐振电路(9)的所述电感器(L)布置在所述附加晶体管(T2)和所述晶体管(T1)的栅极(3)之间。
用于控制晶体管电路装置

[实用新型]高可靠的GaN功率管快速门极驱动电路-CN202020318648.4有效
发明人：励晔;黄飞明;赵文遐;贺洁;朱勤为 -专利权人：无锡硅动力微电子股份有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H03K17/0812 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高可靠的GaN功率管快速门极驱动电路，包括：驱动电流调节电路的控制端与反相器INV115的输入端接门极驱动电路的输入端；门极驱动电路的输入端用于输入控制信号On；反相器INV115的输出端接第一MOS开关Q111的控制端以及关断延时电路的输入端；关断延时电路的输出端接第二MOS开关Q113的控制端；驱动电流调节电路输出两路电流源iCp、iDrv，分别接到电荷泵电容C120两端的节点a和节点b；第一MOS开关Q111的一个开关端接节点a，另一个开关端接参考地；第二MOS开关Q113的一个开关端接节点b，另一个开关端接参考地；节点b作为门极驱动电路的输出端；本实用新型能够提升GaN功率管工作可靠性。
可靠 gan 功率管快速门驱动电路

[发明专利]一种信号保护电路-CN201811465127.5在审
发明人：万艳艳;王娅 -专利权人：西安智盛锐芯半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H03K17/0812 文献下载
摘要：本发明涉及一种信号保护电路，包括：信号输入端、信号保护电路、信号滤波电路、信号输出端，信号保护电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、第一开关管Q、第二开关管T，其中，第一开关管Q的第一端与电阻R2一端、电阻R1一端、电阻R3一端连接，电阻R1另一端与信号输入端连接，电阻R3另一端与第一开关管Q的第三端与第二开关管T的第一端连接，第二开关管T的第二端与电阻R4一端连接，第二开关管T的第三端与电阻R5一端连接，电阻R5另一端与信号滤波电路输入端连接。本发明通过信号保护电路为电路提供稳定的工作电压，避免输入过高的信号造成器件烧损。
一种信号保护电路

[发明专利]高可靠的GaN功率管快速门极驱动电路-CN202010176828.8在审
发明人：励晔;黄飞明;赵文遐;贺洁;朱勤为 -专利权人：无锡硅动力微电子股份有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H03K17/0812 文献下载
摘要：本发明提供一种高可靠的GaN功率管快速门极驱动电路，包括：驱动电流调节电路的控制端与反相器INV115的输入端接门极驱动电路的输入端；门极驱动电路的输入端用于输入控制信号On；反相器INV115的输出端接第一MOS开关Q111的控制端以及关断延时电路的输入端；关断延时电路的输出端接第二MOS开关Q113的控制端；驱动电流调节电路输出两路电流源iCp、iDrv，分别接到电荷泵电容C120两端的节点a和节点b；第一MOS开关Q111的一个开关端接节点a，另一个开关端接参考地；第二MOS开关Q113的一个开关端接节点b，另一个开关端接参考地；节点b作为门极驱动电路的输出端；本发明能够提升GaN功率管工作可靠性。
可靠 gan 功率管快速门驱动电路

[发明专利]一种信号保护电路-CN201811438146.9在审
发明人：万艳艳;王娅 -专利权人：西安智盛锐芯半导体科技有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H03K17/0812 文献下载
摘要：本发明涉及一种信号保护电路，包括：信号输入端、信号保护电路、信号滤波电路、信号输出端，信号保护电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、第一开关管Q、第二开关管T，其中，第一开关管Q的第一端与电阻R2一端、电阻R1一端、电阻R3一端连接，电阻R1另一端与信号输入端连接，电阻R3另一端与第一开关管Q的第三端与第二开关管T的第一端连接，第二开关管T的第二端与电阻R4一端连接，第二开关管T的第三端与电阻R5一端连接，电阻R5另一端与信号滤波电路输入端连接。本发明通过信号保护电路为电路提供稳定的工作电压，避免输入过高的信号造成器件烧损。
一种信号保护电路