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[发明专利]双载流子硅控整流器电路以及其形成方法-CN200510136573.8有效
发明人：游国丰;李建兴;施教仁;杨富智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-12-30 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：一种双载流子硅控整流器电路以及其形成方法，用于静电放电防护。此硅控整流器电路包括一双载流子装置，形成于一半导体基板上。此双载流子装置包括至少一N型阱以及一P+材料。N型阱用以提供较高的电阻，而P+材料则作为一集电极，以提供一高电阻。至少一N型防护环以及一P型防护环围绕于双载流子装置，其中，当一静电放电事件发生时，双载流子装置的N型阱以及P+材料所提供的高电阻会提高导通速率。
载流子整流器电路及其形成方法

[发明专利]双极型器件以及增加其中电荷载流子迁移率的方法-CN200510097828.4有效
发明人：杜雷塞蒂·齐达姆巴劳;格里高里·G·弗里曼;马尔汉·H·克哈特尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：一种增加双极型器件内的电荷载流子迁移率的方法，包括以下步骤：在该器件中产生压缩应变，以增加该器件的固有基极中的空穴迁移率；在该器件中产生拉伸应变，以增加该器件的固有基极中的电子迁移率。通过靠近该器件的固有基极形成应力层来产生该压缩应变和拉伸应变。该应力层临近该器件的发射极结构、至少部分地埋入在该器件的基极层中。该应力层具有与该固有基极不同的晶格常数。另外公开了方法与装置。
双极型器件以及增加其中电荷载流子迁移率方法

[实用新型]有受防护发射极－基极结的双极结晶体管的半导体器件-CN200520011950.0无效
发明人：神谷孝行;密冈久二彦 -专利权人：雅马哈株式会社
申请日： 2005-03-08 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种包括双极结晶体管的半导体器件，包括：具有主表面的半导体衬底；从所述主表面在所述半导体衬底中形成的第一导电类型的集电区；从所述主表面在所述集电区中形成的与第一导电类型相反的第二导电类型的基区；从所述主表面在所述基区中形成的所述第一导电类型的发射区，形成到达所述主表面的发射极－基极结；以及在到达主表面的所述发射极－基极结上方形成的结保护结构，该结保护结构包括形成在所述主表面上的绝缘体膜和形成在所述绝缘体膜上的导电层。
防护发射极基极结晶体半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200510082100.4有效
发明人：寺岛知秀 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2005-07-06 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本发明的课题是，提供可同时改善IGBT的工作和逆向导通功能这两者的特性的半导体器件。该半导体器件1A包括：在N－外延层5的表面层上隔开各P扩散区9、11而形成的P扩散区23；在P扩散区23的表面层上被P扩散区23包围而形成的N+扩散区25；在设置在N+扩散区25上的同时，与第1集电极电极19a连接的第2集电极电极19b；以及跨设在P扩散区23和N－外延层5上，构成从N－外延层5到P扩散区23的导电路径的电极27。
半导体器件

[发明专利]用于非硅基器件的晶片级密封-CN03823717.2无效
发明人： G·D·米勒;M·布鲁纳;L·H·拉根;G·W·格里尼 -专利权人：硅光机械股份有限公司
申请日： 2003-06-09 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：所揭示的一个实施例涉及用于密封晶片上的非硅基器件的有效区域的方法(100)。该方法包括至少在非硅基器件的有效区域上提供(104)牺牲材料；在晶片上沉积(108)密封涂层，以使密封涂层覆盖牺牲材料；以及用目标气氛替换(112、114)牺牲材料。所揭示的另一个实施例涉及以晶片级密封的SAW器件(即，在管芯与晶片分离之前)。该器件包括要保护的有效区域；电接触区域(4)；以及平版印刷形成的结构(24)，它密封至少有效区域并留下至少一部分电接触区域(4)被暴露。
用于非硅基器件晶片密封

[发明专利]半导体装置-CN200510004596.3有效
发明人：赤木修 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-01-18 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：一种半导体装置。具有梯状的第一基极电极及长方形状的第一发射极电极和平板状的第二基极电极、第二发射极电极的半导体装置，可确保接合面积，即使对于第一发射极电极，也是引线结合位置有效的配置，但第二发射极电极中心附近的基极区域到第二基极电极的距离长，而具有载流子的引出迟缓的问题。本发明的半导体装置在芯片的一条边上导出基极及发射极端子，平板状地设置第二发射极电极，相对于配置外部端子的芯片边垂直地延伸第一发射极电极，在第二发射极电极的中央附近设置第二基极电极的突出部。由此，可使第二发射极电极的中央附近的元件的基极区域接近第二基极电极，可降低发射极电阻，提高基极区域的载流子的引出速度。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN200510004101.7有效
发明人：赤木修 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-01-06 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：一种半导体装置，具有第一层电极和平板状第二层电极的双极晶体管减少了引线接合的固定位置的限制，提高了组装时的通用性。另外，由于第二层基极电极6和发射极电极仅以各自矩形的一个边相邻，故掩模的对位偏差或用于得到要求的抗蚀剂图案的间隔距离仅考虑该部分即可。但是，由于外部端子的配置，而不能实现发射极电阻的降低或芯片的薄型化。将第一层基极电极形成梯状的图案，并在其间并行配置第一层发射极电极。另外，将第二层电极层构成平板状，将第一层并行的发射极电极及基极电极和第二层电极邻接的边并行配置。由此，即使在梯状汇接第一层基极电极的端部附近的第二电极上固定接合引线，也可以降低发射极电阻，使芯片薄型化。
半导体装置

[发明专利]有受防护发射极－基极结的双极结晶体管的半导体器件-CN200510068549.5无效
发明人：神谷孝行;密冈久二彦 -专利权人：雅马哈株式会社
申请日： 2005-03-08 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS－BJT半导体器件的制造方法，该方法包括如下步骤：同时在半导体衬底中形成第一导电类型的集电区和第一导电类型的第一阱；在半导体衬底中形成与第一导电类型相反的第二导电类型的第二阱；在集电区中形成第二导电类型的基区；在所述第一和第二阱上形成第一和第二绝缘栅结构，并在所述基区上形成具有与所述绝缘栅结构相同的组成元件的结保护结构；以及在所述第二阱中形成第一导电类型的第二源/漏区，同时在基区中形成第一导电类型的发射区，并具有达到所述结保护结构之下的主表面的发射极－基极结。
防护发射极基极结晶体半导体器件

[发明专利]具有最小寄生现象的晶体管结构及其制造方法-CN200510052428.1有效
发明人：戴维·R·格林伯格;郑淑珍 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：提供了一种寄生现象被减为最小的晶体管，此晶体管包括在本征发射极部分顶部具有凹陷的非本征发射极部分的发射极；包括基极，此基极包含与本征发射极部分电接触的本征基极部分和与本征基极部分电接触并被一组发射极/基极间隔电隔离于凹陷的非本征发射极部分的非本征基极部分；以及包括与本征基极部分电接触的收集极。此晶体管还可以包括顶部表面整个被硅化至发射极/基极间隔的非本征基极。此外，此晶体管可以包括晶体管有源区内的基极窗口。还提供了制作上述晶体管的各种方法。
具有最小寄生现象晶体管结构及其制造方法

[发明专利]双极晶体管-CN200410075885.8无效
发明人：约翰·K·特怀纳姆 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-11-29 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本发明的双极晶体管包括由n－型半导体制成的集电极层和在该集电极层上由n－型半导体制成的发射极层。在发射极层上提供用于注入p－型载流子(空穴)到发射极层的栅极层。在集电极层和发射极层之间形成p－型载流子保留层。p－型载流子保留层临时保留从栅极层注入到发射极层的p－型载流子和在发射极层中扩散并到达p－型载流子保留层。双极晶体管具有其性能不被基极层的表面电阻影响的结构，而且甚至在高频率区也能有高电流增益。
双极晶体管

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200410102112.4无效
发明人：冨永久昭;小田岛庆汰;松本成仁;山室正伦 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-12-14 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，在双极晶体管中，在本征基极区域下方设置SIC，谋求柯克效应的抑制和本征基极区域的薄膜化，从而提高fT。并且，SIC层的杂质浓度越高其效果越好。当一侧SIC层的杂质浓度高时，VCEO降低，fT提高及柯克效应的抑制和VCEO特性在于折衷选择(トレ一ドオフ)的关系。在本征基极区域下方设置与本征基极区域接触的第二SIC层，并在第二SIC层的下方设置比第二SIC层的杂质浓度高的第一SIC层。可利用第一SIC层缩短集电极宽度，并抑制柯克效应，由第二SIC层截断本征基极区域下端，谋求提高fT。另外，通过采用比第二SIC层的杂质扩散系数大的第一SIC层的杂质，可通过一次热处理形成深度不同的两层SIC层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN02828971.4无效
发明人：小清水亮;笼利康明;町田信夫 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2002-04-16 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本发明的一种半导体器件，侧壁绝缘薄膜9提供在异质结双极型晶体管的基极抽取电极5B中形成的第一开口部分8a的侧面上，并且侧壁绝缘薄膜9的一部分延伸，以便在基极抽取电极5B中从与半导体衬底1相对的表面朝向半导体衬底1的主表面伸出，并且其伸出长度设置为等于或小于置于半导体衬底1主表面与基极抽取电极5B的底面之间的绝缘薄膜4厚度的一半。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200410079861.X无效
发明人：丰田泰之;曾根高真一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-09-23 - 公布日： 2005-03-30 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：一种半导体器件，具有低电阻的N型半导体基板(101)、形成在该N型半导体基板(101)上的N型的并且电阻比半导体基板(101)高的集电层(102)、与该集电层(102)具有接合面的P型的本征基区(104)、与该本征基区(104)具有接合面的N型的发射区(105)，其中，本征基区(104)的沿其周围，被从集电层(102)到达N型半导体基板(101)的绝缘槽(103)覆盖。根据本发明，即使电源电压变动，半导体器件中的集极基极间的反馈电容也不变化。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具增加击穿电压的半导体结构及制造该半导体结构的方法-CN200410005258.7有效
发明人： A·蒂尔科;W·克莱恩 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2004-02-17 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：半导体结构，包括第一掺杂型态之埋藏第一半导体层，第一掺杂型态之第二半导体层，其系位于埋藏半导体层上，并较埋藏第一半导体层之掺杂少，第二掺杂型态之一半导体区域，其系位于该第二半导体层上，pn接合面形成于半导体区域及第二半导体层之间，及一凹陷，其系位于包含第一掺杂型态之半导体材料之埋藏第一半导体层中低于半导体区域之位置，并可较埋藏第一半导体层之掺杂少，且其与在第二半导体层上之第二掺杂型态之半导体区域间之距离较大，因此穿越pn接合面之击穿电压高于未提供该凹陷之状况。
增加击穿电压半导体结构制造方法

[发明专利]带有微波双极晶体管的半导体器件-CN98102562.5无效
发明人：加藤博 -专利权人： NEC化合物半导体器件株式会社
申请日： 1998-06-29 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：带有双极晶体管的半导体器件，可减少基极连接层和集电区之间的寄生电容；包括：具有主表面的半导体衬底，形成在衬底中的集电区、基区和发射区，形成在衬底主表面上并与集电区重叠的第一介电层，形成在第一介电层上并施加有特定电势的导电层，形成以覆盖导电层的第二介电层，形成在第二介电层上并与基区电连接的基极连接层，以及与基极连接层电连接的基极。发射区、基区和集电区构成双极晶体管，导电层与发射区电连接。导电层作为屏蔽电极，利用法拉第屏蔽效应，防止了在集电区和基极连接层之间产生寄生电容。
带有微波双极晶体管半导体器件