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[发明专利]X射线平板探测器面板结构及其制备方法、平板探测器-CN202110183090.2有效
发明人：李桂锋;金利波 -专利权人：上海奕瑞光电子科技股份有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种X射线平板探测器面板结构及其制备方法，及平板探测器。制备方法包括提供基板，依次形成栅电极、栅绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、源漏电极材料层及第一绝缘层，对第一绝缘层进行图形化刻蚀以形成第一开孔以暴露出源漏电极材料层；于第一开孔内形成光电二极管后对第一绝缘层及未被光电二极管覆盖的源漏电极材料层进行图形化刻蚀以形成源极和漏极，之后形成第二绝缘层和公共电极，公共电极与光电二极管电连接且延伸到氧化物薄膜晶体管的上方。本发明经优化的流程设计，利用源漏电极材料层增强光电二极管与氧化物薄膜晶体管有源层的物理隔离，减少光电二极管和后续绝缘层等制程对氧化物薄膜晶体管电性的影响，有助于提高器件性能。
射线平板探测器面板结构及其制备方法

[发明专利]摄像装置-CN201710075462.3有效
发明人：平濑顺司;佐藤好弘;高见义则;高濑雅之;村上雅史 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-02-13 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供一种抑制了暗电流的摄像装置。本发明的摄像装置具备半导体层和像素单元。像素单元具备：第1导电型的杂质区域，位于半导体层内；光电变换部，位于半导体层的上方，电连接于杂质区域；第1晶体管，具有第1源极、第1漏极及第1栅极电极，第1源极及第1漏极的一方与杂质区域电连接；第2晶体管，具有第2源极、第2漏极及第2导电型的第2栅极电极，包含杂质区域作为第2源极及第2漏极的一方，第2栅极电极与杂质区域电连接；第3晶体管，具有第3源极、第3漏极及第3栅极电极，第3栅极电极与光电变换部电连接。
摄像装置

[实用新型]具有凹陷阻挡结构的影像传感器-CN202320960358.3有效
发明人：郭俊聪;卢玠甫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的各种实施例提供一种具有凹陷阻挡结构的影像传感器，影像传感器包括配置在衬底内的多个光电探测器，且多个光电探测器包括第一有源光电探测器与黑阶校正(BLC)光电探测器。金属网格结构在衬底的第一侧上，沿着第一有源光电探测器的周边，环绕第一有源光电探测器。凹陷阻挡结构覆盖衬底的第一侧上的BLC光电探测器。凹陷阻挡结构包括嵌入衬底的第一侧中的第一阻挡层以及位于第一阻挡层正上方的第二阻挡层。较厚的凹陷阻挡结构可有效阻挡入射辐射，而较薄的金属网格结构则有助于在较低的像素尺寸下进行缩放。在此实施例中，凹陷阻挡结构和金属网格结构可有效提升厚度均匀性，进而增加影像传感器的性能。
具有凹陷阻挡结构影像传感器

[发明专利]CIS的制作方法-CN202310718068.2在审
发明人：李睿;曹志伟;张召 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请公开了一种CIS的制作方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有深沟槽，深沟槽将衬底分割为多个柱型结构，柱型结构上形成有硬掩模层，衬底的晶向为[100]，深沟槽的深度和宽度的比值大于4；在深沟槽的表面生长第一外延层；进行烘烤处理对第一外延层的表面形貌进行修复；通过低压选择性外延工艺生长第二外延层，第二外延层填充深沟槽。本申请通过在CIS的制作过程中，在衬底中形成深沟槽后，现在深沟槽表面生长第一外延层，然而通过烘烤处理修复形貌，再通过低压选择性外延工艺生长第二外延层以填充深沟槽，能够降低沟槽中填充的外延层产生缺陷的几率。
cis 制作方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN202310580470.9在审
发明人：孙卓;李晓玉;陈辉 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，属于图像传感器技术领域。该CMOS图像传感器，包括半导体衬底；至少一个像素单元；多个第一深沟槽隔离结构，用于形成像素单元的边框；多个第二深沟槽隔离结构，形成于像素单元中，通过多个第一深沟槽隔离结构和多个第二深沟槽隔离结构将像素单元分隔出至少三个分区以设置光电二极管，相邻两个光电二极管之间设置有至少一第二深沟槽隔离结构；多个遮蔽区，形成于相邻的两个第二深沟槽隔离结构之间，以间隔相邻的两个第二深沟槽隔离结构。通过将第二深沟槽隔离结构之间的区域设计成未被刻蚀打开的结构，减少刻蚀半导体衬底带来的离子损伤，达到改善白像素的目的。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]光电检测装置和电子设备-CN202280009231.1在审
发明人：守屋雄介;山本笃志;汤川富之;西村光太郎;池原成拓;大谷翔吾;加藤宽 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及一种光电检测装置和电子设备，其允许减少来自片上微透镜的表面反射并抑制图像质量的劣化。提供了一种光电检测装置，其包括：多个像素，其具有光电转换单元；片上微透镜，其以与各个所述像素相对应的方式形成；和防反射膜，其形成在所述片上微透镜的表面上，所述防反射膜通过使第一无机膜和第二无机膜层叠构成，所述第一无机膜由金属氧化物膜形成，所述第二无机膜形成在所述第一无机膜的表面上并且具有比所述第一无机膜更低的折射率。例如，本公开可以应用于CMOS固态摄像装置。
光电检测装置电子设备

[发明专利]改善噪声特性的差分式光电晶体管器件结构及使用方法-CN202310803390.5在审
发明人：周磊簜;范婷婷 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善噪声特性的差分式光电晶体管器件结构及使用方法，包括反向串联的第一光电晶体管和第二光电晶体管，所述第一光电晶体管和第二光电晶体管结构相同，且对称设置，所述第一光电晶体管和第二光电晶体管均包括依次设置的发射区、基区和集电区；所述第一光电晶体管的发射区和第二光电晶体管的发射区均通过本征层连接至衬底层，所述第一光电晶体管的集电区的自由面设置第一电极，所述第二光电晶体管的集电区的自由面设置第二电极。本发明能够直接输出差分电压信号，用于抑制噪声、提高灵敏度，并且工艺简单、成本低廉。
改善噪声特性分式光电晶体管器件结构使用方法

[发明专利]传感器装置-CN202280014376.0在审
发明人：津川英信;梶川绫子 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种能够实现SPAD像素的小型化的传感器装置。传感器装置包括第一基板单元和接合到第一基板单元的第二基板单元。第一基板单元包括第一半导体基板和设置在第一半导体基板上的像素区域，在像素区域中，SPAD像素和多个可见光像素混排成阵列。第二基板单元包括面对第一半导体基板的第二半导体基板、设置在第二半导体基板上并连接到SPAD像素的SPAD电路以及设置在第二半导体基板上并连接到多个可见光像素的可见光像素电路。
传感器装置

[发明专利]一种芯片的制作方法及晶圆-CN202210285512.1在审
发明人：施琛;唐样洋;潘撼 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请提供一种芯片的制作方法及晶圆，在衬底和用于制备半导体器件的外延层(即第二外延层)之间增加了掺杂浓度居于两者之间的外延层(即第一外延层)，第一外延层作为减薄工序中高选择比刻蚀的减薄停止层，第二外延层可以选择较低的掺杂浓度实现制备半导体器件的高阻wafer，以提升器件性能。通过控制衬底和减薄停止层之间掺杂浓度的差异，可以精确控制刻蚀停留在目标位置，保证减薄一致性，同时在刻蚀停止界面保持足够小的TTV，以提升器件的性能和生产良率。同时，本申请实施例无需单独形成氧化物作为刻蚀停止层，也无需在半导体器件完成制备后从背面进行离子注入，可以与传统的BSI CIS制作工艺兼容，以降低生产成本。
一种芯片制作方法

[发明专利]图像感测装置及其形成方法-CN201910397679.5有效
发明人：郑宇荣 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：图像感测装置及其形成方法。公开了一种能够使入射在金属层上的光的反射最小化的图像感测装置。该图像感测装置包括：半导体基板，其中形成有至少一个沟槽；防反射层，其按照使得所述至少一个沟槽被防反射层掩埋的方式形成在半导体基板上方；以及金属层，其形成在防反射层上方，并设置有与所述至少一个沟槽对应的至少一个通孔。
图像装置及其形成方法

[发明专利]光学感测滤光器及其形成方法-CN201911333690.1有效
发明人：王庆森;陈旷举;萧鹏展;刘汉英;陈庆宗;郑书贤;黄文秀 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明提供了一种光学感测滤光器及其形成方法。此光学感测滤光器包括具有主动区以及感测区的基板、设置在基板的感测区中的光电二极管、以及设置在光电二极管之上的滤光片结构。此滤光片结构包括设置在光电二极管之上的第一滤光片堆迭以及设置在第一滤光片堆迭之上的第二滤光片堆迭。第一滤光片堆迭包括设置在光电二极管之上的第一黏着层、设置在第一黏着层之上的第一金属层、以及设置在第一金属层之上的第一绝缘层。第二滤光片堆迭包括设置在第一绝缘层之上的第二黏着层、设置在第二黏着层之上的第二金属层、以及设置在第二金属层之上的第二绝缘层。
光学滤光及其形成方法

[发明专利]一种高可靠型图像传感器的封装工艺及封装结构-CN202310991386.6有效
发明人：王国建;付义德 -专利权人：积高电子（无锡）有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠型图像传感器的封装工艺及封装结构，属于传感器封装技术领域，该高可靠型图像传感器的封装工艺及封装结构通过在顶板上开设若干上窄下宽的通孔，从而能够使流体状胶水缓慢充分的将每个引线包裹并且充满整个电性连接区域，使得引线不外露，全部在胶水包裹中，从而避免引线了折断、脱落的情况；通过固定结构设置的透光结构件，透光结构件具有侧墙，从而能够较为快速方便的保护以及暴露图像传感器的感光区域，使得图像传感器的封装效率大大提升。
一种可靠图像传感器封装工艺结构

[发明专利]一种基于单层石墨烯/绝缘层/硅/多层石墨烯结构的电荷注入器件-CN202010382069.0有效
发明人：徐杨;刘晨;刘威;吕建杭;刘亦伦;俞滨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单层石墨烯/绝缘层/硅/多层石墨烯结构的电荷注入器件，自下而上设有栅极、多层石墨烯、硅衬底、氧化物绝缘层，氧化物绝缘层上表面设有源极和漏极，并覆盖单层石墨烯薄膜；入射光照射到器件表面时，可见光被半导体硅吸收，其产生的少数载流子积累到硅衬底中的深耗尽势阱；红外光穿过硅层被异质结吸收，产生的少数载流子注入到体硅的深耗尽势阱中。器件表面的石墨烯会耦合出与势阱中的空穴对应的等量电子，从石墨烯的电流中能够实时读出硅势阱中的电荷。本发明通过使用多层石墨烯，拓展了传统CCD器件的光谱响应范围，提高了传统CCD器件在红外波段的吸收效果；同时保持了硅基CCD噪声小、可靠性高、工艺成熟、成本低廉等特点。
一种基于单层石墨绝缘多层结构电荷注入器件

[发明专利]图像传感器-CN201810783247.3有效
发明人：李元俊 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：图像传感器。一种图像传感器包括：光电转换元件，所述光电转换元件被构造为接收入射光并且将接收到的光转换为电荷；多个传输晶体管，所述多个传输晶体管电联接到所述光电转换元件，以响应于传输信号而选择性地将所述电荷传输到所述光电转换元件外部；以及滞后防止结构，所述滞后防止结构被形成在所述光电转换元件的中心处，并且被构造为接收所述传输信号以与所述多个传输晶体管一起操作，以便于将所述电荷传输到所述光电转换元件外部。
图像传感器

[发明专利]图像传感器对角隔离结构-CN202310272425.7在审
发明人：毛杜立;王勤;比尔·潘;孙世宇;臧辉 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及图像传感器对角隔离结构。提供图像传感器、隔离结构及制造技术。一种图像传感器包含安置在衬底上的电磁辐射源、安置在所述衬底上且与电磁辐射源热耦合的像素阵列，以及在所述电磁辐射源与所述像素阵列之间安置在所述衬底上的隔离结构。所述隔离结构能够界定相对于所述像素阵列的横向轴定向在第一偏置上的第一反射表面及相对于所述横向轴定向在第二偏置上的第二反射表面。所述隔离结构能够经配置以通过将所述第一反射表面及所述第二反射表面对所述电磁辐射的第一反射与第二反射配对来衰减到达所述像素阵列的近端区的残余电磁辐射。
图像传感器对角隔离结构