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[发明专利]接收器模块-CN201810933824.2有效
发明人： D·富尔曼;T·劳尔曼;G·凯勒 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：一种接收器模块(EM)，其具有光运行的电压源(SP)，该电压源包括具有上侧(OSP1)和下侧(USP1)的第一堆叠(SP1)，该电压源构造在非硅衬底(NSSUB)的上侧上，该电压源具有第二电连接接通部(K2)和第一电连接接通部(K1)，在它们之间存在电压，接收器模块具有带有MOS晶体管结构(MOS1)的第二堆叠(ST2)，该MOS晶体管结构具有控制连接端、漏极连接端和源极连接端，MOS晶体管结构构造成自导通的场效应晶体管，控制连接端与两个连接接通部中的一个连接，漏极连接端与两个连接接通部中的另一个连接，如果所产生的电压下降到低于阈值，则该场效应晶体管使两个连接接通部短接。
接收器模块

[发明专利]用于柔性数字X射线探测器的面板及其制造方法-CN201811510773.9有效
发明人：金镇必;尹敏奭 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了一种用于柔性数字X射线探测器的面板及其制造方法。柔性数字X射线探测器使由X射线暴露导致的器件特性劣化最小化，通过使面板的厚度最小化来有效地赋予面板柔性，保证保持面板的形状所需的刚性，并且使在激光掀离(LLO)工艺期间残留杂质的量最小化。面板包括其中硅氧化物(SiOx)层和硅氮化物(SiNx)层交替堆叠的多层结构的缓冲层，以及设置在多层结构的缓冲层上的器件阵列层和闪烁体层。在LLO工艺期间，制造面板的方法包括利用包括非晶硅(a‑Si)层和设置在a‑Si层的两个表面处的硅氮化物(SiNx)层的牺牲层来增加氢含量，从而使牺牲层中的残留杂质的量最小化。
用于柔性数字射线探测器面板及其制造方法

[发明专利]图像传感器和包括该图像传感器的电子设备-CN201910438204.6有效
发明人：朴敬培;陈勇完 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器可以包括：有机光电检测器，配置为选择性地检测近红外波长光谱的光并光电转换检测到的近红外波长光谱的光；以及在有机光电检测器上的光电检测器阵列，光电检测器阵列包括光电检测器，该光电检测器被配置为检测有限波长光谱的可见光并光电转换所述有限波长光谱的可见光。图像传感器可以将由有机光电检测器光电转换的电荷排放到第一浮置扩散节点，并且图像传感器可以将由光电检测器光电转换的电荷排放到第二浮置扩散节点。第一浮置扩散节点的面积可以大于第二浮置扩散节点的面积。
图像传感器包括电子设备

[实用新型]图像传感器及电子设备-CN202320455819.1有效
发明人：王倩;张盛鑫 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种图像传感器及电子设备，该图像传感器具有像素区以及位于像素区边缘的外围逻辑区，像素区内设有金属格栅，外围逻辑区内设有外围遮光金属块，外围逻辑区包括内缘区域以及位于内缘区域外缘的外缘区域，外围遮光金属块包括与外缘区域对应的第一遮光金属块以及至少覆盖内缘区域的第二遮光金属块；图像传感器包括半导体结构层、第一金属层以及第二金属层，第一金属层包括第一遮光金属块和金属格栅，第二金属层包括第二遮光金属块。通过采用两层金属层分别形成第一遮光金属块和第二遮光金属块，再由第一遮光金属块和第二遮光金属块共同形成外围遮光金属块，既可以防止外围逻辑区漏光，又可以减小金属格栅中心和边缘的应力差异。
图像传感器电子设备

[发明专利]封装和电子设备-CN202310509183.9在审
发明人：桝田佳明;石田実 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及封装和电子设备。其中，所述封装可包括层叠体，所述层叠体包括层叠的第一结构体和第二结构体，所述第一结构体包括用于将入射光转换成电气信号的像素；以及第一导电焊盘，所述第一导电焊盘形成在所述第二结构体上，其中，所述封装通过所述第一导电焊盘接合到安装基板，并且其中，所述第一结构体和所述第二结构体通过金属接合层叠在一起。
封装电子设备

[发明专利]摄像装置-CN202180087265.8在审
发明人：平濑顺司;山田隆善;西村佳寿子 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：摄像装置具备：光电转换部，通过光电转换而生成电荷；电荷积蓄部，积蓄所述电荷；以及金属‑氧化物‑半导体电容，包括第1端子、第2端子、栅极、氧化物层以及至少1个半导体区域。在曝光中，所述第1端子与所述电荷积蓄部电连接，所述栅极与所述第1端子电连接，所述至少1个半导体区域与所述第2端子电连接，所述氧化物层位于所述栅极与所述至少1个半导体区域之间。
摄像装置

[发明专利]图像传感器及其制作方法、电子设备-CN202310764769.X在审
发明人：王婉晴;石文杰;吴松昌 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请公开了一种图像传感器及其制作方法、电子设备，本申请公开的图像传感器包括电路连接层、光学结构层以及位于电路连接层和光学结构层之间的半导体结构层，通过在光学结构层中设置包括阵列设置且具有第一高度的第一微结构及阵列设置且具有第二高度的第二微结构的微结构阵列，其中，第一高度大于或等于第二高度，且所述第一微结构和所述第二微结构均用于延长所述入射光的光程，从而在入射光穿过光学结构层进入半导体结构层之前增加入射光反射和散射的次数，使入射光的光程增加，进而使半导体结构层中感光元件接收更多入射光，进而提升图像传感器对入射光的探测效率和对入射光的吸收率。
图像传感器及其制作方法电子设备

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310772447.X在审
发明人：杨帆;胡胜;盛备备 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：第一晶圆；沟槽隔离环，形成于所述第一晶圆中，所述沟槽隔离环包括第一金属层；第一绝缘介质层，形成于所述第一晶圆的表面，所述第一绝缘介质层中形成有至少一个第一通孔和至少一个第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔分别单独暴露出所述第一金属层的表面和所述第一晶圆的表面；阻挡层，至少形成于所述第二通孔暴露出的所述第一晶圆的表面；以及，第二金属层，形成于所述第一绝缘介质层上，且所述第二金属层填充所述第一通孔和所述第二通孔。本发明的技术方案能够避免导致接触电阻增大以及铝尖峰等问题，提高了半导体器件的制造工艺的稳定性以及提高了半导体器件的性能。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]封装结构及其制作方法-CN202310953146.7在审
发明人：张晓东;谢国梁 -专利权人：苏州思萃车规半导体产业技术研究所有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明揭示了一种封装结构及其制作方法，包括：芯片，芯片功能面上设置有光接收区域和围绕光接收区域的非光接收区域，光接收区域凸出于非光接收区域设置，其由间隔分布的微透镜结构组成；透光基板，其通过一胶层设置于功能面侧，且透光基板在功能面上的投影区域覆盖光接收区域在功能面上的投影区域，胶层连接非光接收区域和透光基板朝向功能面的一侧面的周边区域；第一遮光层，其设置于透光基板朝向功能面的一侧面，其面向功能面设置并延伸至微透镜结构之间的间隔区域，且第一遮光层设置有多个第一透光通道，第一透光通道暴露出微透镜结构。遮光层的设置可以吸收掉多余的散射光线，使得进入的外界光线能够垂直入射至光接收区域。
封装结构及其制作方法

[发明专利]小间距图像传感器-CN201911076940.8有效
发明人：刘远良;V·瓦乃兹艾 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案是针对一种小间距图像传感器。图像传感器包含第一半导体材料及安置在所述半导体材料中的多个第一掺杂区域。所述多个第一掺杂区域为多个光电二极管用以接收光且将所述光转换成图像电荷的一部分。第二半导体材料安置在所述第一半导体材料上，且多个第二掺杂区域安置在所述第二半导体中。所述多个第二掺杂区域电耦合到所述多个第一掺杂区域，且所述多个第二掺杂区域为所述多个光电二极管的一部分。
间距图像传感器

[发明专利]摄像装置-CN202010401447.5有效
发明人：关勇一;井上俊徳;狭山征博;中元幸香 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了摄像装置，其包括：第一光电转换单元，所述第一光电转换单元被设置在半导体基板中；第一滤色器，所述第一滤色器被设置在所述半导体基板的上方，所述第一滤色器对应于所述第一光电转换单元；第二光电转换单元，所述第二光电转换单元位于所述半导体基板中；第二滤色器，所述第二滤色器被设置在所述半导体基板的上方，所述第二滤色器对应于所述第二光电转换单元；以及遮光膜，所述遮光膜被设置在所述第二滤色器与所述半导体基板之间，在平面图中，所述遮光膜与所述第二光电转换单元的一部分重叠，其中，所述第一滤色器包括第一滤色器材料，其中，所述第二滤色器包括所述第一滤色器材料，并且其中，所述第二滤色器比所述第一滤色器更薄。
摄像装置

[发明专利]集成太阳能电池和CMOS电路的光电探测器及制造方法-CN202211661699.7有效
发明人：杨荣;余明斌 -专利权人：上海铭锟半导体有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成太阳能电池和CMOS电路的光电探测器及制造方法，该光电探测器包括由下至上的硅衬底和氧化层；其中，所述硅衬底和所述氧化层包括CMOS集成电路区域、探测器区域和硅太阳能电池区域。本发明通过修改硅衬底上浅沟槽隔离的成熟CMOS工艺流程，嵌入选择性硅、锗外延制作硅、锗探测器，并利用CMOS源漏区掺杂充当晶硅太阳能电池的电极接触区掺杂，通过金属连线连接电极。硅太阳能电池为探测器和CMOS电路提供电源，探测器将吸收的光信号转变为电信号，经过CMOS电路放大和处理信号，实现完整的光接收器功能，并独立于外部电源工作。本发明解决了目前集成太阳能电池和/或CMOS电路的光电探测器制造难度大、成本高的问题。
集成太阳能电池 cmos 电路光电探测器制造方法

[发明专利]耀斑抑制图像传感器-CN202110125842.X有效
发明人：阿里雷萨·博纳达;林志强;陆震伟 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种耀斑抑制图像传感器包括在衬底中形成的第一像素以及位于第一像素上方的折射元件。折射元件具有相对于衬底的顶表面的高度分布，高度分布在第一横截平面和第二横截平面中的每个中具有至少两个一维局部最高点，第二横截平面垂直于第一横截平面。第一横截平面和第二横截平面中的每个垂直于顶表面并且相交第一像素。
耀斑抑制图像传感器

[发明专利]光检测器件-CN202310511167.3在审
发明人：伊东恭佑 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及光检测器件。该光检测器件包括：第一像素、第二像素和第三像素，每个像素包括：位于基板中的第一光电转换区域、位于基板中的第二光电转换区域，以及用于第一光电转换区域的垂直晶体管；第一浮动扩散部，位于第一像素和第二像素的第一光电转换区域之间；以及第二浮动扩散部，位于第二像素和第三像素的第二光电转换区域之间，其中，由第一像素的第一光电转换区域光电转换的电荷以及由第二像素的第一光电转换区域光电转换的电荷经配置被传输到第一浮动扩散部，由第二像素的第二光电转换区域光电转换的电荷以及由第三像素的第二光电转换区域光电转换的电荷经配置被传输到第二浮动扩散部。
检测器件

[发明专利]图像传感器、制备方法、成像方法及电子设备-CN202310701616.0在审
发明人：胡泽望;於亥雨 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器、制备方法、成像方法及电子设备，图像传感器包括第一类像素和第二类像素；光线配置结构包括位于第一类像素上侧的遮光部以及位于响应于不同种类型光信号的第一类像素与第二类像素之间的第一类挡墙；基于光线配置结构，入射光进入第二类像素对应的区域并产生衍生光，衍生光进入与第二类像素响应于同种类型光信号且相邻的第一类像素内。本发明可以基于第一类像素和第二类像素获取相同的光信号，以提高图像的动态范围，并有效实现具有光源闪烁的照片或者视频的获取。另外，第一类挡墙可以有效防止响应于不同种类型光信号的第一类像素和第二类像素之间的不同类型光信号的相互串扰，提高第一类像素的成像效果。
图像传感器制备方法成像电子设备