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[发明专利]固体拍摄装置、电子设备及固体拍摄装置的制造方法-CN202210971083.3在审
发明人：渕田圭介 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：实施方式提供小型且低成本且高灵敏度的固体拍摄装置、电子设备及固体拍摄装置的制造方法。本实施方式的固体拍摄装置具备：基板，具有主面；近红外光用光电二极管，配置于所述主面，检测近红外光；及RGB层叠滤光器，配置在所述近红外光用光电二极管上，除去可见光。所述RGB层叠滤光器构成为使红色的光透射的第1红色滤光器、使绿色的光透射的第1绿色滤光器及使蓝色的光透射的第1蓝色滤光器以任意的顺序层叠而成的结构。
固体拍摄装置电子设备制造方法

[发明专利]图像传感器集成芯片及其形成方法-CN202310409343.2在审
发明人：何承颖;王文德;许凯钧;林颂恩;黄昱叡;刘人诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及图像传感器集成芯片(IC)。图像传感器IC包括布置在位于衬底第一侧上的层间介电(ILD)结构内的一个或多个互连件。图像感测元件布置在衬底内。衬底的侧壁形成一个或多个沟槽，该一个或多个沟槽从衬底的第二侧延伸至位于图像感测元件相对侧上的衬底内。介电结构布置在形成一个或多个沟槽的衬底的侧壁上。导电芯布置在一个或多个沟槽内并且通过介电结构与衬底横向分隔开。导电芯电耦接至一个或多个互连件。本发明的实施例还提供了形成图像传感器集成芯片的方法。
图像传感器集成芯片及其形成方法

[发明专利]指纹认证用光学元件-CN202310204812.7在审
发明人：矶部信吾;张媛婧 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供指纹认证用光学元件、该指纹认证用光学元件的制造方法及适合用于该指纹认证用光化学元件的制造的热固性组合物的制造方法，其不仅具有基板、光电二极管及微透镜，还具有透光性间隔层，透光性间隔层在抑制翘曲的同时被形成，耐化学药品性、耐溶剂性优异，并且具有足够的厚度。具备基板、光电二极管、微透镜及透光性间隔物的指纹认证用光学元件中，由包含丙烯酸树脂的热固性组合物的固化物构成透光性间隔层，使热固性组合物的固态成分浓度大于30质量％，作为丙烯酸树脂使用以规定的比率包含分别为规定的结构的作为含有酚式羟基的(甲基)丙烯酸系单元的结构单元和作为含有环氧基的(甲基)丙烯酸系单元的结构单元的树脂。
指纹认证用光元件

[发明专利]摄像元件和摄像装置-CN202180089457.2在审
发明人：三宅慎一;富田一行;丹羽笃亲 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够促进像素小型化的摄像元件和摄像装置。第一基板和第二基板层叠，所述第一基板包括多个检测像素，所述检测像素生成与光电流的对数值对应的电压信号，所述第二基板包括检测电路，所述检测电路检测所述多个检测像素中由输入的选择信号指示的检测像素的电压信号的变化量是否超过预定阈值，并且分别在所述第二基板的背面侧的第一区域和表面侧的第二区域中设置有构成所述检测电路的元件。本技术能够应用于例如针对每个像素检测地址事件的摄像元件。
摄像元件装置

[发明专利]摄像装置和电子设备-CN202310566481.1在审
发明人：熊谷至通;阿部高志;吉田辽人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及摄像装置和电子设备。其中，摄像装置可包括：光电转换部，所述光电转换部被构造用于将接收的光转换为电荷；保持部，所述保持部被构造用于保持从所述光电转换部传输的电荷；和遮光部，所述遮光部被构造用于在所述光电转换部与所述保持部之间遮光，其中，所述光电转换部、所述保持部和所述遮光部形成在具有预定厚度的半导体基板中，并且将所述电荷从所述光电转换部传输至所述保持部的传输区域的所述遮光部被形成为不穿透所述半导体基板的非穿透遮光部，并且所述传输区域之外的所述遮光部被形成为穿透所述半导体基板的穿透遮光部。
摄像装置电子设备

[发明专利]图像传感器装置、图像传感器设备和用于运行图像传感器装置的方法-CN202280011207.1在审
发明人：阿迪·查哈科尼;科尔内留-米哈伊·托贝斯库 -专利权人： AMS传感器比利时有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器装置(1)，包括：第一传感器层(2)，包括第一组像素(3)，第一组的每个像素(3)包括光电二极管(14，15，16，17)，被配置为检测第一波长范围内的电磁辐射。其还包括：第二传感器层(4)，包括第二组像素(5)，第二组的每个像素(5)包括光电二极管(13)，被配置为检测第二波长范围内的电磁辐射。其还包括：读出层(6)，包括被配置从第一组和第二组的像素(3，5)读出电信号的读出电路(7)。第二传感器层(4)被布置在第一传感器层(2)与读出层(6)之间。第二波长范围在能够由第一传感器层(2)检测的波长范围之外。
图像传感器装置设备用于运行方法

[发明专利]半导体结构制备方法及半导体结构-CN202310779496.6有效
发明人：陈维邦;郑志成 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构制备方法及半导体结构，半导体结构制备方法包括：提供目标衬底；于外延层内形成沿第一方向间隔排布的第一沟槽结构，第一沟槽结构暴露出部分隔离层；对沿第一方向相邻的第一沟槽结构之间的外延层内，执行至少一次固相扩散后退火推阱工艺，以在外延层内形成目标掺杂区；形成位于第一沟槽结构正上方的复合金属格栅立柱，复合金属格栅立柱包括至少填充满第一沟槽结构的介质层；于相邻的复合金属格栅立柱之间形成滤光层。该制备方法采用至少一次固相扩散后退火推阱工艺形成目标掺杂区，减少对目标衬底的伤害，在不影响前段制程的情况下，避免半导体器件出现像素串扰问题，提高产品良率。
半导体结构制备方法

[发明专利]一种图像传感器及其制作方法-CN202310484402.2有效
发明人：徐玉婷;林政纬;杨智强 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器及其制作方法，属于半导体技术领域。所述图像传感器包括：衬底；多个浅沟槽隔离结构，设置在所述衬底内，且所述浅沟槽隔离结构将所述衬底区分为多个感光区域，且多个感光区域在所述衬底上阵列分布；第一阱区，设置在所述感光区域内；第二阱区，设置在所述第一阱区上，所述第二阱区到所述浅沟槽隔离结构的距离小于所述第一阱区到所述浅沟槽隔离结构的距离；以及多个开关，设置在所述衬底上。通过本发明提供的一种图像传感器及其制作方法，提高图像传感器的生产效率和性能。
一种图像传感器及其制作方法

[发明专利]相机模块及包括该相机模块的便携装置-CN201780041035.1有效
发明人：朴在根 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施例的相机模块包括：透镜移动机构，包括基座；印刷电路板(PCB)，其上表面外侧与基座耦接，其上表面内侧与滤光器耦接；图像传感器，其与PCB的内侧下表面耦接；以及柔性印刷电路板(FPCB)，其与PCB的外侧下表面耦接并包围图像传感器，其中，PCB和FPCB可以通过导电粘合剂彼此耦接并电连接。
相机模块包括便携装置

[发明专利]近红外光电检测器半导体器件-CN201880072965.8有效
发明人：英格丽·约纳克-奥尔;杰拉尔德·迈因哈特;伯恩哈德·勒夫勒 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：近红外光电检测器半导体器件包括具有主表面(10)的第一类型电导性的半导体层(1)、在半导体层中的主表面处的沟槽或多个沟槽(2)、在沟槽或多个沟槽中的SiGe合金层(3)、以及在沟槽或多个沟槽中的第二类型电导性的导电填充材料，其中，第二类型电导性与第一类型电导性相反。
红外光检测器半导体器件

[发明专利]可编程SiPM阵列-CN202080066038.2有效
发明人： S.韦尔盖斯;C.奥纳尔;P-Y.德罗兹 -专利权人：伟摩有限责任公司
申请日： 2020-09-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本公开涉及与可配置硅光电倍增器(SiPM)设备相关的设备、系统和方法。一种示例设备包括衬底和耦接到衬底的多个单光子雪崩二极管(SPAD)。该设备还包括耦接到衬底的多个输出和耦接到衬底的多个电子组件。多个电子组件被配置成通过选择多个输出中的哪个输出连接到多个SPAD中的每个SPAD来选择性地将多个SPAD连接到多个输出，并从而在设备中定义多个SiPM，使得多个SiPM中的每个SiPM包括连接到多个输出中的相应输出的一个或多个SPAD的相应集合。
可编程 sipm 阵列

[发明专利]基于复合介质栅结构的成像阵列及其曝光、读取方法-CN202010401623.5有效
发明人：闫锋;王子豪;李张南;沈凡翔;胡心怡;柴智;顾郅扬 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种基于复合介质栅结构的成像阵列及其曝光、读取方法。成像阵列包括具有复合介质栅结构的像素单元，每个像素单元的源极和漏极对称，若干数目的单元相互串联构成一行，同一行的相邻单元之间共用漏极或源极，若干行单元的漏极或源极再分别通过N型注入区与其它行对应位置的漏极或源极纵向连接构成若干列，在同一列中，将间隔若干行的N型注入区使用欧姆接触连接到一列金属层位线；在一列金属层位线的一端设有选择开关晶体管；每一行单元的控制栅极横向延伸连接为一个整体，并且在同一行中，将间隔若干列的单元的控制栅极使用欧姆接触连接到一行金属层字线。本发明可以有效地进一步减小像素周期尺寸，提高成像分辨率。
基于复合介质结构成像阵列及其曝光读取方法

[实用新型]具有延伸接垫的图像传感器-CN202320887101.X有效
发明人：张胤杰;江彦廷;丁世汎;刘人诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供一种图像传感器。图像传感器包括设置在衬底上的图像感测组件、邻近于图像感测组件设置的延伸接垫，以及设置在延伸接垫上的多晶硅柱。图像传感器还包括设置在图像感测组件、延伸接垫和多晶硅柱上方的绝缘层。本实用新型可以提高器件性能和可靠性。
具有延伸图像传感器

[实用新型]集成有增透膜的叠层双色光伏型红外焦平面探测器-CN202320922178.6有效
发明人：刘慧颖;陈田;苏莹;朱坤;许多;柴玉 -专利权人：太原国科半导体光电研究院有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种集成有增透膜的叠层双色光伏型红外焦平面探测器，包括探测器芯片、互联结构和读出电路模块，所述探测器芯片通过所述互联结构与所述电路模块连接，其中，所述探测器芯片包括：衬底；增透膜，所述增透膜设置在所述衬底的一侧上；外延材料，所述外延材料设置在所述衬底的与所述增透膜相对的另一侧上。根据本实用新型实施例的集成有增透膜的叠层双色光伏型红外焦平面探测器可以降低反射率，提高入射到探测器芯片衬底表面的红外信号的透过率，从而提高探测器的量子效率。
集成增透膜叠层双色光红外平面探测器

[发明专利]半导体器件结构、图像传感器及其制备方法、电子设备-CN202310755487.3在审
发明人：许书洋;万皓 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件结构、图像传感器及制备方法、电子设备，半导体器件结构适用于图像传感器，包括：半导体基底，半导体基底包括若干个芯片区域及位于芯片区域外围的切割区域；切割区域包括界面阻隔切割区，芯片区域包括辅助切割区；其中，辅助切割区与切割区域邻接设置，且切割外缘与界面阻隔切割区相对应并与辅助切割区之间具有间距。通过本发明的上述设计，可以有效的缓解在切割获取芯片的过程中切割工艺对芯片核心区的影响。
半导体器件结构图像传感器及其制备方法电子设备