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[发明专利]一种芯片的制作方法及晶圆-CN202210285512.1在审
发明人：施琛;唐样洋;潘撼 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请提供一种芯片的制作方法及晶圆，在衬底和用于制备半导体器件的外延层(即第二外延层)之间增加了掺杂浓度居于两者之间的外延层(即第一外延层)，第一外延层作为减薄工序中高选择比刻蚀的减薄停止层，第二外延层可以选择较低的掺杂浓度实现制备半导体器件的高阻wafer，以提升器件性能。通过控制衬底和减薄停止层之间掺杂浓度的差异，可以精确控制刻蚀停留在目标位置，保证减薄一致性，同时在刻蚀停止界面保持足够小的TTV，以提升器件的性能和生产良率。同时，本申请实施例无需单独形成氧化物作为刻蚀停止层，也无需在半导体器件完成制备后从背面进行离子注入，可以与传统的BSI CIS制作工艺兼容，以降低生产成本。
一种芯片制作方法

[发明专利]像素结构及像素结构的制造方法-CN201980099784.9在审
发明人：施琛;潘撼;巩啸风;唐样洋 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种像素结构(2003)及像素结构(2003)的制造方法，像素结构(2003)包括：调制栅极组，调制栅极组包括：设置在衬底(201)第一表面(2011)的至少一个第一调制栅极(PGA)和至少一个第二调制栅极(PGB)，第二调制栅极(PGB)和第一调制栅极(PGA)分别被互补调制；以及衬底(201)，包括：两个载流子存储区域，分别在第一方向上位于衬底(201)的两侧，第一方向为平行于第一表面(2011)的方向；以及载流子收集区域(202)，在第一方向上位于两个载流子存储区域之间，且与调制栅极组接触于第一表面(2011)，其中载流子收集区域(202)与两个载流子存储区域的掺杂类型相同，载流子收集区域(202)与衬底(201)的掺杂类型相反，载流子收集区域(202)的掺杂浓度大于衬底(201)的掺杂浓度。
像素结构制造方法

[发明专利]图像传感器像素电路及控制方法、图像传感器、终端设备-CN201980099834.3在审
发明人：潘撼;施琛;刘维辉;巩啸风;唐样洋;朴善钦 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H04B10/69 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种图像传感器像素电路及控制方法、图像传感器、终端设备，涉及图像采集技术领域，用于减小收集区域中实际收集的载流子的数量与预期值之间的差异。图像传感器像素电路包括光敏元件、左传输通道、右传输通道。左传输通道包括串联第一左晶体管、第二左晶体管，第一左晶体管未完全导通时，第二左晶体管处于截止状态。右传输通道包括串联的第一右晶体管、第二右晶体管，第一右晶体管未完全导通时，第二右晶体管处于截止状态。在第一左晶体管和第一右晶体管的栅极电压相同时，左转移通道中的载流子无法通过截止的第二右晶体管传输至右转移通道。同理右转移通道中的载流子无法通过截止的第二左晶体管传输至左传输通道。
图像传感器像素电路控制方法终端设备

[发明专利]一种FBMC系统中联合信道均衡的RLS信道估计方法-CN202011324250.2在审
发明人：李靖;吕宝均;任德锋;葛建华;武思同;施琛;韦盼 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H04L25/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种FBMC系统中联合信道均衡的RLS信道估计方法，方法包括如下步骤：获取由FBMC‑OQAM导频符号、FBMC‑OQAM全零符号和FBMC‑OQAM数据符号组构成的帧结构，并根据该帧结构生成基带发送信号；根据生成的基带发送信号和多信道的脉冲响应，得到基带接收信号；计算帧结构中第一符号组中各符号对应的分析滤波器组输出信号和伪导频信号，并根据计算结果计算信道初始估计；首先计算其余各符号的子载波信号经分析滤波器组后的输出信号和伪导频信号，然后采用迫零均衡算法对信道进行均衡，并对伪导频信号进行重构，得到重构后伪导频信号，最后根据重构后的伪导频信号计算RLS信道估计值。发明所提供的技术方案在计算FBMC‑OQAM系统RLS信道估计值是具有较高的频谱效率。
一种 fbmc 系统联合信道均衡 rls 估计方法

[发明专利]NOR型内容可寻址存储器-CN201310724317.5有效
发明人：汪辉;施琛;章琦;田犁;方娜;汪宁;封松林 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：本发明提供一NOR型内容可寻址存储器，包括若干内核单元，所述内核单元又包括比较单元、读写单元和数据存储单元，其中，数据存储单元包括两个半浮栅晶体管，该半浮栅晶体管通过改变自身阈值电压存入数据位。本发明不但简化了现有技术中基于SRAM的内容可寻址存储器单元的结构复杂，而且实现了二元型内容可寻址存储器和三元型内容可寻址存储器之间的灵活切换。
nor 内容寻址存储器

[发明专利]每单元多比特存储装置-CN201410156241.5有效
发明人：汪辉;施琛;田犁;章琦;汪宁;方娜;封松林 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2014-04-18 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一每单元多比特存储装置，该装置包括：存储单元阵列、行地址译码模块、列地址译码模块、读写控制模块、多条第一字线和多条第一位线。本发明采用了具有内嵌隧穿场效应管的半浮栅晶体管作为存储单元进行数据存储，一方面利用隧穿二极管的带‑带隧穿特性可以实现较快速度的写操作，另一方面通过对晶体管阈值电压的分段控制，实现了每单元多比特的存储。
单元比特存储装置

[发明专利]NAND型内容可寻址存储器-CN201310724562.6有效
发明人：汪辉;施琛;田犁;章琦;汪宁;方娜;封松林 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：本发明提供一NAND型内容可寻址存储器，包括若干内核单元，所述内核单元又包括比较单元、读写单元和数据存储单元，其中，数据存储单元包括两个半浮栅晶体管，该半浮栅晶体管通过改变自身阈值电压存入数据位。本发明不但简化了现有技术中基于SRAM的内容可寻址存储器单元的结构复杂，而且实现了二元型内容可寻址存储器和三元型内容可寻址存储器之间的灵活切换。
nand 内容寻址存储器

[发明专利]一种OLED像素及应用该OLED像素的显示面板-CN201310204914.5有效
发明人：施琛;汪宁;汪辉;章琦;封松林 -专利权人：上海中科高等研究院
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供一种OLED像素及应用该OLED像素的显示面板，本发明的OLED像素包括三组亚像元组，每一亚像元组均包括共用一个驱动电路、发光波段为互补关系的第一亚像元和第二亚像元，且各该亚像元组中的第一亚像元的发光波段总和为白光波段。本发明利用光的衍射原理，采用白光OLED发光体、分光片和挡光板相结合的形式分别形成各该亚像元。本发明的六种亚像元由于均采用白光OLED发光体，因此避免了不同材料的老化程度问题带来的色彩失真；本发明由于增加了三种亚像元协同进行成像处理，从而提高了OLED像素的发光效率，降低功耗；又由于每一亚像元组中的两个亚像元共用驱动电路，进而提高本发明OLED显示面板的分辨率。
一种 oled 像素应用显示面板

[发明专利]带有绝缘埋层的图像传感器及其制作方法-CN201110229922.6有效
发明人：施琛;陈杰;汪辉;尚岩峰;汪宁;田犁 -专利权人：上海中科高等研究院
申请日： 2011-08-11 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种带有绝缘埋层的图像传感器，所述图像传感器形成于支撑衬底表面，所述图像传感器包括驱动电路区域和光学传感区域，驱动电路区域的支撑衬底中具有顶层半导体层，顶层半导体层通过绝缘埋层与支撑衬底隔离；驱动电路区域中的晶体管形成于顶层半导体层中，光学传感区域中的光学传感器件形成于支撑衬底中并通过绝缘隔离层与支撑衬底电学隔离，所述绝缘隔离层从侧面和底部环绕光学传感器件；所述驱动电路区域和光学传感区域彼此通过绝缘侧墙横向隔离。
带有绝缘图像传感器及其制作方法

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