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[发明专利]具有侧壁的基板、包括该基板的功率半导体模块-CN202280020404.X在审
发明人：张必薇;H·拜尔;M·马利基;D·特拉塞尔;M·路德维格 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2022-02-01 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/433 文献下载
摘要：提供了一种用于功率半导体模块的基板(10)，其中基板(10)包括一体形成的基体(1)。基体(1)具有前侧(1A)和后侧(1B)，其中前侧(1A)包括基板(10)的安装区域(1M)。沿着其边缘(1E)中的至少之一，基体(1)具有形成至少一个侧壁(11)的至少一个升高的整体部分，该至少一个侧壁以竖直高度(11H)突出超过安装区域(1M)。在安装区域(1M)的各区域处，基体(1)具有在前侧(1A)和后侧(1B)之间延伸的竖直厚度(1T)，其中竖直厚度(1T)大于侧壁(11)的竖直高度(11H)。而且，沿着所有边缘(1E)，基体(1)包括至少一个侧壁(11)或至少一个凹槽(12)，但不在同一边缘(1E)处包括侧壁(11)和凹槽(12)两者，其中沿着其边缘(1E)中的至少之一，基体(1)包括形成至少一个侧壁(11)的一个升高的整体部分。而且，提供了包括这种基板(10)的功率半导体模块(100)和用于生产这种基板(10)的方法。
具有侧壁包括功率半导体模块

[发明专利]一种IGBT模块及其制造工艺-CN202311013017.6在审
发明人：周洋;袁雄 -专利权人：合肥阿基米德电子科技有限公司
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/433 文献下载
摘要：本发明公开一种IGBT模块及其制造工艺，属于电力电子制造和封测技术领域，包括顺次连接的铜热沉、铜基板、BPSG绝缘层、铜层和芯片，铜热沉朝向铜基板的连接面设置有第一铜纳米毛刺，铜基板朝向铜热沉的连接面设置有第二铜纳米毛刺，第一铜纳米毛刺与第二铜纳米毛刺直插连接，铜热沉内设置有竖向分布的第一冷却流道，铜基板内设置有横向分布的第二冷却流道，第一冷却流道和第二冷却流道在铜基板与铜热沉连接后相通，冷却介质在第一冷却流道和第二冷却流道内流通。本发明利用第一铜纳米毛刺和第二铜纳米毛刺能够提高铜热沉和铜基板的连接紧密度，降低热阻，提高热传递效果，利用第一冷却流道和第二冷却流道能够实现靠近热源的散热，进一步提高散热效果。
一种 igbt 模块及其制造工艺

[发明专利]在集成电路（IC）封装中适应于电子设备高度的热结构-CN202280009546.6在审
发明人： A·帕蒂尔;卫洪博;B·严 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2022-02-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/433 文献下载
摘要：IC封装包括：在衬底的表面上的发热器件和电子器件、布置在电子器件上的模具化合物以及布置在发热器件上的热结构，而没有模具化合物，以改进散热。在一个示例中，热结构包括热界面材料(TIM)层和散热器。在该示例中，TIM层从发热器件延伸到等于或小于模具化合物的高度，并且散热器包括在发热器件和电子器件上方的平坦外表面。在一个示例中，散热器在发热器件上的第一散热器部分可以具有与散热器在电子器件上的第二散热器部分不同的厚度。热结构减小了发热器件与散热器之间的热阻。
集成电路 ic 封装适应电子设备高度结构

[发明专利]树脂密封型半导体装置-CN202310002432.5在审
发明人：石井隆一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L23/433 文献下载
摘要：本发明提供一种实现可靠性提高和寿命延长的树脂密封型半导体装置。本发明的树脂密封型半导体装置构成为：第二接合材料(41、42)具有比由焊料接合材料制成的第一接合材料(10)的熔点要高的熔点，功率模块(101)和冷却器(11)通过第一接合材料(10)接合的接合面中，一个接合面是铜板的另一个表面部，另一个接合面是冷却器(11)中的功率模块侧的表面部，冷却器(11)中的功率模块侧的表面部由铜或具有与铜的焊料润湿性同等以上的焊料润湿性的金属形成。
树脂密封半导体装置

[发明专利]半导体模块-CN202211080242.7在审
发明人：卢炯均;裵相友;裵真秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L23/433 文献下载
摘要：公开了一种半导体模块，所述半导体模块包括：模块基底，具有彼此相对的顶表面和底表面；多个半导体封装件，位于模块基底的顶表面上，并且在与模块基底的顶表面平行的第一方向上布置；以及夹式结构，位于模块基底的顶表面上，并且在第一方向上与所述多个半导体封装件间隔开。夹式结构包括：主体部，位于模块基底的顶表面上，并且在第一方向上与所述多个半导体封装件间隔开；以及连接部，从主体部跨越模块基底的侧表面延伸到模块基底的底表面上。
半导体模块

[发明专利]含有液态金属的电路板的封装结构、封装方法和电路板-CN202111070213.8有效
发明人：耿成都;蔡昌礼;杜旺丽;安健平;王建;唐会芳;吴仕选;杨振民 -专利权人：云南中宣液态金属科技有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L23/433 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有液态金属的电路板的封装结构、封装方法和电路板，其中，电路板封装结构包括：电路板，其上设置有至少一发热元件，以及分布于发热元件周围的电子元件；电子元件上设置绝缘层；发热元件的表面覆载有液体金属；散热装置，设置于电路板上，液体金属与散热装置接触，电子元件与散热装置之间的空隙填充有被压缩的泡绵材料，用于阻隔液体金属，其中，泡绵材料的孔隙中含有密封胶。本发明封装结构对电路中的液体金属具有优异的密封效果，封装方法简单易行，能够极大地简化了液体金属的封装工艺，提高了电路板封装的工业化生产作业效率。
含有液态金属电路板封装结构方法

[发明专利]半导体封装-CN202210790923.6在审
发明人：金贤根;赵允来;白承德 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L23/433 文献下载
摘要：提供了一种半导体封装，其包括：封装基板；中介层，安装在封装基板上；第一半导体芯片，安装在中介层上；多个第二半导体芯片，安装在中介层上以围绕第一半导体芯片的至少一部分；热辐射构件，布置在第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片上；以及热阻挡构件，从热辐射构件的一部分延伸并布置在第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片中的至少一个之间的第一空间以及所述多个第二半导体芯片中的至少两个之间的第二空间当中的至少一个空间中。
半导体封装

[发明专利]电子封装件和包括电子封装件的电子设备-CN202180031872.2在审
发明人：尤尔根·拉本;马里亚诺·埃尔科利 -专利权人：安普林荷兰有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L23/433 文献下载
摘要：本发明涉及电子封装件。本发明还涉及包括电子封装件的电子设备。根据本发明，一条或多条引线的端部基本位于半导体芯片的平面中。该平面平行于导热基板的底表面。根据本发明，导热基板包括在一条或多个引线下方的凹槽或切口。
电子封装包括电子设备

[实用新型]一种压力接触式封装的晶闸管-CN202222087847.0有效
发明人：王连来;卢德闯 -专利权人：广州市晶泰电子科技有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L23/433 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种压力接触式封装的晶闸管，包括高氧化铝陶瓷管壳，高氧化铝陶瓷管壳的顶部压合有上管壳，高氧化铝陶瓷管壳的底部压合有下管壳，下管壳与上管壳之间夹有自下向上依次叠置的下钼垫片、下软银箔、硅片、上软银箔和上钼垫片，高氧化铝陶瓷管壳与上管壳、下管壳之间形成的密闭空腔中填充有氮气。有益效果是：利用上软银箔和下软银箔消除表面的不平整度，并改善其热接触性能；上钼垫片和下钼垫片的线性热膨胀系数接近于硅，可以减小上管壳、下管壳与硅片之间的热应力，避免上管壳、下管壳与硅片之间产生空洞，减小晶闸管的阳极和阴极间的热阻；利用氮气对硅片进行保护，提高硅片的抗氧化性能、导热性能。
一种压力接触封装晶闸管

[发明专利]一种基于磁流体力学效应的芯片散热方法及其装置-CN202210808950.1在审
发明人：王军;黄护林 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L23/433 文献下载
摘要：本发明属于高热流密度的芯片散热领域，具体涉及一种基于磁流体力学效应的芯片散热方法及其装置。包括换热通道、液态金属、三棱锥肋群、高导热硅脂、发热芯片、磁铁组，所述换热通道由左右两侧导电壁和上下绝缘壁组成，所述换热通道的第二绝缘板外侧接触发热芯片，而内侧布置有小阻塞比的散热肋群，所述磁铁组为一对极性相反的磁铁，并分布于流道的左右两侧，通过该磁铁组提供可覆盖流域的均匀外磁场。本发明所提供的方法在利用液态金属高导热能力的同时，还可优化流动边界层的流型结构，显著提升壁面对流换热效率，可广泛应用于诸如高性能计算机、激光泵浦源等高热流密度的电子散热领域。
一种基于流体力学效应芯片散热方法及其装置

[发明专利]一体化集成的低温半导体芯片系统-CN202110545858.6有效
发明人：仇旻;刘东立;刘霄;齐利民;赵鼎 -专利权人：西湖大学
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L23/433 文献下载
摘要：本发明提供一体化集成的低温半导体芯片系统，包括半导体芯片以及对半导体芯片进行制冷的节流制冷芯片；半导体芯片一侧设有微流道；节流制冷芯片的蒸发段设有与微流道导通的工质进料槽和工质出料槽，且工质进料槽和工质出料槽之间不直接连通。本发明的一体化集成的低温半导体芯片系统，将节流制冷芯片的蒸发段与半导体芯片接触面改为敞口，为半导体芯片基底提供键合接口，使蒸发段与半导体芯片之间实现流道耦合，使流至蒸发段的低温工质与半导体芯片直接进行热交换，进而对半导体芯片进行制冷，消除了蒸发段侧壁导热热阻及黏结接触热阻，降低了冷量损失，实现了半导体芯片与节流制冷芯片的一体化。
一体化集成低温半导体芯片系统

[实用新型]压接芯片封装结构体-CN202221360582.0有效
发明人：张辉;李业;李松;王晓光 -专利权人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L23/433 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种压接芯片封装结构体，用于封装芯片，包括：底座，底座上设有承载芯片的凸台；软垫片，铺设于凸台上；底板，底板上设有与凸台对应的第一通孔，底板固定在底座上，凸台置于第一通孔内，使芯片凸出于第一通孔；压板，压板固定在底板上，将芯片压紧在软垫片上，并与芯片的接地区电连接。通过上述方式，本实用新型能够降低封装工作量，改善接地环境。
芯片封装结构

[发明专利]一种低流阻芯片嵌入式阵列微射流散热器及其制造方法-CN202010382883.2有效
发明人：杨小平;魏进家;冀昕宇;张永海;刘蕾 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L23/433 文献下载
摘要：一种低流阻芯片嵌入式阵列微射流散热器及其制造方法，以粘弹性流体为介质，包括键合密封的芯片衬底、隔板和供液底板。芯片衬底上设置有若干微槽和微柱；隔板上设置若干射流微孔和回流微孔；供液底板上设置有工质入口、分液区、若干供液微槽道、若干回液微槽道、集液区和工质出口。分液区与工质入口相连通，供液微槽道与分液区相连通，回液微槽道与集液区相连通，集液区与工质出口相连通。本发明的芯片级嵌入式微射流散热器将冷却液直接引导至芯片的芯片衬底之中，大幅降低了热源至流体的导热热阻；利用微孔射流冷却结构在流场中触发弹性湍流，实现低雷诺数下的微流体换热强化，从而大幅降低流动阻力，减小泵功消耗。
一种低流阻芯片嵌入式阵列射流散热器及其制造方法

[发明专利]基于弹性湍流的超低流阻微通道液冷换热器及其制造方法-CN202010383793.5有效
发明人：魏进家;杨小平;张永海;刘蕾;冀昕宇 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L23/433 文献下载
摘要：基于弹性湍流的超低流阻微通道液冷换热器及其制造方法，包括键合密封的散热底板和盖板；散热底板上设置有工质入口、若干周期性弯曲‑变截面的微槽道以及工质入口；工质入口设置在散热底板一端，工质出口设置在散热底板的另一端，分液区与工质入口相连通，周期性弯曲‑变截面的微槽道一端与分液区相连通，另一端与集液区相连通。本发明利用周期性弯曲‑变截面组合微通道结构与粘弹性流体产生协同作用，能够在低Re数的微槽道内产生明显的弹性湍流效应，从而显著强化低Re数下的换热系数。本发明不用增加扰流微柱及通过提高流速来形成湍流，因而在相同的换热条件下，能够大幅降低微通道换热器的流动压降和泵功消耗。
基于弹性湍流超低流阻微通道换热器及其制造方法

[实用新型]一种冷却装置-CN202122191648.X有效
发明人：肖齐;李先锋;廖小森 -专利权人：浙江吉利控股集团有限公司;威睿电动汽车技术（宁波）有限公司
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L23/433 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种冷却装置，属于水冷装置领域。该冷却装置包括基板，基板中设有凹陷的水冷槽，水冷槽内流通有冷却液，水冷槽的上方覆盖有与冷却液接触的发热原件，以通过冷却液对发热原件进行散热；此外，基板还设有多个第一水阻柱，布置于水冷槽的中部；以及多个第二水阻柱，布置于水冷槽内且位于多个第一水阻柱的两侧，其中，多个第一水阻柱之间的间隙大于多个第二水阻柱之间的间隙。本实用新型通过设置不同类型的水阻柱以及不同类型的柱间间隙，有效的解决了现有技术中散热装置水阻大，水道间隙小，散热效果不理想等问题。
一种冷却装置

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