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[发明专利]四路多尔蒂放大器及移动通信基站-CN201710642041.4有效
发明人：蒋小川 -专利权人： 安普林荷兰有限公司
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种四路多尔蒂放大器。本发明还涉及一种移动通信基站。本发明提出了一种新的多尔蒂组合器拓扑结构，该多尔蒂组合器拓扑结构使得能够在比传统的多尔蒂组合器的回退电平更深的回退电平下达到峰值效率。
四路多尔蒂放大器移动通信基站

[发明专利]RF功率放大器-CN202310266990.2在审
发明人：赵俊雷;诸毅;拉金勒帕赛德·加亚德哈森 -专利权人： 安普林荷兰有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H03F3/195 文献下载
摘要：本发明涉及一种射频RF功率放大器以及包括RF功率放大器的RF功率放大器系统。本发明还涉及一种多尔蒂放大器，在该多尔蒂放大器中，该RF功率放大器用作主放大器和/或峰值放大器。根据本发明，RF功率放大器的场效应晶体管包括至少一个辅助栅极接合盘组件，辅助栅极接合盘组件与多个栅极指状部间隔开，其中每个辅助栅极接合盘组件被布置成相比于栅极接合盘组件更靠近漏极接合盘组件，并且其中，每个辅助栅极接合盘组件电连接到栅极接合盘组件。每个辅助栅极接合盘组件被连接到使用RF接地接合线形成的分流感应器，用于至少部分地补偿与场效应晶体管的栅极‑漏极电容相关联的不利影响，从而提高RF功率放大器的稳定性。
rf 功率放大器

[发明专利]多尔蒂放大器-CN202310185442.7在审
发明人：耿知;诸毅 -专利权人： 安普林荷兰有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种多尔蒂放大器。本发明还涉及能够用在该放大器中的经封装的放大器。本发明提出使用形成在单个输出引线中的槽，该槽与包括在单个封装中的两个峰值功率晶体管相关联。该槽抑制双峰值功率晶体管解决方案中常见的推挽型振荡。
多尔蒂放大器

[发明专利]电子封装及包括该电子封装的设备-CN202180085333.7在审
发明人：阿提夫·奥努卡里;乔治·曼纽尔·索尔思·特谢拉 -专利权人： 安普林荷兰有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子封装。本发明特别涉及射频“RF”封装。本发明还涉及一种包括这种封装的电子设备。根据本发明的电子封装被构造成以倒置的方式布置在电子设备的印刷电路板上。本发明的电子封装中的封装端子被布置在由固化模制复合物构成的主体上，而不是被布置在印刷电路板上。与封装端子的连接使用嵌入接合引线来获得。
电子封装包括设备

[发明专利]封装式射频功率放大器-CN201811519727.5有效
发明人：罗伯·马蒂兹·赫里斯;弗雷尔克·范瑞哲 -专利权人： 安普林荷兰有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H03F3/19 文献下载
摘要：本发明涉及封装式射频RF功率放大器。本发明还涉及用于该功率放大器中的半导体芯片，以及包括该半导体芯片和/或功率放大器的电子设备或电子系统。根据本发明，半导体芯片包括与第一漏极接合组件间隔开设置并且电连接至第一漏极接合组件的第二漏极接合组件。其中，相比于第一漏极接合组件，第二漏极接合组件更靠近半导体芯片的输入侧。RF功率放大器包括在第一漏极接合组件与输出引线之间延伸的第一组多个接合线以及从第二漏极接合组件延伸至接地电容器的第一端的第二组多个接合线。
封装射频功率放大器

[发明专利]射频功率放大器系统-CN201880056355.9有效
发明人：帕特里克·瓦克 -专利权人： 安普林荷兰有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H03G3/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于放大射频(RF)信号的射频功率放大器系统。本发明还涉及一种包括这种射频功率放大器系统的电信基站和固态烹饪装置，以及一种用于放大射频信号的方法。本发明提出根据实际大信号增益与期望大信号增益之间的比较来调节功率放大器输出的功率。
射频功率放大器系统

[发明专利]具有高功率密度的封装射频功率放大器-CN201780052046.X有效
发明人：约翰内斯·A·M·德波特;诸毅;尤里·沃洛凯恩;维特里奥·库柯;阿尔贝图斯·G·W·P·范佐耶伦;约尔丹·康斯坦丁诺夫·斯蒂什塔洛夫;约瑟夫斯·H·B·范德赞登 -专利权人： 安普林荷兰有限公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H03F3/195 文献下载
摘要：本发明涉及一种封装射频功率放大器。本发明还涉及一种包括该封装射频功率放大器的用于移动通信的蜂窝基站。根据本发明的封装RF功率放大器包括被耦接到射频功率晶体管的输出端的输出网络，其中，该输出网络包括在晶体管的输出端和封装的输出引线之间沿第一方向延伸的多个第一键合线、在射频功率晶体管的输出端和地之间串联连接的第二电感器和第一电容器、以及串联连接在地与第二电感器和第一电容器之间的结点之间的第三电感器和第二电容器。根据本发明，第一和第二电容器被集成在单个无源管芯上，并且第三电感器包括串联连接的第一部件和第二部件，其中，第一部件至少部分地沿第一方向延伸，并且第二部件至少部分地沿与第一方向相反的方向延伸。替代地，第三电感器基本上垂直于第一方向延伸。
具有功率密度封装射频功率放大器

[发明专利]功率放大器-CN202111350252.3在审
发明人：蒋小川;夏言;张兵辉 -专利权人： 安普林荷兰有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率放大器。本发明特别涉及可在0.5GHz至40GHz之间的频率范围内工作的开关式功率放大器，该放大器被配置为输出1W至1kW范围内的功率。本发明还涉及用于这种功率放大器的阻抗匹配级。本发明的阻抗匹配级包括位于其输入的短路短截线，位于其输出的开路短截线，以及连接输入和输出的串联支路。通过选择合适的短截线和串联支路的特征阻抗和电气长度，可以独立地选择在基波和二次谐波频率下呈现给功率晶体管的阻抗。
功率放大器

[发明专利]功率放大器和包括功率放大器的多尔蒂放大器-CN202211231096.3在审
发明人：耿知;诸毅 -专利权人： 安普林荷兰有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明涉及功率放大器和包括功率放大器的多尔蒂放大器。本发明尤其涉及在射频RF频率处运行的氮化镓GaN功率放大器。根据本发明，功率放大器包括：一个或多个RF输出端子；氮化镓GaN半导体裸片，在GaN半导体裸片上集成有功率场效应晶体管FET，其中，FET包括相邻地成行排列的多个FET单元，其中，FET单元通过相应的第一电感器直接或间接地连接到一个或多个RF输出端子。根据本发明，布置在FET单元的行的相对端的FET单元的总FET单元栅极宽度大于布置在FET单元的行的中部的一个或多个FET单元的总FET单元栅极宽度，以及布置在FET单元的行的相对端的FET单元的第一电感器的电感小于布置在FET单元的行的中部的一个或多个FET单元的第一电感器的电感。
功率放大器包括多尔蒂放大器

[发明专利]改善欧姆接触电阻的基于GaN的高电子迁移率晶体管-CN202111082909.2在审
发明人：张安邦 -专利权人： 安普林荷兰有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：公开了改善欧姆接触电阻的基于GaN的高电子迁移率晶体管。本发明涉及一种基于氮化镓GaN的高电子迁移率晶体管HEMT及其制造方法。本发明还涉及一种包括这种HEMT的放大器。根据本发明，HEMT包括在漏极和/或源极触点下方延伸的至少一个区域。至少一个区域至少部分延伸穿过AlxGa(1‑x)N阻挡层，并显示出具有相对高的掺杂浓度的第一区域和具有相对低的掺杂浓度的第二区域的交替排列。
改善欧姆接触电阻基于 gan 电子迁移率晶体管

[发明专利]用于RF功率放大器封装件的集成无源器件-CN201710601968.3有效
发明人：约翰内斯·A·M·德波特;弗雷尔克·范瑞哲;约尔丹·康斯坦丁诺夫·斯蒂什塔洛夫 -专利权人： 安普林荷兰有限公司
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：公开了一种用于RF功率放大器封装件的集成无源器件。本发明涉及一种射频(RF)功率晶体管封装件。本发明还涉及一种包括这种RF功率晶体管封装件的移动电信基站，并且涉及一种适用于RF功率放大器封装件的集成无源管芯。根据本发明，使用了封装件内阻抗网络，该阻抗网络连接至布置在封装件内部的RF功率晶体管的输出端。该网络包括：第一电感元件，具有第一端子和第二端子，该第一端子电连接至RF晶体管的输出端；谐振单元，电连接至第一电感元件的第二端子；以及第二电容元件，电连接在谐振单元和地之间。根据本发明，第一电容元件与第二电容元件串联布置。
用于 rf 功率放大器封装集成无源器件

[发明专利]放大设备以及包括该放大设备的放大系统-CN202010181500.5有效
发明人：阿卜杜勒·拉希姆·库雷希;塞尔吉奥·卡洛斯·达康塞考·皮耶斯 -专利权人： 安普林荷兰有限公司
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H04B1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种放大设备以及包括该放大设备的放大系统。本发明提出了一种由四个放大单元组成的放大器列阵，该放大器阵列可工作于Doherty模式和异相模式。通过在放大单元中使用的匹配网络中集成Chireix补偿元件，可以获得带宽改善。
放大设备以及包括系统

[发明专利]电子封装件和包括电子封装件的电子设备-CN202180031872.2在审
发明人：尤尔根·拉本;马里亚诺·埃尔科利 -专利权人： 安普林荷兰有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L23/433 文献下载
摘要：本发明涉及电子封装件。本发明还涉及包括电子封装件的电子设备。根据本发明，一条或多条引线的端部基本位于半导体芯片的平面中。该平面平行于导热基板的底表面。根据本发明，导热基板包括在一条或多个引线下方的凹槽或切口。
电子封装包括电子设备

[发明专利]具有改进的稳定性的放大器-CN202080044572.3有效
发明人：诸毅;约瑟夫斯·H·B·范德赞登;罗伯·马蒂兹·赫里斯 -专利权人： 安普林荷兰有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种放大器。本申请还涉及一种包括该放大器的电子设备。本申请特别涉及射频RF放大器。例如，放大器的工作频率可以在100MHz和40GHz之间的范围内。根据本发明，两级或多级输入匹配网络与耦接到输入匹配网络的多个电容器的非接地端子的接合线附接结构的特定布置一起使用。通过这种布置，可以减少与这些接合线组件相关联的电磁耦合对RF性能的影响。
具有改进稳定性放大器

[发明专利]半导体设备及其制造方法-CN202110395444.X在审
发明人：张安邦 -专利权人： 安普林荷兰有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：公开了半导体设备及其制造方法。本发明涉及一种基于氮极性GaN的高电子迁移率晶体管HEMT。本发明还涉及一种制造这种HEMT的方法。根据本发明，基于氮极性GaN的HEMT包括：设置在缓冲层上的AlGaN背势垒、设置在缓冲层上的沟道层、设置在沟道层上的AlGaN帽层、以及设置在AlGaN帽层上的第二GaN层。根据本发明，沟道层包括第一GaN层和AlGaN沟道层，其中，AlGaN沟道层设置在第一GaN层和AlGaN背势垒之间。此外，肖特基接触设置在第一GaN层上。
半导体设备及其制造方法

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