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[发明专利]一种Si-LaB6-CN202010588684.7有效
发明人：王小菊;姚旭日;祁康成;曹贵川;查林宏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明属于阴极场发射技术领域，特别涉及一种Si‑LaB6复合型纳米场发射阵列阴极及其制备方法。由本发明提供的制备方法制备得到的Si‑LaB6复合型纳米场发射阵列阴极，阵列密度为2.49×107～2.52×107units/cm2。本发明提供的Si‑LaB6复合型纳米场发射阵列阴极中纳米阵列密度达到107～109量级，有利于提高场发射电流密度。实施例测试结果表明，本发明提供的Si‑LaB6复合型纳米场发射阵列阴极的纳米阵列密度达到10的7次方量级，发射电流密度达到106～113mA/cm2，阈值场为7.6～8.9V/μm，开启场为2.4～3.8V/μm，具有优异的场致发射性能。
一种 si lab base sub

[发明专利]一种直热式耐电子轰击阴极的制备方法-CN201810710970.9有效
发明人：漆世锴 -专利权人：九江学院
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：一种直热式耐电子轰击阴极的制备方法，其方法包括：将金属钨粉和Y2O3‑Gd2O3‑HfO2/ZrO2(Y‑Gd‑Hf/Zr‑O)活性物质粉末混合，得到均匀混合的含Y‑Gd‑Hf/Zr‑O活性物质粉末；将所述含活性物质粉末与(1.5～3)wt%硝棉溶液均匀混合，将混合溶液施加于钨丝阴极基底表面，烘烤；将表面施加了含活性物质粉末后的钨丝放入高温氢气炉中，在1500±50℃下保温3～10分钟，制备得到直热式耐电子轰击阴极。本发明的直热式耐电子轰击阴极具有较好的耐电子轰击能力，且该阴极能够提高磁控管用纯钨丝阴极的发射电流密度，降低纯钨丝阴极的工作温度及表面蒸发率，从而延长阴极及磁控管的寿命。
一种直热式耐电子轰击阴极制备方法

[发明专利]一种真空管连接设备-CN202110021364.8在审
发明人：刘辉河 -专利权人：广州轩碧装饰材料有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空管连接设备，其结构包括电机、连接槽、进管口、底座，电机下端铆合连接于连接槽侧端，连接槽活动卡合于进管口后侧，进管口位于底座侧方位置，连接槽活动卡合于底座内侧中心位置；进管口由外框、镶嵌轴、挤压机构、外延板组成，外框设在镶嵌轴后侧，镶嵌轴螺栓连接于外延板左右两侧，挤压机构活动卡合于外延板中心位置，在拼接过程中通过转盘转动从而控制连接于外侧的延伸装置一起转动，在转动的同时顶出板内的活动杆在滑槽内滑动，进而带动滑动内板贴合于连接端口处来回缩放，进而有利于增加其端口处的贴合度，将端口连接处由于形状不平整所出现的连接缝隙磨平，促使其连接得更加紧密。
一种真空管连接设备

[发明专利]发射针形成方法、发射针、电子源及电子显微镜-CN202110323708.0在审
发明人：郝占海;蔡素枝;陆梁 -专利权人：大束科技（北京）有限责任公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种发射针形成方法、发射针、电子源及电子显微镜，涉及电子显微镜技术领域，发射针形成方法包括将直径为0.1‑0.5mm的柱形体的部分置入电化学腐蚀液中，向电化学腐蚀液中通入第一电流，柱形体与电化学腐蚀液发生电化学腐蚀，直至柱形体靠近电化学腐蚀液液面的位置断开形成上下两段；将上段柱形体的断开处置入电化学腐蚀液的液面以下，向电化学腐蚀液通入第二电流，第一电流的强度大于第二电流的强度，上段柱形体的断开处与带电流的电化学腐蚀液n次接触，n为大于或等于0的正整数，直至断开处的端面形成半径大小为0.1‑0.3um的圆滑表面。如此设置，将存在凹凸不平处和微裂纹的部分腐蚀掉，形成圆滑表面，电子发射过程会更加均匀和稳定。
发射形成方法电子电子显微镜

[发明专利]一种单根一维纳米结构场发射冷阴极的制作方法-CN202010241224.7有效
发明人：邓少芝;赵鹏;张宇 -专利权人：中山大学
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单根一维纳米结构场发射冷阴极的制作方法，该制作方法利用纳米结构体局部自加热效应在微纳导电基体上熔接生长在导电衬底上的单根一维纳米结构，以形成欧姆接触接合；利用金属探针以电熔断方式截取单根一维纳米结构，使得单根一维纳米结构与导电衬底脱离，形成基于微纳导电基体的单根一维纳米结构冷阴极。本发明所述的制作方法简单且具有通用性，可基于不同类型的一维纳米材料在不同材质、不同形状的微纳导电基体上制作单根一维纳米结构冷阴极。这种单根一维纳米结构冷阴极应用于高亮度、相干电子源，在电子束光刻、电子显微镜、科学研究装置等中有着重要应用。
一种单根一维纳米结构发射阴极制作方法

[发明专利]一种阴极制备自动装置自动控制方法-CN202110061928.0在审
发明人：陈伟;许军;周庆宏;邓海顺 -专利权人：安徽理工大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明专利为一种阴极制备自动装置自动控制方法，所述的控制方法包括：若按下控制台上的自动开按钮，加温开启，若温度达到设定值，加温停止，若温度低于下限，加温开启；同时，按加工工艺要求，依次开启和关闭相关的各个电动阀门和泵的开启与关闭，具有对阴极制备自动装置进行完善的监控和保护功能，其操作简便、功能齐全、性能可靠。
一种阴极制备自动装置自动控制方法

[发明专利]一种阴极制备自动装置显控系统-CN202110063477.4在审
发明人：陈伟;周庆宏;许军;邓海顺;马天兵 -专利权人：安徽理工大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明专利为一种阴极制备自动装置显控系统，由工控机和PLC组成，显控装置上包括机械泵、分子泵、离子泵、钛升华泵、各种电动阀门、阴极、阳极、阴极升降机构、数字式位移传感器、数字式真空度传感器、数字式温度传感器；“加工温度设定”、“加工间距设定”和“加工时间设定”的数值输入框。具有阴极制备自动装置完善的监控功能，其操作简便、功能齐全、性能可靠。
一种阴极制备自动装置系统

[实用新型]一种射线管阴极高温真空除气装置-CN202022209397.9有效
发明人：栗彦永;申战卫 -专利权人：郑州合贝金电子有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种射线管阴极高温真空除气装置，包括工作台，所述工作台上设有升降装置和电热辅助装置，工作台上设有移动装置，且移动装置具有可在工作台移动的物料盘，物料盘内设有阴极工件，电热辅助装置具有套设于阴极工件上的电热线圈。本实用新型的有益效果是：通过设置移动装置，能使滑块、物料盘和阴极工件左右移动，且在升降装置的配合作用下，达到使线圈升降且对待加热的工件自动化移动至电热线圈正下方，且使加热除气后的阴极工件移动至外部的目的，使该装置的自动化程度显著提高。
一种射线阴极高温真空装置

[发明专利]GaN微米棒阵列/石墨烯场发射阴极复合材料制备方法-CN201910027299.2有效
发明人：崔真;王霞;赵娜娜;李恩玲;王少强 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN微米棒阵列/石墨烯场发射阴极复合材料制备方法，具体步骤如下：步骤1，对硅衬底镀铂薄膜，然后将镀过铂薄膜的硅衬底进行退火处理，退火结束后自然冷却到室温，得到衬底A；步骤2，将步骤1得到的衬底A与反应源一起进行热处理，衬底A与反应源之间保持一定距离，反应完成后自然冷却到室温，得到衬底B；步骤3，将步骤2得到的衬底B进行热处理，反应完成后自然降温至室温，即得GaN微米棒阵列/石墨烯场发射阴极复合材料。通过该方法制备得到的GaN微米棒阵列/石墨烯场发射阴极复合材料具有优良的场发射特性。
gan 微米阵列石墨发射阴极复合材料制备方法

[发明专利]一种生长在碳布上的富银硒化银柔性场发射阴极材料的制备方法和应用-CN201910232341.4有效
发明人：李羚玮;侯鑫;薛绍林 -专利权人：东华大学
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长在碳布上的富银硒化银纳米材料的制备方法和其在场发射阴极材料中的应用。所述制备方法为：将含有银源和硒源的混合溶液倒入装有碳纤维布的聚四氟乙烯作内衬的高压反应釜中，然后进行密闭，放入反应炉里进行加热反应，得到富银硒化银纳米材料；所述含有银源和硒源的混合溶液的制备方法为：将硝酸银粉末和相同物质的量的十六烷基三甲基溴化铵溶于去离子水中，再加入硒粉、乙二醇，混合均匀，向其中加入氨水，搅拌均匀，得到含有银源和硒源的混合溶液。本发明合成的生长在碳布上的富银硒化银纳米材料具备优异的场发射性能，能作为场发射阴极材料用于半导体器件。
一种生长碳布上富银硒化银柔性发射阴极材料制备方法应用

[发明专利]电子发射元件及其制造方法以及电子元件的制造方法-CN201811050597.5有效
发明人：中松健一郎;林秀和;田口登喜生;岩松正;新川幸治;高崎舞;金子俊博;新纳厚志 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能使现有的电子发射元件实现特性提升及/或寿命增长且具有新颖构造的电子发射元件及其制造方法。电子发射元件的制造方法包含：步骤A，准备铝基板(12)或由基板支承的铝层；步骤B，通过使铝基板的表面(12s)或铝层的表面阳极氧化，而形成具有多个细孔(34)的多孔氧化铝层(32)；步骤C，通过向多个细孔内赋予银纳米粒子(42n)，而使多个细孔内承载银纳米粒子；步骤D，在步骤C之后，对铝基板或铝层的实质整个表面，赋予绝缘层形成溶液(36)；步骤E，在步骤D之后，通过至少减少绝缘层形成溶液中所含的溶剂而形成绝缘层(37)；及步骤F，在绝缘层上形成电极(52)。
电子发射元件及其制造方法以及电子元件

[发明专利]场发射体的制备方法-CN201811298852.8有效
发明人：魏洋;王广;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种场发射体的制备方法，包括提供一位于一基体上的碳纳米管阵列以及一阴极基底，该碳纳米管阵列中的碳纳米管包括与基体接触的根部以及与相对远离基体的顶部，该阴极基底包括一基底主体及一形成在该基底主体上的粘结剂层；将所述碳纳米管阵列压制成一碳纳米管纸；将所述阴极基底放置在所述碳纳米管纸上；剥离所述阴极基底，使所述碳纳米管纸中的至少部分碳纳米管与所述基体分离并竖直粘结在所述粘结剂层上；以及固化该粘结剂层。
发射制备方法

[发明专利]磁控管阴极组件的投影校准工艺及投影校准工装-CN202011269133.0在审
发明人：卢锦平;邓武楷 -专利权人：广东格兰仕微波炉电器制造有限公司;广东格兰仕微波生活电器制造有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供了磁控管阴极组件的投影校准工艺及投影校准工装，投影校准工装包括基座、工作台、光源部、投影屏，工作台包括套接部、透光部，套接部用于套接阴极组件的待校准件，投影校准工装还包括用于将待校准件投影至投影屏上的反光镜组，反光镜组的物镜放大倍数为N，其中N1；投影校准工艺包括对灯丝组件的投影校准：把灯丝组件放入磁控管阴极组件的投影校准工装中转动，以投影校准工装投影屏上的标准工件图纸为参照，对下端帽、上端帽、灯丝在灯丝组件中的位置关系进行校准调整。通过本发明的投影校准工艺及投影校准工装，有效保证与满足了长引线、下端帽、灯丝、上端帽等零件对装配精度上的苛刻要求，进而保证阴极组件和阳极组件间的同心度。
磁控管阴极组件投影校准工艺工装

[实用新型]一种新型钨丝上料装置-CN202021056685.9有效
发明人：徐飞扬 -专利权人：江阴市飞扬器械有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型钨丝上料装置，包括活动送丝架、固定放丝架、钨丝、辅助送丝架、旋转电磁铁、限位挡板、送料漏斗、输送通道、气缸和偏心凸轮，所述活动送丝架内设置固定放丝架，在活动送丝架顶部两侧均匀等距的开设若干第一放丝槽，在固定放丝架顶部两侧均匀等距的开设若干第二放丝槽，所述第一放丝槽和第二放丝槽在同一中心线上，在第二放丝槽内依次设置若干钨丝，所述固定放丝架左侧上方设置辅助送丝架，在辅助送丝架一侧旁均匀等距的设置若干旋转电磁铁，本实用新型结构简单，无需人工操作将钨丝放置于钼丝上，提高其工作效率，且放丝位置准确，便于后续加工，提高灯丝的加工质量，降低报废率和成本。
一种新型钨丝装置

[发明专利]一种直热式高温钨铼合金阴极的制备方法-CN201810710971.3有效
发明人：漆世锴 -专利权人：九江学院
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：一种直热式高温钨铼合金阴极的制备方法，该方法步骤包括：将金属钨粉和铼粉混合，得到均匀混合的钨铼合金粉末；将所述钨铼合金粉末与1.5～3wt%硝棉溶液均匀混合，将混合溶液施加于钨丝阴极基底表面，烘烤；将表面施加了钨铼合金粉后的钨丝放入高温氢气炉中，在1500±50℃下保温5～10分钟，制备得到钨铼合金层；然后，将表面烧结了钨铼合金层的钨丝置于气压为10‑3～10‑1Pa的苯气氛中，在钨丝温度为2000～2400K下进行高温化学反应，反应时间为0.5～2分钟，即制备得到直热式高温钨铼合金阴极。本发明的直热式高温钨铼合金阴极能够提高磁控管用纯钨丝阴极的发射电流密度，降低纯钨丝阴极的工作温度及表面蒸发率，从而延长阴极及磁控管的寿命。
一种直热式高温合金阴极制备方法