专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于纳米空气沟道二极管的混频及倍频源-CN202310017314.1在审
  • 李沫;黄瑞涵;张健;陈飞良;赵海全;魏亚洲 - 电子科技大学
  • 2023-01-06 - 2023-04-25 - H03B19/05
  • 本发明涉及微波、毫米波、太赫兹波技术领域,具体涉及基于纳米空气沟道二极管的混频及倍频源。本发明是利用纳米空气沟道二极管作为非线性器件实现混频及倍频功能,使混频/倍频源具有了低损耗、高频率、高效率、高功率等优点。由于纳米空气沟道二极管的电子在空气沟道中稳定性好,电子输运不受材料的影响,因此其温度稳定性好、抗辐射性能优异,使得基于该器件提的混频/倍频源能在严苛环境工作。解决了传统晶体管载流子在固态沟道中输运时由于散射、载流子复合等引起的损耗以及饱和迁移率等问题,能显著降低损耗并提高工作频率和工作效率,具有极强的应用价值。
  • 基于纳米空气沟道二极管混频倍频
  • [发明专利]一种桥式结构空气沟道二极管及其制备方法-CN202310017315.6在审
  • 李沫;黄瑞涵;张健;陈飞良;赵海全;魏亚洲 - 电子科技大学
  • 2023-01-06 - 2023-03-24 - H01L29/861
  • 本发明涉及半导体技术与微纳真空电子技术领域,具体为一种桥式结构空气沟道二极管及其制备方法。包括衬底以及设置在衬底上表面的第一金属层、第二金属层和电极结构;所述电极结构位于第一金属层和第二金属层之间;包括下电极和桥式上电极;桥式上电极采用能够在外加电压下发生弹性形变的导电材料制成,同轴套设于下电极外,并与下电极之间留有空隙以形成空气沟道。该二极管具有阈值电压低、无绝缘介质支撑、电极重合面积小、极间电容低、空气沟道尺寸可动态调谐等优点,其制备过程不依赖高昂纳米加工设备、可以批量制备的垂直结构纳米空气沟道二极管的制备方法。
  • 一种结构空气沟道二极管及其制备方法

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