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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于存储器处理控制的方法和装置-CN202211348310.3在审
发明人：朴炫宣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：提供用于存储器处理控制的方法和装置。存储器功率控制命令可从主机被接收并且可包括第一功率控制命令或第二功率控制命令。第一功率控制命令可对应于主机不使用存储器装置，并且第二功率控制命令可对应于主机使用存储器装置。可基于存储器功率控制命令和存储器处理器激活信息来确定是否激活存储器处理器。当存储器处理器基于所述确定而被激活时，可基于第一功率控制命令开始存储器处理器的操作或基于第二功率控制命令结束存储器处理器的操作。当存储器处理器基于所述确定而被去激活时，可基于存储器功率控制命令来确定是激活还是去激活存储器。
用于存储器处理控制方法装置

[发明专利]反熔丝读出电路、反熔丝存储器以及测试方法-CN202111602087.6在审
发明人：季汝敏 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种反熔丝读出电路、反熔丝存储器以及测试方法，反熔丝读出电路，包括：锁存模块，锁存模块用于锁存从反熔丝存储阵列中读出的数据；传输模块，传输模块与锁存模块的输出端连接，被配置为，响应于读测试命令，将锁存模块中锁存的数据传输至数据端口。本公开实施例有利于改善对反熔丝可编程器件存储的数据进行测试时，测试结果的真实性。
反熔丝读出电路存储器以及测试方法

[发明专利]用于从非易失性存储器设备快速安全引导的方法以及对应的系统和设备-CN202180067208.3在审
发明人：中田大辅;冈田伸介 -专利权人：英飞凌科技有限责任公司
申请日： 2021-10-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种方法可以包括在非易失性存储器(NVM)设备中存储可由主机设备执行的主机代码和可由NVM设备执行的NVM代码。NVM设备可以响应于预定条件来验证NVM代码的完整性，并生成用于验证NVM代码的代码完整性值。代码完整性值具有与主机代码的大小无关的大小。可以向主机设备发送认证码，该认证码使用至少代码完整性值来被生成。响应于来自主机设备的读取请求，返回主机代码的至少部分以由主机设备执行。还公开了对应的设备和系统。
用于非易失性存储器设备快速安全引导方法以及对应系统

[发明专利]一种信号采样电路和存储器-CN202310210367.5有效
发明人：马鹏 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种信号采样电路和存储器，该信号采样电路从外部接收数据信号和选通时钟信号，对数据信号进行放大和延时以输出中间数据信号，对选通时钟信号进行分频及延时处理以输出若干个采样时钟信号，最后通过采样模块利用若干个采样时钟信号对中间数据信号进行采样处理，输出若干个目标数据信号。
一种信号采样电路存储器

[发明专利]记忆体装置-CN202110280084.9有效
发明人：吴瑞仁;砂永登志男;蔡修群 -专利权人：北京时代全芯存储技术股份有限公司
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种记忆体装置，包含记忆体组以及控制电路。记忆体组包含多个记忆体库。控制电路耦接于记忆体组，并包含三态逻辑致能电路以及地址解码电路。三态逻辑致能电路用以暂存多个暂存地址信号，依据同步信号以输出多个暂存地址信号，且解码多个暂存地址信号以产生致能信号，并传送致能信号至多个记忆体库中的一者。地址解码电路用以解码多个暂存地址信号以驱动多个记忆体库中的一者。
记忆体装置

[发明专利]非易失性静态随机存取存储器系统及操作方法-CN201710381689.0有效
发明人：阿尼尔班·罗伊;乔恩·斯科特·乔伊;迈克尔·A·塞德 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)装置包含静态随机存取存储器(SRAM)阵列以及电阻式存储器(电阻式存储器)阵列。所述电阻式存储器阵列中的第一组可编程电阻性元件用以存储来自所述SRAM阵列中的存储器单元的数据。读出放大器电路可耦合到所述SRAM阵列和所述电阻式存储器阵列。仲裁器被配置成断言电阻式存储器启用信号，以在电阻式存储器读取操作期间将所述读出放大器电路耦合到所述电阻式存储器阵列且将所述读出放大器电路从所述SRAM阵列去耦，以及在SRAM读取操作期间将所述读出放大器耦合到所述SRAM阵列且将所述读出放大器电路从所述电阻式存储器阵列去耦。
非易失性静态随机存取存储器系统操作方法

[发明专利]缓冲电路以及包括缓冲电路的半导体装置和系统-CN201811568003.X有效
发明人：黄奎栋;权大汉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种缓冲电路以及包括缓冲电路的半导体装置和系统。缓冲电路包括：第一信号输入/输出单元，其响应于输入信号来产生取反输出信号，第二信号输入/输出单元，其响应于取反输入信号来产生输出信号，以及连接单元，其响应于控制信号来将第一信号输入/输出单元的输出节点与第二信号输入/输出单元的电流吸收节点彼此电连接和彼此电断开，并且响应于控制信号来将第一信号输入/输出单元的电流吸收节点与第二信号输入/输出单元的输出节点彼此电连接和彼此电断开。
缓冲电路以及包括半导体装置系统

[发明专利]存储系统以及存储系统的数据写入方法-CN202111531858.7在审
发明人：冀康灵 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种存储系统以及存储系统的数据写入方法，存储系统包括：存储系统被配置为，响应于写复制使能信号以进入写复制模式，且在写复制模式期间，若从数据端口输出的多组数据中至少两组数据相同，则将至少两组数据定义为相同组，产生用于表征数据复制的标识信号，并传输相同组中的一组数据至存储阵列的接口，且禁用相同组中的其余组数据对应的数据端口与存储阵列的接口之间的传输路径，存储阵列响应于写复制使能信号以及标识信号，将相同组中的一组数据复制到相同组中的其余组数据对应的存储阵列的接口。本公开实施例至少有利于节省数据写入时的功耗。
存储系统以及数据写入方法

[发明专利]校准电路和包括校准电路的半导体装置-CN202211557245.5在审
发明人：白济赫;权旲炫;权慧贞;安东建;李大雄 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：公开了校准电路和包括校准电路的半导体装置。所述校准电路包括均连接到第一电源节点的第一上拉单元、第二上拉单元和第三上拉单元以及均连接到第二电源节点的第一下拉单元和第二下拉单元。第一码生成器被配置为：通过将垫的电压与参考电压进行比较来生成第一码，第一上拉单元在所述垫处连接到外部电阻器；并且第二码生成器被配置为：通过将第一中间节点的电压与参考电压进行比较来生成第二码，并将第二码输出到第一下拉单元和第二下拉单元。第三码生成器被配置为：通过将第二下拉单元与第三上拉单元之间的第二中间节点的电压与参考电压进行比较来生成第三码。
校准电路包括半导体装置

[发明专利]一种与移动设备交互的有屏蓝牙移动存储器及存储方法-CN202210865819.9有效
发明人：黄熙钰 -专利权人：润芯微科技（江苏）有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种与移动设备交互的有屏蓝牙移动存储器及存储方法，属于移动存储技术领域，包括:壳体；存储介质，用于存储信息并设置于壳体内；电路板；与存储介质相连接；交互设备，用于接收输入信号，并将输入信号发送给电路板；电池，设置于壳体内，并与电路板相连接；其中，所述电路板设置有通讯模块，所述通讯模块包括蓝牙模块；所述交互设备嵌入于壳体，所述壳体与交互设备相对称的另一面设置有磁铁，所述壳体的侧面设置有按键，所述按键与电路板相连接；该与移动设备交互的有屏蓝牙移动存储器及存储方法，简化了手机用户需要使用转换器才能读取移动存储器中文件的繁琐过程，提升了用户的体验。
一种移动设备交互蓝牙存储器存储方法

[发明专利]存储器件以及包括其的存储系统-CN201811638331.2有效
发明人：崔永栽;崔锡佑;朴明宰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本申请涉及一种存储器件以及包括其的存储系统。一种存储器件包括：多个第一控制信号接口，其分别与多个通道相对应，并且适用于从主机接收控制信号；多个第一数据接口，其分别与多个通道相对应，并且适用于与主机交换数据和数据选通信号；第二控制信号接口，其适用于：在监控模式下，通过第一控制信号接口中的选中的一个第一控制信号接口以及通道中的选中的一个通道来接收控制信号以及输出所接收的控制信号；以及第二数据接口，其适用于：在监控模式下，接收通过第一数据接口中的被选中的一个第一数据接口和被选中的通道交换的数据和数据选通信号的一部分以及输出所接收的数据和数据选通信号的一部分。
存储器件以及包括存储系统

[发明专利]非易失性存储器装置和包括其的存储装置-CN201811138895.X有效
发明人：张东洙;梁万在;任政炖;郑高恩;郑秉勋;崔荣暾 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本申请提供一种非易失性存储器装置和包括其的存储装置，所述非易失性存储器装置包括连接至先进先出存储器的输出级的串行流水线结构。先进先出存储器被构造为基于多个先进先出输入时钟信号存储通过具有波流水线结构的数据路径发送的数据，并且基于多个先进先出输出时钟信号输出存储的数据。串行器被构造为基于选择时钟信号将数据输出至输入/输出焊盘。串行流水线结构连接在先进先出存储器与串行器之间，并且被构造为补偿从先进先出存储器输出的存储的数据与选择时钟信号之间的相位差。
非易失性存储器装置包括存储

[发明专利]调节器升压器-CN202211574981.1在审
发明人： S·E·菲恩;A·M·芒格 -专利权人：瑞萨电子美国有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本公开涉及一种调节器升压器。在一个实施例中，公开了一种包括电压调节器和调节器升压器的装置。电压调节器由输入供应，并且被配置为生成经调节输出。经调节输出具有与电压调节器的操作点对应的电压。调节器升压器被连接到电压调节器，并且当被激活时，被配置为将经调节输出的电压升高目标量。该目标量是由经调节输出上的电流负载的变化引起的相对于操作点的电压下降的幅度的至少一部分。
调节器升压

[发明专利]存储器装置及操作该存储器装置的方法-CN202010776080.5有效
发明人：尹美善;蔡东赫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：存储器装置及操作该存储器装置的方法。本文提供一种存储器装置及操作该存储器装置的方法。存储器装置可以包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；页缓冲器，其通过相应的位线联接至存储器单元阵列；以及控制逻辑，其被配置为进行控制，使得在读取操作期间，感测存储器单元阵列中存储的数据并将其存储在页缓冲器中，以及将存储在页缓冲器中的数据输出到外部装置，其中，响应于从外部装置接收到的读取命令，控制逻辑控制在感测数据之后要执行放电操作的时间点以及要执行每个页缓冲器中包括的锁存器之间的数据传输操作的时间点。
存储器装置操作方法

[发明专利]连接接口电路、存储器存储装置及锁相回路电路校正方法-CN202010005738.2有效
发明人：余家辉;苏文建;邱宥荣;杨巧婕 -专利权人：群联电子股份有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明的一范例实施例提供一种锁相回路电路校正方法，其用于包括可复写式非易失性存储器模块的存储器存储装置。所述方法包括：从主机系统接收第一信号；由所述存储器存储装置产生抖动信号；根据所述第一信号与所述抖动信号产生第二信号；由锁相回路电路对所述第二信号执行锁相操作以产生第三信号；以及根据所述第一信号与所述第三信号之间的时间差的变化校正所述锁相回路电路的电气参数。
连接接口电路存储器存储装置回路校正方法

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