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[发明专利]具有电阻可变存储器件的半导体存储器系统及其驱动方法-CN201810884637.X有效
发明人：郑承奎;权正贤;申原圭;洪道善 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种包括电阻可变存储器件的半导体存储器系统及其驱动方法。半导体存储器系统包括：存储器控制器，其包括被配置为确定写入命令的生成时段的调度器；存储器件，其包括存储单元阵列，所述存储器件被配置为响应于写入命令将从存储器控制器输入的数据写入存储单元阵列中；以及数据确定电路，其被配置为当输入数据的所有逻辑电平彼此相等时向调度器输出改变信号，所述调度器响应于所述改变信号来改变所述写入命令的生成时段。
具有电阻可变存储器件半导体存储器系统及其驱动方法

[发明专利]接口电路和具有该接口电路的存储装置-CN201811216721.0有效
发明人：金守辰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种接口电路，该接口电路包括：地址映射单元，通过对各个逻辑主设备地址使用移位操作将多个逻辑主设备地址映射到逻辑从设备地址；偏移设置单元，设置各个逻辑主设备地址的偏移；以及数据控制器，基于逻辑从设备地址和偏移来访问从设备以处理对应于各个逻辑主设备地址的目标数据。
接口电路具有存储装置

[发明专利]用于部分位去加重的设备及方法-CN201880019198.4有效
发明人： R·E·格雷夫 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供用于部分位去加重的设备及方法。一种实例设备包含输出驱动器及控制电路。所述输出驱动器包含：上拉电路，其包含一或多个上拉分支；及下拉电路，其包含一或多个下拉分支。所述控制电路可耦合到所述输出驱动器且经配置以接收具有第一逻辑值及第二逻辑值的输入信号且响应于确定已发生从所述第二逻辑值到所述第一逻辑值的逻辑转变而引起所述上拉电路及所述下拉电路分别在位周期的第一部分的持续时间内进入第一状态及在所述位周期的接续于所述第一部分的的第二部分的持续时间内进入第二状态。
用于部分加重设备方法

[发明专利]接收器电路、存储器装置以及使用其的操作方法-CN202111520364.9在审
发明人：罗志声 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明介绍一种接收器电路，包含一对前级放大器电路和后级放大器电路。第一前级放大器电路包含一对第一n型晶体管，且一对第一n型晶体管的栅极端子分别接收输入信号和参考电压信号。第二前级放大器电路包含一对第一p型晶体管，其中前述一对第一p型晶体管的栅极端子分别接收输入信号和参考电压信号。后级放大器电路根据第一前级放大信号和第二前级放大信号输出后放大信号。还介绍一种包含接收器电路的存储器装置和其操作方法。
接收器电路存储器装置以及使用操作方法

[发明专利]存储器阵列下的边缘计算组件-CN202180049889.0在审
发明人： G·E·胡申;R·C·墨菲;H·孙 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：设备和方法可以涉及在存储器阵列中实施边缘计算组件。计算组件可以在存储器阵列下实施。由于计算组件使用的管芯空间，在存储器阵列下实施所述计算组件可以限制对所述计算组件的控制访问。所述计算组件的一部分(例如，所述边缘上的计算组件)可以具有对所述计算组件的其余部分不可用的控制访问。
存储器阵列边缘计算组件

[发明专利]数据缓冲器和具有该数据缓冲器的存储装置-CN201811311887.0有效
发明人：黄珍夏 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：数据缓冲器和具有该数据缓冲器的存储装置。提供了一种数据缓冲器和具有该数据缓冲器的存储系统。该数据缓冲器包括：第一放大器和第二放大器，该第一放大器和该第二放大器被配置为通过反转输入数据来输出输出数据，所述第一放大器和所述第二放大器具有输出所述输出数据的联接的输出节点，其中，当所述输入数据具有第一摆幅电平时，启用所述第一放大器和所述第二放大器二者，以输出输出数据，并且其中，当所述输入数据具有比所述第一摆幅电平窄的第二摆幅电平时，启用所述第一放大器和所述第二放大器中的一个，以输出输出数据。
数据缓冲器具有存储装置

[发明专利]数据输出缓冲器-CN201811358623.0有效
发明人：黄珍夏 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：数据输出缓冲器。一种数据输出缓冲器包括：上拉预驱动器，所述上拉预驱动器被配置为通过使接收到的数据反转来输出上拉数据，并且输出用于调整所接收到的数据的摆动宽度的向上代码；下拉预驱动器，所述下拉预驱动器被配置为通过使所接收到的数据反转来输出下拉数据，并且输出用于调整所接收到的数据的摆动宽度的向下代码；上拉主驱动器，所述上拉主驱动器被配置为根据所述上拉数据输出具有逻辑高值的第一数据，并且根据所述向上代码调整所述第一数据的摆动宽度；以及下拉主驱动器，所述下拉主驱动器被配置为根据所述下拉数据输出具有逻辑低值的第二数据，并且根据所述向下代码调整所述第二数据的摆动宽度。
数据输出缓冲器

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN201811195867.1有效
发明人：赵岗煜 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：提供了一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置包括：存储器单元；联接到存储器单元的位线和字线；以及页缓冲器，其被配置为对存储器单元执行读操作，其中，当在读操作期间一个读电压被施加到字线时，页缓冲器通过执行第一评估操作、第一感测操作、第二评估操作和第二感测操作来将存储器单元的编程状态感测为至少三个编程状态中的一个。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]配置为与多模组存储器接口的接口电路-CN201710112702.2有效
发明人：蔡官烨;南润智;吴知训;李信泳;崔钟伦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：接口电路可以包括第一FIFO电路和第二FIFO电路。第一FIFO电路可以基于第一采样信号和第二采样信号产生第一输出数据。第二FIFO电路可以基于第三采样信号和第四采样信号产生第二输出数据。第一FIFO电路和第二FIFO电路可以交叉复位。
配置模组存储器接口电路

[发明专利]对非易失性存储器编程的方法和操作具有其的系统的方法-CN201710883574.1有效
发明人：林惠镇;朴一汉;朴贤国;尹盛远 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：用于对非易失性存储器进行编程的方法包括：对在非易失性存储器中包含的存储单元中的低位进行编程，在对存储单元中的高位进行编程之前读取存储单元中编程的低位，根据读取低位的结果确定存储单元的阈值电压，使用所述阈值电压确定存储单元的类型，并根据所确定的存储单元的类型将多个脉冲之一供应给连接到存储单元的位线。
非易失性存储器编程方法操作具有系统

[发明专利]半导体器件-CN201811451799.0有效
发明人：尹荣俊;金显承 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，其包括合成控制信号生成电路和数据输出控制电路。合成控制信号生成电路响应于第一突发模式命令和第二突发模式命令而用锁存控制信号生成用于确定突发顺序的合成控制信号。数据输出控制电路响应于合成控制信号输出存储体组中包括的数据作为内部数据。
半导体器件

[发明专利]用于存储器系统中自适应判决反馈均衡的电路和方法-CN202180050998.4在审
发明人： A·M·弗勒;B·W·戴利;T·J·乔瓦尼尼;罗磊;M·霍塞因 -专利权人：拉姆伯斯公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：描述了用于均衡来自存储器控制器的并行写入数据和地址信号的集成电路。集成电路各自包括判决反馈均衡器的集合，一个接收信号对应一个均衡器。集合中的每个均衡器具有主采样器和监测采样器，采样器中的每个采样器在该集合公共的定时参考信号(例如，时钟或选通)的边沿上对相应的输入信号进行采样。主采样器相对于参考对输入信号进行采样。监测采样器相对于可调阈值对输入信号进行采样，该可调阈值被校准以监测输入信号的一个或多个电平。反馈网络响应于一个或多个抽头值来调节相应的输入信号，该抽头值可以被调节以均衡信号。用于一个或一组均衡器的自适应抽头值生成器根据到采样器输入端口中的一个或多个采样器输入端口的误差的最小均方来调节一个或多个抽头值。
用于存储器系统自适应判决反馈均衡电路方法

[发明专利]存储装置和操作存储装置的方法-CN202211157494.5在审
发明人：李英敏;申崇晩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：示例实施例提供了一种存储装置及其操作方法，该存储装置包括：存储控制器，其包括多个模拟电路；以及至少一个非易失性存储器装置，其包括第一区和第二区。至少一个非易失性存储器装置将用户数据存储在第二区中，并且将修整控制码存储在第一区中作为补偿数据集。修整控制码被配置为补偿多个模拟电路的偏差，并且通过对存储控制器的晶圆级测试获得修整控制码。在通电过程中，存储控制器从至少一个非易失性存储器装置的第一区中读取补偿数据集，在其中存储读取的补偿数据集，并且基于存储的补偿数据集调整多个模拟电路的偏差。
存储装置操作方法

[发明专利]用于校准半导体装置的可调节阻抗的设备及方法-CN201780075169.5有效
发明人： D·甘斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本申请案中揭示用于校准半导体装置的可调节阻抗的设备及方法。一种实例设备包含经配置以存储阻抗校准信息的寄存器且进一步包含具有可编程阻抗的可编程终端电阻。所述实例设备进一步包含阻抗校准电路，其经配置以执行校准操作以确定用于设置所述可编程终端电阻的所述可编程阻抗的校准参数。所述阻抗校准电路经进一步配置以将与所述校准操作相关的所述阻抗校准信息编程于所述寄存器中。
用于校准半导体装置调节阻抗设备方法

[发明专利]与存储器装置相关联的读取广播操作-CN201980084160.X有效
发明人： D·A·尤达诺夫;S·K·贾因 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本申请案涉及与存储器装置相关联的读取广播操作。在一个实例中，根据所描述技术的存储器装置可包含存储器阵列、感测放大器阵列及信号开发高速缓冲存储器，所述信号开发高速缓冲存储器经配置以存储与可存储于所述存储器阵列处(例如，根据各种读取或写入操作)的逻辑状态(例如，存储器状态)相关联的信号(例如，高速缓冲存储器信号、信号状态)。所述存储器装置可实现读取广播操作。读取广播可例如经由一或多个多路复用器而从所述存储器阵列到所述信号开发高速缓冲存储器的多个位置发生。
存储器装置相关读取广播操作