专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]数据存储装置及其操作方法-CN201910994869.5有效
  • 池承九;李炫准;朴炳奎 - 爱思开海力士有限公司
  • 2019-10-18 - 2023-09-26 - G11C29/42
  • 本申请描述了用于有效地执行读取失败恢复操作的方法、系统和装置。示例数据存储装置包括:非易失性存储器装置,包括混合了编程完成页面和编程进行中页面的页面组;缓冲存储器,被配置成缓冲待存储在页面组的页面中的数据和XOR奇偶校验;恢复电路,被配置成恢复读取失败数据的错误;以及处理器,被配置成控制恢复电路从缓冲存储器读取与编程进行中页面对应的数据和XOR奇偶校验,并使用与编程完成页面之中除存储读取失败数据的页面之外的剩余编程完成页面对应的数据以及从缓冲存储器读取的数据和XOR奇偶校验来恢复读取失败数据的错误。
  • 数据存储装置及其操作方法
  • [发明专利]参考光辅助相位错误纠正的数据存储方法、装置及系统-CN202310628930.0在审
  • 张猛;吴非;于勤;赵雅慧;谢长生 - 华中科技大学
  • 2023-05-31 - 2023-09-22 - G11C29/42
  • 本发明公开了参考光辅助相位错误纠正的数据存储方法、装置及系统,属于全息存储技术领域,数据写入过程中,将参考比特与信息比特一起进行编码;数据读取过程包括:读取指定相位数据页并进行相位解调后确定各比特的初始LLR;对于任意一个比特,若为参考比特且为比特1,则设定为m(m1);若为参考比特且为比特0,则设定为p(p+m=0);若为信息比特或校验比特且为比特1,则设定为1;若为信息比特或校验比特且为比特0,则设定为‑1;利用初始LLR激活LDPC译码过程,完成译码。本发明能够充分利用不同类型比特数据的可靠性差异的先验知识,在提高LDPC译码过程中初始LLR信息计算精度的同时提高计算效率,进一步提高全息光存储系统的读性能。
  • 参考辅助相位错误纠正数据存储方法装置系统
  • [发明专利]存储器刷新调节方法、装置、调节电路及存储器件-CN202110618210.7有效
  • 王小光 - 西安紫光国芯半导体有限公司
  • 2021-05-31 - 2023-09-19 - G11C29/42
  • 本发明公开了一种存储器刷新调节方法、装置、调节电路以及存储器件,通过复用每个存储区域的ECC模块产生的报错信号,分别对每个存储区域中的数据存储错误进行统计;分别检测每个存储区域的累计错误数量是否达到预设阈值,将累计错误数量达到预设阈值的存储区域确定为目标存储区域;将目标存储区域的刷新控制频率从默认频率调整为设定频率,同时启动预设的计时器,并将目标存储区域对应的当前错误统计数量清零;直至计时时间达到预设时长,再将目标存储区域的刷新控制频率恢复为默认频率。这样能够针对存在数据失效风险的存储区域进行刷新效率调整,有利于改善DRAM存储阵列的retention问题。
  • 存储器刷新调节方法装置电路存储器件
  • [发明专利]用于执行并行读取-修改-写入操作的存储器器件-CN201810588868.6有效
  • 车相彦;全仁雨 - 三星电子株式会社
  • 2018-06-08 - 2023-09-19 - G11C29/42
  • 本发明提供了一种被配置为执行并行读取‑修改‑写入操作的存储器器件,其根据数据掩码选项生成用于从存储器单元阵列读取的第一部分数据和第二部分数据的纠正子,纠正第二部分数据的错误,通过组合第二数据与经纠正的第二部分数据来生成合并的数据,并生成用于合并的数据的内部奇偶校验。存储器器件将第二部分数据设置为二进制值0,通过组合设置为二进制值0的第二部分数据和第二数据来生成第三数据,生成用于第三数据的第三奇偶校验,并基于纠正子、部分奇偶校验和第三奇偶校验来生成用于合并的数据的内部奇偶校验。
  • 用于执行并行读取修改写入操作存储器器件
  • [发明专利]存储器刷新补偿方法、装置、补偿电路及存储器件-CN202110602709.9有效
  • 王小光 - 西安紫光国芯半导体有限公司
  • 2021-05-31 - 2023-09-15 - G11C29/42
  • 本发明公开了一种存储器刷新补偿方法、装置、补偿电路以及存储器件,通过复用每个存储区域的ECC模块产生的报错信号,分别对每个存储区域中的数据存储错误进行统计;分别检测每个存储区域的累计错误数量是否达到预设阈值,将累计错误数量达到预设阈值的存储区域确定为目标存储区域;将目标存储区域的同步刷新行数从默认行数调整为设定行数,同时启动对刷新指令的计数,并将目标存储区域对应的当前错误统计数量清零;直至刷新指令的累计数量达到目标值,再将目标存储区域的同步刷新行数恢复到默认行数,这样能够针对存在数据失效风险的存储区域进行刷新补偿,有利于改善DRAM存储阵列的retention问题。
  • 存储器刷新补偿方法装置电路存储器件
  • [发明专利]生成目标组合存储器的系统-CN202311031941.7在审
  • 周健 - 沐曦集成电路(上海)有限公司
  • 2023-08-16 - 2023-09-12 - G11C29/42
  • 本发明涉及芯片技术领域,尤其涉及一种生成目标组合存储器的系统,实现步骤C1、遍历存储器数据库,生成候选存储器集合;步骤C2、遍历候选存储器集合,选择一个或两个候选存储器作为组合单元,组合生成候选组合存储器,生成候选组合存储器集合;步骤C3、获取每一候选组合存储器的组合面积和组合功耗;步骤C4、获取每一候选组合存储器对应的综合性能值;步骤C5、将候选组合存储器集合中综合性能值最小的候选组合存储器确定为目标组合存储器。本发明能够快速生成符合目标尺寸和目标频率的目标组合存储器,减小了芯片面积,降低了芯片功耗,提高了芯片性能。
  • 生成目标组合存储器系统
  • [发明专利]一种数据存储方法、装置、设备及介质-CN202310716986.1在审
  • 孙秀强;黄家明;朱慧蓉;路永轲 - 浪潮(山东)计算机科技有限公司
  • 2023-06-16 - 2023-09-12 - G11C29/42
  • 本发明公开了一种数据存储方法、装置、设备及介质,涉及计算机技术领。该数据存储方法,应用于服务器的操作系统,包括:实时检测不可纠正错误对应的不可纠正错误寄存器的状态位;此时保证了发现不可纠正错误时效性,能够对不可纠正错误及时处理;根据状态位的输出数据确定系统内是否产生不可纠正错误;当确定系统内产生不可纠正错误时,传输中断信号至基本输入输出系统;通过中断信号锁住硬盘的数据传输接口,并执行下关机操作,由于中断信号锁住硬盘的数据传输接口,避免了错误数据被认为是正常数据,导致错误数据落盘,进一步导致硬盘数据失效的情况。此时进一步实现了节约系统硬盘的存储空间并同时实现保证数据存储的准确性。
  • 一种数据存储方法装置设备介质
  • [发明专利]存储器和存储器的测试方法-CN202011058602.4有效
  • 王佳;孙圆圆 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-09-30 - 2023-09-08 - G11C29/42
  • 本发明实施例提供一种存储器和存储器的测试方法,其中,存储器包括:存储模块,用于存储数据信息,存储模块包括主存储模块和校验位存储模块,主存储模块用于存储有效数据,校验位存储模块用于存储校验位数据;读写驱动模块,与存储模块连接,用于从存储模块中读取数据信息,或将数据信息写入存储模块;数据处理模块,与读写驱动模块连接,用于对读写驱动模块输出的数据信息进行检错纠错的解码操作,或用于对输入到读写驱动模块的数据信息进行检错纠错的编码操作,本发明实施例目的在于实现高效测试存储器中用来存储有效数据的存储区域和用来存储ECC校验位数据的存储区域。
  • 存储器测试方法
  • [发明专利]数据传输电路、数据传输方法和存储器-CN202210174055.9在审
  • 冀康灵 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-02-24 - 2023-09-05 - G11C29/42
  • 本公开涉及半导体电路设计领域,特别涉及一种数据传输电路、数据传输方法和存储器,包括:至少两个数据传输结构;每一数据传输结构包括存储传输端、总线传输端和交互传输端;从存储传输端输入的数据,通过总线传输端输出或通过交互传输端输出;从总线传输端输入的数据,通过存储传输端输出或通过交互传输端输出;从交互传输端输入的数据,通过总线传输端输出或通过存储传输端输出;控制模块,接收存储器提供的输入控制信号和调整控制信号,被配置为,基于调整控制信号对输入控制信号进行延迟输出,以生成对应于输入控制信号的输出控制信号,输入控制信号和输出控制信号用于指示数据传输结构的数据传输路径,以提高存储器的读写数据传输效率。
  • 数据传输电路方法存储器

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