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[发明专利]用于功率金属氧化物晶体管芯片的缺陷失效定位方法-CN201010547545.6有效
发明人：赖华平;金勤海;潘永吉 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于功率金属氧化物晶体管芯片的缺陷失效定位方法，包括：1)用酸去除功率金属氧化物晶体管芯片表面的铝层；2)对于铝层下含有Ti/TiN扩散阻挡层的芯片，直接扎针栅极、源极、漏极灌电流作EMMI或OBIRCH分析，定位出缺陷；对于铝层下无扩散阻挡层的芯片，在芯片内的无晶体管区域用FIB淀积两个金属垫，再在每个金属垫的边上用FIB淀积一个与该金属垫相连接的金属条，两个金属条的另一端分别连接到栅极和源极，利用两个金属垫和芯片背面漏极完成EMMI或OBIRCH测试，定位出缺陷。本发明的效果远远好于液晶分析，而且可以快速、精确地找到缺陷位置。
用于功率金属氧化物晶体管芯片缺陷失效定位方法

[发明专利]存储芯片位线失效分析方法-CN201010181309.7有效
发明人：刘海君;赖李龙;高慧敏 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-05-21 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器芯片位线失效分析方法，用以对包含埋入式位线及金属位线结构的存储器芯片进行位线失效分析，每条所述埋入式位线与相应的所述金属位线之间通过多个位线接触窗相连，所述方法包括以下步骤：去除所述存储芯片的金属位线之上的钝化层、互连金属层及层间介质层，暴露出所述金属位线；通过电测试确定存储芯片上相互之间存在短路的两条金属位线，逐段切割其中的一条金属位线，使得该金属位线中连接于相邻位线接触窗的部分之间均被割断；去除存储芯片的衬底及包含在衬底内的埋入式位线，形成检测样片；对所述检测样片进行电势对比成像观测，确定所述短路金属位线的具体失效位置。
存储芯片失效分析方法

[发明专利]微光显微镜芯片失效分析方法及系统-CN201010027225.8有效
发明人：马香柏;李强;曾志敏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-05 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种微光显微镜芯片失效分析方法，利用硬件描述语言开发芯片测试激励；用软件对芯片测试激励进行仿真，仿真正常后将芯片测试激励烧入FPGA基板；FPGA基板输出多个激励pattern输出到待分析芯片的多个引脚，使待分析芯片电路进入故障激发模式；通过微光显微镜捕捉亮点，最后对亮点进行电路分析和失效分析。本发明还公开了一种微光显微镜芯片失效分析系统。本发明的微光显微镜芯片失效分析方法及系统，能实现多通道复杂测试向量施加，实现微光显微镜芯片缺陷定位，降低了芯片失效分析成本并提高分析效率。
微光显微镜芯片失效分析方法系统

[发明专利]基于光纤探针的脉冲激光模拟单粒子效应实验系统-CN201010162010.7有效
发明人：池雅庆;梁斌;何益百;刘必慰;陈书明;孙永节 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2010-05-05 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光纤探针的脉冲激光模拟单粒子效应实验系统，目的是减小脉冲激光的束斑直径，实现深亚微米集成电路中单个器件或局部电路单粒子效应的模拟。该系统由脉冲激光器、光纤探针和探针台组成，光纤探针锥尖孔径为10nm至1μm之间；光纤探针的输入端连接脉冲激光器，光纤探针靠近输出端的光纤固定在探针台的探针夹中，光纤探针的输出端接触被测集成电路芯片的被测位置，光纤探针将脉冲激光从输入端传输到输出端；被测集成电路芯片采取安装在单粒子效应检测电路板中或不安装在单粒子效应检测电路板中两种方式。采用本发明能输出束斑直径小于等于1μm的脉冲激光，实现深亚微米集成电路中单个器件或局部电路的单粒子效应模拟，且降低了成本。
基于光纤探针脉冲激光模拟粒子效应实验系统

[发明专利]用于进行加速软错误率测试的系统和方法-CN200810040292.6有效
发明人：张荣哲;简维廷 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-07-03 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：本发明提供了供用户对半导体样本进行加速软错误测试(ASER)的装置。该装置包括用于支持辐射源的第一部件，其中辐射源可以是α粒子源或中子粒子源。该装置包括用于支持半导体样本的第二部件，其中半导体样本可以是硅晶片或半导体芯片或成品元件。该装置包括连接组件，用于将第一部件和第二部件彼此相对地放置在多个位置，以多种应力效率使半导体样本经受来自辐射源的辐射应力。优点是改善了ASER测试的可重复性和可信性，减弱了对进行ASER测试的操作员的辐射。
用于进行加速错误率测试系统方法

[发明专利]一种LED芯片/晶圆的非接触式检测方法-CN200910138901.6无效
发明人：李平;文玉梅;文静;李恋 -专利权人：重庆大学
申请日： 2007-08-03 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED芯片/晶圆的非接触式检测方法，特别是一种用于未封装的单个LED芯片或者有多个LED芯片的晶圆的检测方法。它通过检测控制和信号采集处理单元(9)控制光源(7)发射激励光束(4)照射在待测LED芯片/晶圆(2)的PN结(1)上，光照的同时，将所述PN结置于交变的磁场(11)中，PN结(1)上形成的交变自发光(3)由会聚透镜组(6)会聚至光电转换器(8)，光电转换器(8)将光信号转换成电信号，送入所述检测控制和信号采集处理单元(9)进行处理来实现对LED芯片/晶圆的检测。采用本发明所述方法可以对LED芯片/晶圆的PN结功能状态进行检测；还可以不接触LED芯片/晶圆实现对LED芯片/晶圆性能参数的检测。
一种 led 芯片接触检测方法

[发明专利]基于芯片的电磁发射确定关于芯片内部操作的信息的方法-CN200680009135.8无效
发明人：约翰·慧一 -专利权人： VNS组合有限公司
申请日： 2006-11-03 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：一种用于确定集成电路(IC)内部操作的新颖方法，包括测量来自集成电路芯片的电磁(EM)发射以及分析EM发射。在特定的方法中，利用封闭式RF探针测量来自IC的EM发射。在特定的方法中，测量以各种方式配置的IC的电磁发射。在正常操作模式下，在对IC供电并提供任何外部时钟信号时，测量EM发射。在测量正常操作模式下IC的EM发射之后，通过使外部时钟信号对IC无效并重新测量EM发射来重新配置IC。通过对IC断电、使外部时钟信号无效、然后对IC重新供电，使外部时钟信号无效。在另一第三测试模式下，在对IC持续供电时，使外部时钟信号重新有效。可以通过分析在三个测试模式中的一个或多个测试模式下所获得的频谱扫描数据，来确定关于IC内部时钟存在与否和/或操作是否正确的信息。
基于芯片电磁发射确定关于内部操作信息方法

[发明专利]半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序-CN200680054964.8无效
发明人：真岛敏幸;嶋瀬朗;寺田浩敏;堀田和宏 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2006-10-23 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、以及对半导体器件的不良进行分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)具有分析区域设定部，该分析区域设定部通过比较不良观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出起因于不良的反应区域，并对应于反应区域而设定用于半导体器件的不良分析的分析区域。由此，实现了一种能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。
半导体不良分析装置方法以及程序

[发明专利]半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序-CN200680054977.5无效
发明人：真岛敏幸;嶋瀬朗;寺田浩敏;堀田和宏 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2006-10-23 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)，使用由多个层的每一层中的配线图案的图案数据组记述半导体器件的多个配线的构成的配线信息，将多个配线中通过分析区域的配线作为不良的候补配线而抽出，并且，在候补配线的抽出中，通过进行使用图案数据组的配线图案的等电位追踪，从而抽出候补配线。由此，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。
半导体不良分析装置方法以及程序

[发明专利]半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序-CN200680054968.6无效
发明人：真岛敏幸;嶋瀬朗;寺田浩敏;堀田和宏 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2006-10-23 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)抽出半导体器件的多个网路中通过从不良观察图像设定的多个分析区域的至少1个的候补网路、以及该候补网路通过分析区域的通过次数，选择通过次数最多的候补网路，以作为第1不良网路，并且，着眼于第1不良网路未通过的分析区域，进行第2不良网路的选择。由此，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。
半导体不良分析装置方法以及程序

[实用新型]芯片检测装置-CN200720310463.3有效
发明人：马建荣;武俊杰;郭竑源;王卫东;马健;魏富龙;朱姗姗;豆粉娜 -专利权人：河南南方辉煌图像信息技术有限公司
申请日： 2007-12-11 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：本实用新型涉及光学引擎的检测装置，尤其涉及一种芯片检测装置。包括台架、显示屏幕、光学引擎、六轴调整仪、夹具、信号发生器或者计算机、反射镜，台架按三层分布，显示屏幕安装在台架的顶层，光学引擎、六轴调整仪安装在台架的中层，信号发生器或者计算机放置在台架的下层，夹具固定在六轴调整仪前端用于夹持被测芯片，光学引擎是去掉了一路光路芯片的光学引擎，光学引擎置于夹具的对应位置，光学引擎、夹具位于显示屏幕背面形成背投影方式，信号发生器或者计算机与光学引擎的驱动电路通过数据线连接，为光学引擎输出图像信号。应用本芯片检测装置，等同于直接将被测芯片使用在光学引擎上，具有结构简单、操作简便、检测效率高、造价低等优点。
芯片检测装置

[发明专利]用于分析集成电路的方法、设备和集成电路-CN200680024329.5无效
发明人：马特吉·戈森斯;弗兰克·萨卡里亚斯 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2006-05-04 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：公开了一种用于分析集成电路(IC)的方法，该集成电路包括位于衬底(10)的第一表面上的多个半导体器件(20)。该方法包括以下步骤：形成衍射透镜(100)，衍射透镜(100)包括位于与衬底(10)的第一表面相对的另一表面的第一区域中的多个同心衍射区(110)，以及通过衍射透镜(100)光学访问所述多个半导体器件(20)中的一个子集(30)的另一个步骤。由于衍射透镜(100)可以在亚微米尺寸上实现的事实，可以比折射透镜更便宜地形成透镜(100)，折射透镜通常为数个微米深。并且，可以容易地将透镜(100)从衬底(10)上抛去，这便于在衬底(10)上重复地重新安置透镜(100)，从而提高了光学检测到IC内部缺陷的机会。
用于分析集成电路方法设备

[发明专利]一种LED芯片/晶圆的非接触式检测方法-CN200710092521.4无效
发明人：李平;文玉梅;文静;李恋 -专利权人：重庆大学
申请日： 2007-08-03 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED芯片/晶圆的非接触式检测方法，特别是一种用于未封装的单个LED芯片或者有多个LED芯片的晶圆的检测方法。它通过检测控制和信号采集处理单元(9)控制光源(7)发射激励光束(4)照射在待测LED芯片/晶圆(2)的PN结(1)上，PN结(1)上形成的自发光(3)由会聚透镜组(6)会聚至光电转换器(8)，光电转换器(8)将光信号转换成电信号，送入检测控制和信号采集处理单元(9)进行处理来实现对LED芯片/晶圆的检测。采用本发明所述方法可以对LED芯片/晶圆的PN结功能状态进行检测；还可以不接触LED芯片/晶圆实现对LED芯片/晶圆性能参数的检测。
一种 led 芯片接触检测方法

[发明专利]对扩散层水平方向扩散的测量方法-CN03825288.0无效
发明人：彼得·G·博登;乔纳森·G·克拉思;埃里奇·佩顿 -专利权人：应用材料股份有限公司;艾得凡微电子仪器有限公司
申请日： 2003-09-22 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：可改变任何半导体晶片制程技术来监控在掺添层水平方向的陡度分布，以作为晶片制程技术的另一附加步骤。在具体实施例之一中，包括一个或多个掺添区之取样结构系形成在一制造晶片(例如，同时和一个或多个晶体管一同被形成)中，并测量该取样结构之一或多个尺寸，并以其来估计该晶片内其它掺添区(例如，在同时形成的晶体管)中之陡度分布。取样结构内之掺添区域彼此之间可以规律间隙配置，或毗连的掺添区域可改为以各种不同间隙配置。此外或并且，可在单一晶片内形成多重测试构造，在各测试构造内之掺添区域彼此有着规则的空间间隔，而不同的测试构造则有不同的空间间隔。
扩散水平方向测量方法

[发明专利]用于操作皮秒成像电路分析/高电流源系统的方法、系统和设备-CN200510059824.7无效
发明人： N·P·珊达;S·H·沃尔德曼;A·J·韦格 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-03-31 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：本发明提供了用于操作皮秒成像电路分析(PICA)/高电流源系统的方法、系统和设备，包括将来自高电流脉冲源的脉冲施加到被测器件(DUT)。光传感器探测来自DUT的光子发射。使用来自光传感器装置的信号来映射来自DUT的光子发射。数据处理装置使光子发射与DUT的特定特征相关。
用于操作成像电路分析电流系统方法设备