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[实用新型]用于单晶炉石英坩埚的导杆升降装置-CN202221040320.6有效
发明人：曹国兴;杭文伟;曹军 -专利权人：江苏新合益机械有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：用于单晶炉石英坩埚的导杆升降装置，包括炉体，炉体内设置有加热装置，炉体上端通过轴承转动连接有第一电动推杆，第一电动推杆输出端通过轴承转动连接有支撑板，支撑板底端中心处固定连接有衔接杆，两个衔接杆之间转动连接有转动块，转动块底端固定连接有支撑杆，支撑杆底侧设置有转动杆，转动杆底端通过轴承转动连接有第一坩埚，支撑板底端一侧固定连接有固定座，固定座底侧设置有第一齿轮，利用转动块上的驱动电机带动转动块转动，能够带动转动杆实现水平上的移动，且利用第一坩埚及内部溶液的重力，保持垂直状态，能够在便于清理的同时，能够便于调节，且同时利用第一齿轮及第二齿轮的啮合，能够使得第一坩埚呈转动状态，能够便于均匀加热。
用于单晶炉石英坩埚升降装置

[发明专利]一种晶体生长装置-CN202210788175.8在审
发明人：何高魁;王强;李永;闫平;郑玉来;王国宝;刘超 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种晶体生长装置，其中，晶体生长装置包括主体、坩埚和籽晶杆。主体具有容纳腔；坩埚可升降地设置在容纳腔内；籽晶杆可移动地穿设在主体的顶部，籽晶杆的一端位于主体的外侧，另一端伸入容纳腔内，用于在坩埚内生长晶体。本申请实施例提供了一种温度梯度的稳定性高的晶体生长装置。
一种晶体生长装置

[发明专利]一种晶硅生长用坩埚网格结构-CN202210987698.5在审
发明人：孟庆超;夏新中;潘明翠;张莉沫;张任远;李英叶;张丽娜 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展(天津)有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明涉及晶体硅生产技术领域，具体公开了一种晶硅生长用坩埚网格结构，设置在坩埚内，该网格结构包括若干间隔排列的条形凸起，所述条形凸起的凸起面呈圆弧状，所述条形凸起的高度为1～10mm，宽度为1～10mm，相邻的所述条形凸起间隔≥30mm；所述网格结构设置于坩埚的内部表面熔体流速最大的区域，产生降低坩埚内壁表面附近熔体流速的作用力，抑制坩埚杂质向熔体内的扩散。本发明的结构能使坩埚内的高温硅熔体流动速度减缓，从而减少对坩埚和涂层的冲刷，同时可以部分隔绝熔体与壁面的接触，降低了硅与坩埚的反应面积，最终达到降低内壁表面的化学反应速度和杂质向熔体扩散速度的目的。
一种生长坩埚网格结构

[实用新型]一种直拉硅单晶用石墨坩埚-CN202122969048.1有效
发明人：高建芳;王建平;王林;谷守伟;白大伟;李利军 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种直拉硅单晶用石墨坩埚，包括石墨坩埚本体、直壁部封堵件和R角封堵件，其中，直壁部封堵件分别与石墨坩埚本体的相邻两瓣坩埚的直壁部分连接，对相邻两瓣坩埚之间的直壁部分的缝隙进行封堵；R角封堵件分别与石墨坩埚本体的相邻两瓣坩埚的R角部分连接，对相邻两瓣坩埚之间的R角部分的缝隙进行封堵；直壁部封堵件与R角封堵件均设于石墨坩埚本体的内壁上，且直壁部封堵件的面向石墨坩埚内部的一侧面与R角封堵件的面向石墨坩埚内部的一侧面均与石墨坩埚本体的内壁表面位于同一平面。本实用新型的有益效果是随着高温运行时间增加，拼接处不易被腐蚀损坏，有效提升石墨埚使用寿命，能够进行旧件改善修复，降低石墨坩埚使用成本。
一种直拉硅单晶用石墨坩埚

[发明专利]大尺寸圆截面陶瓷基复合材料构件熔融渗硅工装及方法-CN202011353178.6有效
发明人：王鹏;赵兵兵;张倩;张海昇;张晰;王言;李建章 -专利权人：西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种大尺寸圆截面陶瓷基复合材料构件熔融渗硅工装及方法，解决对于大尺寸圆截面陶瓷基复合材料零构件LSI工艺制备过程存在的过程控制难度大、构件密度均匀差、易变形及底部液硅易堆积、粘接等问题，工装包括由石墨材料制成的多个坩埚单元，各坩埚单元依次同轴从下至上叠放形成坩埚，相邻两个坩埚单元之间铺设环形石墨纸层。方法包括加工大尺寸圆截面陶瓷基复合材料构件半成品及制备大尺寸圆截面陶瓷基复合材料构件的步骤。本发明通过设计分层结构形式的坩埚，采用该结构坩埚，可有效将高温熔融的原料按区域分割，防止因重力作用导致高温时熔融原料下沉，出现下部致密化程度高，上部致密化程度低的现象，有效地提高构件密度的均匀性。
尺寸截面陶瓷复合材料构件熔融工装方法

[发明专利]一种具有碳化硅/硅复合陶瓷层的坩埚-CN202110322512.X有效
发明人：鲍思权;陈振宇;周娩红;朱苏华 -专利权人：湖南世鑫新材料有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明属于单晶硅拉制炉用热场部件技术领域，具体涉及一种具有碳化硅/硅复合陶瓷层的坩埚。所述坩埚包括炭/炭复合材料构成的坩埚以及附着于炭/炭复合材料坩埚内外表面的碳化硅/硅复合陶瓷层，或所述坩埚包括炭/炭复合材料构成的坩埚以及附着于炭/炭复合材料坩埚内表面的碳化硅/硅复合陶瓷层，所述碳化硅/硅复合陶瓷层是由碳化硅和硅彼此镶嵌混合而组成。本发明通过制备工艺与坩埚结构的优化匹配；得到了性能优良、使用寿命长久的产品。本发明制备工艺可控，便于大规模工业化应用。
一种具有碳化硅复合陶瓷坩埚

[实用新型]一种改进型石墨埚托-CN202221617232.8有效
发明人：张文娟 -专利权人：山东晶悦碳素制品有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改进型石墨埚托，涉及单晶炉技术领域，包括坩埚本体和埚托本体，坩埚本体的底部固定设有安装环，安装环的两侧均固定设有限位块，埚托本体的中部开设有与坩埚本体的底部相匹配的凹槽，埚托本体的顶端固定设有限位板，限位板的中部开设有与两个限位块滑动连接的限位槽，埚托本体的底端固定设有安装盘，安装盘的底端设有安装组件，本实用新型的有益效果是：通过设置的限位块与限位槽的滑动配合便于对坩埚本体的位置进行限位，并且通过设置的安装槽便于将限位块安装在限位槽的内部，便于坩埚本体的拆装，使坩埚本体不易上下移位。
一种改进型石墨

[发明专利]用于生长单晶硅锭的设备和方法-CN202080096070.5在审
发明人：具滋皙;安润河;王学羲;金度延 -专利权人：爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2020-02-05 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：一种提供用于生长单晶硅锭的设备的实施方式，包含：腔室；置于腔室内部并容纳硅熔体的坩埚；置于腔室内部并围绕着坩埚布置的加热部件；固定在腔室内的上部，并围绕着从坩埚中生长并提拉出的锭布置的第一水冷管；置于坩埚上方的隔热罩；以及，置于第一水冷管外部区域的可移动的第二水冷管。
用于生长单晶硅设备方法

[实用新型]圆盘形石墨锅底及石墨坩埚-CN202220873512.9有效
发明人：雷君启;李强 -专利权人：浙江翔日科技炭素有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及锅底技术领域，具体为圆盘形石墨锅底，包括锅底，所述锅底的一侧开设有放置槽，所述锅底的一侧固定连接有接触垫。本实用新型的优点在于：在进行单晶硅的熔化作业时，首先完成石墨热场的搭建，随后将石墨坩埚放置在锅底上，并使其上的放置在运动进放置槽内部，将固体单晶硅放置在石墨坩埚内并开启加热器对其进行加热，使用石墨制成的锅底可以及时将加热器的热量传递到石墨坩埚上使其内部的单晶硅进行熔化，由于石墨模具拥有优良的导热性能，强度随温度升高等优点，不仅降低加热器的热量损耗，而且可以均匀的将热量传递到石墨坩埚内，不会因单晶硅的受热不均而导致其熔化不均，可以极大的提高单晶硅的熔化效率。
圆盘石墨锅底坩埚

[发明专利]用于制造硅晶体的石英玻璃坩埚以及用于制造石英玻璃坩埚的方法-CN202180012478.4在审
发明人： T·莱曼;D·策姆克 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：用于根据切克劳斯基法提拉硅单晶的熔凝石英坩埚，其具有内侧，在该内侧上具有形成表面的熔凝石英的内层，所述内层提供有结晶促进剂，在指定用途在晶体提拉中加热所述熔凝石英坩埚时，所述结晶促进剂使熔凝石英结晶，以形成β‑方晶石，其特征在于，在距所述表面的距离d处，合成获得的SiO2的浓度C大于距所述表面的距离d2处合成获得的SiO2的浓度，其中d2大于d。
用于制造晶体石英玻璃坩埚以及方法

[实用新型]石墨电极及坩埚生产装置-CN202220234261.X有效
发明人：陈永康;李侨;郭华盈;刘阳;任伟康;张桥清;晏美仁;梅富然;李济和;段慧芳 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种石墨电极及坩埚生产装置，涉及拉晶坩埚制备技术领域。石墨电极包括：柱状主体、与柱状主体的端部连接的圆台、以及与圆台圆滑连接的球弧状的端部，柱状主体、圆台和球弧状的端部沿石墨电极的轴线方向依次连接；球弧状的端部由至少两个球弧体相互连接形成；圆台与靠近圆台的第一球弧体内切，相邻的球弧体之间内切。球弧状的端部由至少两个球弧体相互连接形成，圆台与靠近圆台的第一球弧体内切，相邻的球弧体之间内切，进而球弧状的端部更为圆滑，进一步消除了热应力的集中点，使得热应力在球弧状的端部上分布更为均匀，进而可以减少迸溅的概率。
石墨电极坩埚生产装置

[实用新型]一种碳碳坩埚的预制体结构-CN202220905950.9有效
发明人：刘时伟;胡士伟 -专利权人：浙江德鸿碳纤维复合材料有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及碳碳坩埚技术领域，具体是一种碳碳坩埚的预制体结构，包括预制碳碳坩埚本体、第一保护壳体和第二保护壳体；预制碳碳坩埚本体、第一保护壳体和第二保护壳体均为两端开口的结构；预制碳碳坩埚本体和第一保护壳体依次套设在第二保护壳体上，预制碳碳坩埚本体、第一保护壳体和第二保护壳体针刺连接；本实用新型将第一保护壳体和第二保护壳体针刺覆盖在预制碳碳坩埚本体的内外表面，保证在使用化学沉积增加密度时，能够在第一保护壳体和第二保护壳体表面被堵塞时，能够及时减薄处理，使得能够再次进行化学沉积增加密度，在最大程度上增加碳碳坩埚的成品密度，也提高了碳碳坩埚的强度，避免其在工作过程中损坏，进而也降低了生产成本。
一种坩埚预制结构

[发明专利]一种用于生产单晶硅棒的石英坩埚、坩埚组件及拉晶炉-CN202210594928.1在审
发明人：杨文武 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种石英坩埚，所述石英坩埚包括：底部部分；周向部分，所述周向部分包括径向内侧上的附加层；其中，所述附加层包括富氧层以及设置在所述富氧层上的硅基富氢层。石英坩埚的硅基富氢层将首先被分解并且分解出的氢将在对流的作用下浸入单晶硅棒中，由此可以抑制氧的析出，进而抑制单晶硅棒中缺陷的形核后进一步聚集长大以将该缺陷控制在较小尺寸并且可以很好地解决拉晶前期单晶硅棒局部氧偏高的问题，由此提高了晶棒的整体良率；而且随着硅基富氢层的减薄，富氧层暴露于硅溶液，大量的氧析出，提高了此时单晶硅棒中氧的浸入，进而提高了拉晶后期单晶硅棒末端处氧的含量，因此达到使单晶硅棒整体的氧含量分布均匀的目的。
一种用于生产单晶硅石英坩埚组件拉晶炉

[发明专利]一种防烧结单晶炉及单晶制备方法-CN202210460982.7在审
发明人：刘凯歌;孔令兵;翟剑庞;何宇;周曼;何斌 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种防烧结单晶炉及单晶制备方法，其中，所述单晶炉包括：坩埚；坩埚底托，所述坩埚底托用于盛放所述坩埚；氧化物涂层，设置于所述坩埚底托，所述氧化物涂层位于所述坩埚和所述坩埚底托之间；其中，所述氧化物涂层朝向所述坩埚的一侧，所述氧化物涂层用于隔离所述坩埚和所述坩埚底托。在本发明中，在坩埚底托与坩埚之间设置氧化物涂层，通过氧化物涂层将坩埚与坩埚底托进行有效隔离，实现防止氧化物涂层与坩埚烧结在一起的目的，进一步达到降低时间成本与经济成本的目的。
一种烧结单晶炉制备方法

[发明专利]石英坩埚及拉晶炉-CN202111162512.4有效
发明人：衡鹏 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于拉制晶棒的石英坩埚，所述石英坩埚包括：由二氧化硅材质制成的坩埚基底；以及镀覆在所述坩埚基底的内表面的一部分上的镀膜，所述镀膜用于在拉制晶棒的过程中阻止所述坩埚基底的被镀覆的部分的氧原子析出，其中，所述镀膜的镀覆面积沿从所述坩埚基底的口部至所述坩埚基底的底部的方向逐渐减少。由于镀膜的存在，熔体与石英坩埚的接触面积有所减少，这也使得拉制出的单晶硅棒的氧含量更为均匀。
石英坩埚拉晶炉