专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]石英玻璃坩埚的表面改质方法和表面改质坩埚-CN02154513.8有效
  • 辻元俊夫;辻义行 - 日本超精石英株式会社
  • 2002-10-16 - 2003-05-14 - C30B15/10
  • 本发明提供了一种坩埚表面具有含结晶化促进剂的透明涂层的表面改质石英玻璃坩埚和坩埚表面的改质方法。在石英玻璃坩埚表面上,涂布含有金属盐和烷氧硅烷低聚物的部分水解物的混合液,进行烧成,得到表面具有由金属氧化物或金属碳酸盐形成的结晶化促进剂分散在二氧化硅质基体中的透明涂层的、拉制单晶用的石英玻璃坩埚。这种坩埚,由于透明涂层烧成在坩埚上并形成一个整体,所以不能剥离。由于涂层中所含的结晶化促进剂保持均匀的附着状态,所以结晶核均匀地形成在坩埚表面上,从而可达到很高的单晶化率。
  • 石英玻璃坩埚表面方法
  • [发明专利]热解一氮化硼坩埚和方法-CN02120080.7有效
  • A·Y·萨尼;J·伦纳茨;A·莫雷;T·德万 - 先进陶瓷公司
  • 2002-05-24 - 2003-03-05 - C30B15/10
  • 本发明公开了一种形成热解一氮化硼(PBN)制品的方法以及具有PBN层的制品,这些层被具有浓度足以引起剥离的掺杂剂的PBN层所分隔,步骤如下将合适比例的氨和气态卤化硼的蒸气引入已加热的炉反应器,使得一氮化硼以层的形式沉积在基材上;以受控的定期间隔将至少一种气态掺杂剂注入炉内,使得至少两层一氮化硼的选定层被所述气态掺杂剂掺杂,其中在每个选定层中在1000-2000埃范围内的深度下,所述掺杂剂的最小平均浓度是2原子重量%;和所述选定层以约0.1-100微米的距离互相隔开。
  • 热解一氮化坩埚方法
  • [发明专利]硅锭块生长装置-CN02118853.X有效
  • 李洪雨;崔埈荣;赵铉鼎 - 希特隆股份有限公司
  • 2002-04-29 - 2003-01-22 - C30B15/10
  • 一种硅锭块生长装置,其包含石墨坩埚,其中装有石英坩埚;传动轴,它与石墨坩埚的下部相连接,可使石墨坩埚实现旋转和上下移动,并为石墨坩埚提供支承,该传动轴包含内部中空的空心轴部分、与空心轴部分底部相连接的用于抑制热传递的绝热轴部分以及与绝热轴部分底部相连接的圆柱形轴部分;用于石墨坩埚加热的加热装置;以及用于石墨坩埚、加热装置和部分传动轴的保护和与外界环境实现温度隔离的绝热墙。本发明有助于降低高温带熔融硅和石英坩埚的温度梯度,改善热量分布的均匀性,进而达到提高单晶锭块质量的目的。
  • 硅锭块生长装置
  • [发明专利]单晶硅生产装置-CN90100791.9无效
  • 岛芳延;大村雅纪;大谷章;荒木健治 - 日本钢管株式会社
  • 1990-02-17 - 1992-10-28 - C30B15/10
  • 一种单晶硅生产装置,包括一个置于石墨坩埚内的石英坩埚、隔板和加热器,隔板将石英坩埚中的熔融硅料分成两部分,内侧是单晶硅生长部分,外侧是材料熔化部分;加热器用以使单晶硅生长部分中的熔融硅料保持在适于单晶硅生长的温度下,并为熔化装进材料熔化部分的原材料提供热量;隔板上开有一些小孔。隔板的材料为不透明的石英玻璃。向材料熔化部分加入原材料而从单晶硅生长部分拉出单晶硅。熔融硅料通过隔板小孔由材料熔化部分流入晶体生长部分。
  • 单晶硅生产装置
  • [其他]氮化硅涂层坩埚-CN87206316无效
  • 杜光庭;周卫;侯悦 - 清华大学
  • 1987-04-16 - 1987-12-30 - C30B15/10
  • 本实用新型是关于直拉单晶硅用的坩埚,其特点是在坩埚基体上涂敷了一层Si3N4涂层。涂层采用常压化学气相淀积法制备。坩埚基体材料既可是石英(SiO2)玻璃,也可是石墨。Si3N4具有优良的物理机械性能,并不与熔硅起反应,它把熔硅和石英隔开,避免了熔硅对石英坩埚内壁的侵蚀,达到降低单晶硅杂质含量的目的。
  • 氮化涂层坩埚

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