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[发明专利]生产高强度直拉硅单晶用的籽晶的制备方法-CN200410053863.1无效
发明人：杨德仁;余学功;李东升;马向阳;阕端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2004-08-17 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明的生产高强度直拉硅单晶用的籽晶的制备方法，步骤如下：选择间隙氧浓度在(3～30)×10¹⁷cm^－3直拉硅单晶，先在350～1300℃温度范围热处理10分钟～60小时，然后，再将硅单晶切割加工成圆柱形或长方形籽晶；或者首先将间隙氧浓度在(3～30)×10¹⁷cm^－3直拉硅单晶切割加工成圆柱形或长方形籽晶，然后，再在350～1300℃温度范围热处理10分钟～60小时。本发明方法简单易行，通过选择适当氧浓度的直拉硅单晶进行热处理，使得直拉硅单晶体内生成一定量的氧沉淀，这些氧沉淀可以增加硅单晶的机械强度。由此也就获得了高机械强度的籽晶，用于直拉硅单晶的生长，可有效提高直拉硅单晶生长的生产效率。
生产强度直拉硅单晶用籽晶制备方法

[发明专利]直拉法硅单晶生长用硅籽晶及其加工方法-CN02131184.6在审
发明人：屠海令;戴小林;吴志强;周旗钢;张果虎;万关良;王学锋 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2002-10-15 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明公开一种直拉法制备硅单晶所用的硅籽晶及其加工方法。本发明的硅籽晶包括相互连为一体的硅籽晶上部(1a)和硅籽晶下部(1b)，其中所述的硅籽晶上部(1a)为倒圆台、倒棱台或柱体中的一种，所述的硅籽晶下部(1b)为柱体，当所述的硅籽晶上部(1a)为柱体时，所述的硅籽晶上部(1a)柱体的横截面大于所述的硅籽晶下部(1b)柱体的横截面，所述的硅籽晶是通过在不同切割机上对硅单晶进行切割或钻取而成。本发明硅籽晶能够在硅晶体重量高达500kg时，籽晶本身不会发生断裂，而且可以反复使用，大大延长籽晶的使用寿命，降低硅晶体的加工成本。可以用于制造集成电路和其它电子元件的半导体级硅单晶的制备，满足半导体硅材料的发展需要。
直拉法硅单晶生长籽晶及其加工方法

[发明专利]用于单晶硅生长的非Dash缩颈法-CN98807993.3无效
发明人：金孔民;萨达斯瓦姆·钱德拉塞卡 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 1998-08-03 - 公布日： 2000-09-20 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：制造单晶硅棒的非Dash缩颈法,该单晶硅棒按照直拉法拉晶。该方法其特征在于在硅棒生长开始之前,让一大直径、无位错的籽晶进行热平衡,以避免形成由对单晶热冲击而产生的位错。该方法其特征还在于采用电阻加热器来熔化籽晶的下面末端,以便在它接触熔体之前,形成一熔化的帽体。该方法生产出一种单晶硅棒,此种单晶硅棒具有大直径的短缩颈,该大直径的短缩颈是无位错的,并能在生长和随后的处理期间,支承至少重约100kg的硅棒。
用于单晶硅生长 dash 缩颈