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[发明专利]利用螺旋波等离子体技术制备碳化硅薄膜的方法-CN201910367381.X在审
发明人：吴雪梅;陈佳丽;金成刚;季佩宇;诸葛兰剑 -专利权人：苏州大学
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用螺旋波等离子体技术制备碳化硅薄膜的方法，包括以下步骤：（1）将衬底置于真空沉积室内的基片台上；（2）将真空放电室和真空沉积室内的真空抽至本底真空；（3）从螺旋波天线尾部将Ar气通入到放电腔室内，Ar气的流量为20‑100sccm，打开射频电源和直流电源，调节射频电源的射频频率为2MHz‑60 MHz、射频功率为200‑3000W，调节直流电源使轴向磁场强度为200‑5000 Gs；（4）将有机硅烷液体加热蒸发成气体，通入到真空沉积室内，在衬底上沉积碳化硅薄膜。本发明碳化硅薄膜制备的速度非常快，达到了0.93 mm/h，且制备的碳化硅薄膜均匀致密，具有粗糙度低、高的杨氏模量及显微硬度优势，且制备方法操作简单，成本低廉。
碳化硅薄膜真空沉积螺旋波室内制备制备碳化硅薄膜等离子体技术射频电源直流电源衬底本底真空均匀致密射频功率射频频率天线尾部显微硬度杨氏模量液体加热有机硅烷真空放电轴向磁场粗糙度放电腔真空抽沉积蒸发

[发明专利]使用含氧前体的介电阻挡层沉积-CN201410712726.8有效
发明人： L·M·马茨;R·N·弗蒂斯;M·L·奥尼尔;D·西纳托雷 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2009-11-25 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明提供了用于沉积具有改善的屏障介电性能(包括较低的介电常数和优越的电气性能)的介电阻挡薄膜的方法，所述介电阻挡薄膜包括具有硅、碳、氧和氢的前体。这一方法对用于互连结构的金属镶嵌或双重金属镶嵌集成中或用于其他介电阻挡应用中的屏障层是重要的。在这个例子中，注意改善屏障性能的特定结构特性。
使用含氧前体阻挡沉积

[发明专利]一种SiC薄膜制备装置以及在低真空度下制备SiC薄膜的方法-CN201610359775.7有效
发明人：李彬 -专利权人：洛阳理工学院
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC薄膜制备装置以及SiC薄膜的制备方法，制备装置包括CVD反应炉和前驱体炉，CVD反应炉内部设置有加热台，侧壁开设有两个石英窗，外部对应两个石英窗分别设置有激光发射器和高温计，CVD反应炉顶部进气口通过喷嘴和管路分别连接至氩气源和前驱体炉，且与氩气源连接的管路上设置有控制阀Ⅰ，与前驱体炉连接的管路上设置有控制阀Ⅱ。制备SiC薄膜的方法：(1)、SiC膜制备前清洗准备工作；(2)、SiC膜制备前设备调整工作；(3)、SiC膜制备及制备后的调整。本发明制备SiC薄膜的方法，其薄膜的生长速率高，所需的真空度要求低，同时沉积温度较常规手段要低，制作成本低，便于推广利用。
一种 sic 薄膜制备装置以及真空方法

[发明专利]一种基于CVD法制备sic的工艺-CN201810950305.7在审
发明人：孙月静 -专利权人：孙月静
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于CVD法制备sic的工艺，包括以下步骤：(a)在具有小于5°的偏角的4H‑SiC(0001)面的SiC体衬底上进行第一外延生长，作为第一温度1480的主表面，通过使SiC本体衬底与Si供应气体和C供应气体接触，或者更低；(b)在SiC块体基板的温度从第一温度升高到高于第一温度的第二温度期间，停止SiC块体基板与Si供应气体和C供应气体接触；(c)在达到第二温度后，通过使SiC块体基板与Si供应气体和C供应气体接触，在第二温度下在SiC块体基板上进行第二外延生长。
供应气体基板块体外延生长衬底主表面偏角

[发明专利]一种硬质合金表面沉积的SiC涂层-CN201710960444.3在审
发明人：马晓伟 -专利权人：马晓伟
申请日： 2017-10-16 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：为了改善硬质合金的硬度、耐磨性，制备了一种硬质合金表面沉积的SiC涂层。采用YG6硬质合金铣刀片为原料，硬质合金表面沉积的SiC涂层，沉积压力对SiC涂层的力学性能有一定的影响，SiC涂层的致密性随着沉积压力的增大而增大，当沉积压力增大到一定程度时，涂层的致密性不再发生变化。所制得的硬质合金表面沉积的SiC涂层，其硬度、致密化程度、抗弯强度都得到大幅提升。本发明能够为制备高性能的SiC涂层提供一种新的生产工艺。
硬质合金表面沉积沉积压力致密性硬质合金硬质合金铣刀片制备高性能力学性能耐磨性致密化抗弯生产工艺制备

[发明专利]一种CVD SiC绿色清洁生产装备-CN201710292504.9有效
发明人：陈照峰;廖家豪;余盛杰 -专利权人：苏州宏久航空防热材料科技有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：一种CVD SiC绿色清洁生产装备，其特征在于所述的生产装备包括CVD装置10、高温装置20、反应装置90、真空泵装置30、无空气给水装置60、盐酸收集装置40、干燥装置50与储气装置70，各装置依次通过钢管、铝塑管连接形成闭合回路，CVD装置位于高温装置与储气装置之间，通过不锈钢通气管道连接，真空装置与无空气给水装置通过管道连接，所述盐酸收集装置与无空气给水装置通过循环水管道连接，CVD装置数量为1～4套。本发明有益效果是(1)有效解决CVD生产过程尾气处理问题，实现尾气零排放；(2)实现H₂和Ar回收再利用，降低生产成本；(3)CVD装置与高温装置多对一配置，提高生产效率，降低能源消耗。
高温装置给水装置储气装置收集装置盐酸循环水管道真空泵装置闭合回路反应装置干燥装置管道连接能源消耗生产过程生产效率通气管道尾气处理有效解决真空装置多对一零排放铝塑管再利用不锈钢钢管尾气回收配置生产

[发明专利]一种立方碳化硅涂层的制备方法-CN201710803582.0有效
发明人：涂溶;徐青芳;章嵩;张联盟 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种立方碳化硅涂层的制备方法，包括如下步骤：(1)将石墨基板放入冷壁式激光化学气相沉积装置的基板座上，抽真空，使压强降10Pa以下；(2)通入H₂作为稀释气体；(3)打开激光照射石墨基板表面，通过调节激光功率，使石墨快速升温；(4)通入含有前驱体六甲基二硅烷(HMDS)的载流气并调节反应室真空度至2500～4500Pa，保持10～30分钟；(5)关闭激光、HMDS及稀释气，抽真空并自然冷却至室温。本发明沉积所得薄膜为立方碳化硅(β‑SiC)薄膜，且不同的沉积条件下，可形成不同微观形貌的β‑SiC薄膜，可实现石墨材料表面润湿性的可控调节，适合推广应用。
立方碳化硅石墨基板抽真空制备薄膜激光化学气相沉积压强六甲基二硅烷石墨材料表面反应室真空沉积条件激光功率激光照射快速升温微观形貌稀释气体石墨基板座冷壁式前驱体润湿性稀释气放入可控沉积激光

[发明专利]一种用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积装置-CN201910009717.5在审
发明人：田鹏;高占成 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2019-01-05 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及新材料技术领域，具体公开了一种用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积装置，包括安装底座、真空泵和壳体，壳体内部上下两端分别设有一加热板，壳体内部下端的加热板上设有碳化硅衬底，壳体外部左右两侧从上至下依次分别对称设有真空管、第二气体管和第一气体管，且真空管、第二气体管和第一气体管上均设有阀门。本发明通过阀门可以灵活控制真空管、第二气体管和第一气体管的开闭状态，进而可以根据实际的化学气相沉积条件进行实时调整，提高了操作的灵活性，解决了传统的用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积装置由于通气管道比较单一而降低了操作灵活性的问题，有利于提高制备的碳化硅外延片产品的质量。
气体管碳化硅外延真空管化学气相沉积装置加热板阀门新材料技术领域化学气相沉积安装底座从上至下开闭状态壳体内部壳体外部灵活控制上下两端实时调整通气管道左右两侧传统的碳化硅真空泵衬底壳体生产制备对称体内

[发明专利]一种SiC薄膜材料的制备方法-CN201610841190.9有效
发明人：王文庆 -专利权人：深圳市华尔利泰电子科技有限公司
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种第三代宽禁带半导体材料制备技术，特别涉及一种SiC薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：(1)提供并清洗单晶Si衬底，并在该单晶Si衬底上设置一碳纳米管层；(2)将设置有碳纳米管层的生长衬底放入HFCVD系统，在碳纳米管层表面形成SiC膜；(3)将步骤(2)形成的衬底放入MOCVD系统，C₃H₈碳化未被碳纳米管覆盖的单晶Si衬底，形成碳化膜；(4)SiH₄和C₃H₈为生长源生长SiC，形成表面平整的SiC薄膜缓冲层；(5)SiH₄和C₃H₈为生长源生长SiC，形成SiC薄膜层。本发明所述方法制得的SiC薄膜材料的晶体质量良好。
衬底碳纳米管层单晶制备生长源放入生长宽禁带半导体材料表面平整表面形成碳纳米管第三代缓冲层碳化膜碳化清洗覆盖

[发明专利]一种利用微波法制备碳化硅纳米线薄膜的方法-CN201610910710.7有效
发明人：王继刚;周清;余永志 -专利权人：张家港市东大工业技术研究院
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明提供一种制备碳化硅纳米线薄膜的方法，包括将单质碳、单质硅以及二氧化硅充分混合后放入陶瓷坩埚中；再将所述陶瓷坩埚与经过镍盐或铁盐溶液预处理后的陶瓷基板一起放入微波炉的谐振腔中，抽去部分空气，在低气压状态下使用微波进行加热，快速升温至反应温度；在该温度条件下，保温一段时间后，关闭微波，自然冷却至室温。反应结束后，在上述陶瓷基板表面形成的产物即为碳化硅纳米线薄膜。该方法制备过程简单、操作方便，反应原料易得，制备工艺绿色、环保、低能耗、无污染，产物形态均一、尺寸可控、分布均匀。
一种利用微波法制碳化硅纳米薄膜方法

[发明专利]一种高温CVD设备-CN201510419538.0有效
发明人：鞠涛;张立国;李哲;范亚明;张泽洪;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种高温CVD设备，包括：设有内层侧壁与外层侧壁的双层侧壁，以及分别设置在所述双层侧壁两端的盖体，其特征在于，所述双层侧壁周向设有基准法兰，所述基准法兰沿所述双层侧壁轴向固定限位至少一端的所述盖体。所述盖体包括顶盖、上法兰和下法兰，且所述顶盖、上法兰、下法兰和基准法兰逐层压叠，所述上法兰和所述下法兰之间间隙可调整连接，或/和所述下法兰和所述基准法兰之间间隙可调整连接。上法兰、下法兰和基准法兰两两配合分别通过轴向的挤压使套在外层侧壁和内层侧壁外周的胶圈产生径向形变，从而将法兰和侧壁之间密封起来，同时通过严格控制三个法兰的厚度，以此控制因为负压情况下上、下顶盖对法兰的挤压位移较小或为零，从而侧壁端部受到的轴向应力得到了上限控制。
一种高温 cvd 设备

[发明专利]一种直流加热法制备连续钨芯SiC纤维的短流程一体化装置和方法-CN201611004480.4有效
发明人：王玉敏;杨青;张国兴;张旭;杨丽娜;杨锐 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种直流加热法制备连续钨芯SiC纤维的短流程一体化装置和方法，属于SiC纤维制备技术领域。首先将钨丝穿过特定设计的一体化反应器，反应器主要分为三段，前端为钨丝清洗端段，中间为SiC沉积段，尾端为涂层沉积段。采用直流电源对钨丝进行加热，通过调控各段通入的反应气体流量、流速和配比等，可获得适于SiC沉积稳定生长的浓度场和温度场分布，保证了SiC纤维的细小晶粒组织，从而制备出高性能的SiC纤维。该方法的优点是集钨丝清洗、SiC沉积和涂层制备于一体，可大幅度节约空间、缩短流程、提高生产效率并降低成本。
钨丝沉积一体化装置直流加热短流程钨芯清洗反应气体流量一体化反应器制备技术领域温度场分布节约空间生产效率涂层沉积涂层制备细小晶粒直流电源反应器浓度场端段配比三段尾端制备加热穿过生长调控保证

[发明专利]一种化学气相沉积反应器-CN201610805996.2有效
发明人：于伟华;田新;张春伟;江扣龙;王彬 -专利权人：江苏协鑫特种材料科技有限公司;江苏鑫华半导体材料科技有限公司
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学气相沉积反应器，包括反应器壳体和反应器壳体内部的内胆，所述内胆和壳体之间设有加热装置，反应器壳体的底部为底盘，底盘上设有支架，支架上设有托架，反应器壳体的底部设有进气装置，反应器壳体的顶部设有排气装置。所述加热装置和反应器壳体之间设有隔热部件。所述底盘中部设有转动盘，转动盘上端连接到支架，转动盘下端连接转动部件。所述进气装置包括设置在底盘上的反应气体进口和稀释气体进口。
一种化学沉积反应器

[实用新型]一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备-CN201820348953.0有效
发明人：林培英;黄洪福;周玉燕;朱佰喜 -专利权人：深圳市志橙半导体材料有限公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本实用新型公开一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备，包括炉体、气液输送装置、炉腔加热装置、工件放置装置、真空抽气装置以及电气控制系统，其中：所述气液输送装置包括气液混合预热装置以及进气管网，所述进气管网一端与气液混合预热装置连接，另一端设有连接在炉体上；所述炉体的底部设有炉门，所述炉门与驱动该炉门做升降运动的炉门升降机构连接；所述工件放置装置包括工件托盘以及驱动工件托盘转动的托盘驱动机构，该工件放置装置设置于炉门上；所述电气控制系统包括控制器，该控制器分别与气液输送装置、炉腔加热装置、炉门升降机构以及托盘驱动机构进行电连接。该碳化硅沉积处理设备能实现碳化硅薄膜的自动化大批量生产。
炉门工件放置装置气液输送装置碳化硅沉积处理设备炉体电气控制系统炉门升降机构托盘驱动机构工件托盘加热装置进气管网气液混合预热装置控制器热CVD 炉腔真空抽气装置本实用新型碳化硅薄膜驱动升降运动电连接转动自动化生产

[发明专利]一种金刚石切割线及其制备方法-CN201810369986.8在审
发明人：王云;潘影;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：苏州宏久航空防热材料科技有限公司
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石切割线及其制备方法，主要包括以下几个步骤：将金属丝线置于真空反应系统中，以MTS为源气，H2为反应气体，Ar为稀释气体和金刚石粉末的载气体；保持炉内真空度为0~103Pa，升温至1500~1300℃，现将H2和Ar通入真空系统中，保持30‑60min，通入MTS，保持10‑15h；将Ar通入装有金刚石粉末的容器中然后通入真空系统中，气流速度为50~100mg/min，保持1h；降低炉内温度至1000~1050℃，继续通入混有金刚石粉末的Ar，继续反应10~20h；随炉降温。本发明的有益效果：1.工艺简单，可实现产业化；2.所制备的金刚石切割线具有超高的高强度、高耐磨性；3.所制备的金刚石切割线在硬度强度较高的同时，具有较高的韧性。
金刚石切割线制备金刚石粉末真空系统真空反应系统炉内真空度反应气体高耐磨性金属丝线随炉降温稀释气体产业化炉内源气