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[实用新型]一种碳化硅化学气相沉积设备-CN202320458158.8有效
发明人：王雨;张杰;周超前 -专利权人：深圳市矢量科学仪器有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及碳化硅化学气相沉积技术领域，且公开了一种碳化硅化学气相沉积设备，包括沉淀设备，沉淀设备包括安装架、沉积罐、输气管、调节阀、放置台、电加热装置、密封盖、电机、传动杆、导管和分流管。该碳化硅化学气相沉积设备在进行沉积时，可通过电机驱动传动杆旋转从而使放置于放置台放置槽的基体旋转，使其表面可以均匀的分布，同时通过分流管可使气体在输入沉积罐中时于沉积罐均匀分布，进一步提高了沉积效率，通过导管的设置，分流管可通过旋转改变其高度，从而适应不同大小的基体。通过输气管和调节阀，使得可通过输气管向沉积罐输气，通过调节阀可调节进气流量，通过电加热装置可加热沉积罐中的物体。
一种碳化硅化学沉积设备

[发明专利]一种碳化硅化学气相沉积方法及多热源水平壁热式反应器-CN202211523798.9有效
发明人：高冰;叶宏亮;李俊 -专利权人：浙江晶越半导体有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料成型领域，尤其涉及一种碳化硅化学气相沉积方法及多热源水平壁热式反应器，所述方法包括以下步骤：（1）提供一个化学气相沉积室；（2）在化学气相沉积室外壁处设置若干加热器，以及贯穿加热器的前驱体气体入口；（3）在化学气相沉积室内内分别放置基底；（4）从化学气相沉积室一侧的还原气体入口通入还原气体；从前驱体气体入口通入前驱体气体，使得前驱体气体与还原气体在基底表面发生反应，沉积碳化硅薄膜；（5）反应尾气沿化学气相沉积室从气流出口排出。本发明在碳化硅沉积过程中通过改变反应气体的通入方式以及位置，能够有效调节基底表面的碳硅比，同时设置多组加热器能够有效提高控制基底生长温度的灵活性。
一种碳化硅化学沉积方法热源水平壁热式反应器

[发明专利]一种碳化硅化学气相沉积方法及反应器-CN202211523953.7有效
发明人：高冰;叶宏亮;李俊 -专利权人：浙江晶越半导体有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料成型领域，尤其涉及一种碳化硅化学气相沉积方法及反应器，本发明在化学气相沉积过程中采用反应气体入口分开布置的方式，Ar、H2由圆盘中心通入，CH3SiCl3反应气体由圆盘式反应器顶部通入，可以更好地通过控制反应气体流量的方式控制基底表面的碳硅比，调整晶体沉积质量。同时在碳化硅沉积过程中通过将基底设置在单独的反应腔之中，能够增加反应气体在基底表面停留时间的同时，提高气流分布均匀性，从而有效提高碳化硅沉积速率与均匀性。此外，本发明中的圆盘式反应器高度可以适当压缩，其结构更为紧凑占地面积更小，因而制造所需材料少，从而有效降低成本。
一种碳化硅化学沉积方法反应器

[发明专利]碳化钽复合材料-CN202111433622.X有效
发明人：曺东完 -专利权人：韩国东海炭素株式会社
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化钽复合材料，更具体地，涉及一种包括基材及形成在所述基材上的碳化钽膜的碳化钽复合材料，所述碳化钽膜的表面接触角为50°以上，具有较低的表面能。
碳化复合材料

[发明专利]一种提高碳化硅沉积速率与均匀性的方法与反应器-CN202211523952.2有效
发明人：高冰;叶宏亮;李俊 -专利权人：浙江晶越半导体有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料成型领域，尤其涉及一种提高碳化硅沉积速率与均匀性的方法与反应器，所述方法包括以下步骤：（1）提供一个化学气相沉积室；（2）在化学气相沉积室内部设置环形挡板，从而将化学气相沉积室沿纵向分隔成若干相互连通的反应腔；（3）在所述反应腔的中心处放置基底；（4）从化学气相沉积室底部注入含有氢气以及惰性气体的还原气体；从反应腔的侧壁位于每个基底的上游位置处通入前驱体气体，前驱体气体与氢气在反应腔中混合并发生反应，从而在基底的表面沉积碳化硅薄膜。本发明通过改变反应气体的通入方式以及位置，能够有效调节基底表面的碳硅比以及反应气体在基底表面停留时间，有效提高碳化硅沉积速率与均匀性。
一种提高碳化硅沉积速率均匀方法反应器

[发明专利]一种铁基碳化钒涂层的制备方法以及加工装置-CN202310188783.X在审
发明人：段鹏勇;王富龙;王得臣;叶作平 -专利权人：陕西华银科技股份有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明提供一种铁基碳化钒涂层的制备方法以及加工装置，涉及铁基碳化钒涂层制备技术领域，其制备方法具体包括如下操作步骤：S1：钒氯化物气化，S2：喷气，S3：激光束碳化。本发明通过设置驱动组件同时带动两侧的限位组件移动，能够同时对两个铁基体进行夹持固定，通过喷气组件能够同时对两个铁基体进行喷气，再通过旋转气缸带动铁基体进行翻转，翻面后，喷气组件再对铁基体另一面进行喷气，实现对两个铁基体同时且双面喷气的操作，缩短工作时间，降低人工劳动强度，提高了工作效率。
一种碳化涂层制备方法以及加工装置

[发明专利]一种TC4钛合金表面碳化钛涂层的制备方法-CN202310232057.3在审
发明人：郭小敏;高顺;柏旭辉;刘政;李艳 -专利权人：西安航空制动科技有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明属于制备碳化钛涂层技术领域，尤其涉及一种TC4钛合金表面碳化钛涂层的制备方法。包括：利用线切割机对TC4合金锭进行切割取样，得到试样；对所述式样进行打磨抛光；对打磨抛光后的试样进行超声波清洗：采用化学气相沉积法，对步骤3得到的试样进行热解碳沉积，得到含碳化钛涂层的试样；将含碳化钛涂层的试样放入高温炉中进行处理，得到经过热处理的涂层试样。增加表面硬度、降低涂层脆性、降低生产成本，从而提高TC4钛合金耐磨性能，并为产业化应用奠定理论基础。
一种 tc4 钛合金表面碳化涂层制备方法

[发明专利]碳化硅薄膜及其气相沉积方法-CN202180066172.7在审
发明人： B·C·阿科勒斯;A·E·卡洛耶罗斯 -专利权人：盖列斯特有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：提供了一种气相沉积工艺，用于生长沉积的无氢碳化硅(SiC)和包含氧的SiC薄膜(SiC:O)。为了制备SiC薄膜，该方法包括向包含加热基底的反应区提供在有或没有稀释气体的气相中的硅烷烃前体，如TSCH(1,3,5‑三硅杂环己烷)，以使在不与任何其他反应性化学物种或共反应物接触的情况下，前体在基底表面发生吸附和分解，以形成化学计量的、无氢的硅和碳原子比为1:1的碳化硅(SiC)。对于SiC:O膜，将氧源添加到反应区以向SiC膜掺杂氧。在硅烷烃前体中，每个碳原子都与两个硅原子键合，每个硅原子还与两个或更多个氢原子键合。
碳化硅薄膜及其沉积方法

[发明专利]用于制造涂覆碳化硅的主体的工艺-CN202211741629.2在审
发明人：彼得·J·盖尔西奥;保罗·维斯特法尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-12-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过在化学气相沉积方法中使用二甲基二氯硅烷(DMS)作为硅烷源在石墨基板上沉积碳化硅(SiC)来制造涂覆SiC的主体的新的工艺。本发明的另一方面涉及可通过本发明的新的工艺获得的新的涂覆碳化硅的主体，以及涉及其用于制造以下项的用途：用于高温应用、基座和反应器的制品，半导体材料和晶片。
用于制造碳化硅主体工艺

[发明专利]一种CVD法制备碳化钽涂层的方法-CN202310246761.4有效
发明人：冯斌;周刚;相利学 -专利权人：杭州幄肯新材料科技有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种CVD法制备碳化钽涂层的方法；涉及碳化钽涂层制备领域；该方法具体步骤如下：对基底材料进行预处理；将预处理后的基底材料放置于CVD炉的反应室中，开启真空泵，将炉内压力抽至100Pa以下，停止真空泵，充入氩气，静置，再次开启真空泵，将炉内压力抽至30Pa以下；加热，达到沉积温度，保温；开启蒸发装置，设置温度与压力，将钽盐升华为气态，通入氩气作为载气，将气态钽盐携带至混合罐中，与氢气和丙烯混合均匀；混合气体进入CVD炉，加热，控制气体压力，沉积，停止通入气体，停止加热，冷却，得到碳化钽涂层。本发明制得的碳化钽涂层具有较高的力学性能以及优良的耐高温腐蚀性能、抗热震性能的碳化钽涂层。
一种 cvd 法制碳化涂层方法

[发明专利]一种制备TaC的方法-CN202110355584.4有效
发明人：胡晓君;姜从强;陈成克;蒋梅燕;李晓 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备TaC的方法。该制备方法是在HFCVD中利用钽丝作为钽源和加热源，在石墨衬底上一步法直接制备得到TaC，对于拓宽TaC在工业领域的应用有重要价值。
一种制备 tac 方法

[发明专利]耐火碳化物多层物-CN202180057230.X在审
发明人：克里斯蒂安·米利策尔;查尔斯·威加雅瓦德哈纳;乌尔班·福斯伯格;亨里克·佩德森 -专利权人：西格里碳素欧洲公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种耐火碳化物多层物(10)，其包含第一层(11)、第二层(12)和第三层(13)，其中所述第一层(11)的平均厚度为至少25nm且含有至少一种耐火碳化物，所述第二层(12)的平均厚度为至少25nm且含有至少一种耐火碳化物，所述第三层(13)的平均厚度为至少25nm且含有至少一种耐火碳化物，并且所述第一层(11)具有比所述第二层(12)更大的平均线性截距截面晶粒尺寸。
耐火碳化物多层

[发明专利]用于沉积含硅膜的组合物和方法-CN202211551636.6在审
发明人：李明;雷新建;R·N·维蒂斯;R·G·里奇韦;萧满超 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本文描述了在衬底的至少一个表面上形成包含硅和碳的介电膜的组合物和方法，所述方法包括将选自如本文定义的式IA结构表示的化合物和式IB结构表示的化合物的至少一种硅杂环烷烃前体引入所述反应器：
用于沉积含硅膜组合方法

[发明专利]含钼薄膜的制造方法以及通过其制造的含钼薄膜-CN201980074082.5有效
发明人：金铭云;李相益;徐章祐;全相勇;林幸墩 -专利权人： DNF有限公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明提供含钼薄膜的制造方法以及通过其制造的含钼薄膜，本发明的含钼薄膜的制造方法使用钼(0)基碳氢化合物和特定反应气体，从而能够通过简单的工艺容易地制造高纯度薄膜。
薄膜制造方法以及通过

[发明专利]一种反应室及反应装置-CN202111361303.2有效
发明人：肖蕴章;徐鑫;黄帅帅;刘亮辉;刘佳明;陈炳安;钟国仿 -专利权人：深圳市纳设智能装备有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种反应室及反应装置，包括中空发热件、旋转台、防护板组件及分隔件，所述旋转台可转动的设于所述中空发热件的内腔中，所述旋转台用于承载晶圆，所述防护板组件设于所述旋转台的两侧，所述分隔件架设于所述防护板组件上，所述分隔件用于与所述防护板组件配合，在所述内腔中分隔出反应腔，所述反应腔将所述旋转台包围，且所述内腔的表面不暴露于所述反应腔中。通过反应腔将托盘包围，使其不暴露于结构复杂、成本高昂的中空发热件内表面。反应气体从反应腔中流过沉积，不会在中空发热件表面产生沉积。仅需更换结构简单、成本较低的前防护板、后防护板与分隔件即可，维护便利性好，且降低了反应室维护的成本。
一种反应装置