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[实用新型]一种纸质容器内镀真空镀膜设备-CN202320456179.6有效
发明人：成林 -专利权人：昆山浦元真空技术工程有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种纸质容器内镀真空镀膜设备，包括真空腔体、真空腔座与电源，所述真空腔体安装在真空腔座的上端位置，所述真空腔座的中部位于真空腔体内部的位置定位有密封卡座，所述密封卡座内侧定位有纸瓶，所述真空腔座的底部中部定位有绝缘密封座，所述绝缘密封座内壁卡合定位有电极棒，且电极棒位于纸瓶的内部，所述电源与电极棒、真空腔座的位置连接，所述真空腔体与真空腔座之间定位有密封定位器，所述真空腔体的外侧连接有抽气管。本实用新型所述的一种纸质容器内镀真空镀膜设备，使用纸质容器容易在自然环境中降解，而且成本低廉，提高纸质容器的阻隔性能，使纸质容器得到更广泛的使用。
一种纸质容器真空镀膜设备

[发明专利]一种高灵敏度柔性应变传感器的制作方法-CN202111036545.4有效
发明人：马一飞;王梅;黎子健;陈旭远 -专利权人：山西大学
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明属于柔性应变传感器制作领域，柔性应变传感器需具备良好的延展性、高的灵敏度、宽检测范围，现有的高灵敏的柔性应变传感器存在检测范围低，制作方法复杂等问题；而具有较大的检测范围的应变传感器存在灵敏度低，检测下限高等问题，本发明提供一种高灵敏度柔性应变传感器的制作方法，通过等离子增强化学气相沉积系统，利用三维化二维材料力学性能和网状结构，使网状基底上的三维化二维材料为基础制作的传感材料在受到应力而导致应变时产生应变集中效果，产生敏感的拉力响应，实现对传感材料的微小应变的检测，提升了应变传感材料的灵敏度和力学性能，实现更大范围的应变响应。
一种灵敏度柔性应变传感器制作方法

[发明专利]用于等离子体增强化学气相沉积的膜应力控制-CN201980082054.8有效
发明人：高建德;元泰景;卡尔·A·索伦森;桑杰伊·D·雅达夫;李永东;栗田真一;崔寿永 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本公开内容的多个实施方式包括用于在大面积基板上沉积多个层的方法与设备。在一个实施方式中，提供一种用于等离子体沉积的处理腔室。处理腔室包括喷头与基板支撑组件。喷头耦接至射频功率源并且接地，并且喷头包括多个穿孔气体扩散构件。多个等离子体施加器设置于喷头内，其中多个等离子体施加器中的一个等离子体施加器对应于多个穿孔气体扩散构件中的一个穿孔气体扩散构件。进一步地，直流偏压电源耦接至基板支撑组件。
用于等离子体增强化学沉积应力控制

[发明专利]一种镀膜返工片的处理方法-CN202111616011.9在审
发明人：刘恩华;姜大俊;潘励刚;郑旭然 -专利权人：盐城阿特斯阳光能源科技有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明提供一种镀膜返工片的处理方法，所述处理方法包括：待处理的镀膜返工片在管式镀膜装置中依次进行去膜处理和镀膜，得到镀膜电池片；所述去膜处理的通入气体为氨气和/或氮气，所述去膜处理的时间为1300‑2300s。所述处理方法中的去膜处理在管式镀膜装置中进行，无需采用酸液清洗，无需重新制绒，有效简化了镀膜返工片的处理工艺，节省返工流程时间，降低返工成本；而且避免了酸液清洗和重新制绒对硅片造成的损伤，也不会产生废液的处理问题，从而大大降低了返工处理的物料和设备成本，显著提升了镀膜返工片的处理效率。
一种镀膜返工处理方法

[发明专利]一种掺铍的碳氢涂层、其制备方法及制备装置-CN201710342715.9有效
发明人：张吉强;罗江山;陈龙;金雷;何玉丹;李恺;罗炳池;李文琦;谭秀兰;李喜波;康晓丽;徐习斌 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺铍的碳氢涂层的制备方法，其步骤为：氢气在射频电感放电激发下电离形成氢等离子体，另一路氢气作为载气，经过预先加热后进入源瓶，携带有机铍蒸汽进入所述氢等离子体中心，所述有机铍在所述氢等离子体中，被打断成铍和碳氢片段，所述铍和碳氢片段共沉积在基底上，得到掺铍的碳氢涂层；还公开了用于制备该掺铍的碳氢涂层的装置；本方法通过共沉积铍和碳氢片段，形成均一的、无定形的掺铍的碳氢聚合物涂层材料，该材料作为激光聚变能源研究中的烧蚀层材料，该材料具有高X射线透过率、高烧蚀稳定性等优点。
一种碳氢涂层制备方法装置

[发明专利]提高薄膜致密度一致性的化学气相沉积方法-CN202310280206.3在审
发明人：王康康;邱宗钰;周成龙;谷丹;颜士旭;鲍利波;许元飞 -专利权人：北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明提供一种提高薄膜致密度一致性的CVD方法，属于集成电路制造领域。本发明的方法包括：间距调整步骤：调整第一下电极的位置，从而调整第一上电极和第一下电极之间的间距；预沉积步骤：通过第一加热装置和第二加热装置将第一晶圆和第二晶圆加热至初定温度和沉积温度，然后向腔室中通入反应气体；沉积步骤：继续通过供气装置向腔室中通入反应气体，将第一晶圆和第二晶圆保持在沉积温度，并施加射频电压，使反应气体电离，并沉积在第一晶圆和第二晶圆上，形成薄膜；以及抽气步骤：保持沉积温度，关闭射频电压，停止通入反应气体，抽出剩余气体。通过本发明的方法，可以提高两个沉积单元沉积的薄膜的致密度的一致性，从而提高产品性能。
提高薄膜致密一致性化学沉积方法

[发明专利]一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构-CN201710793917.5有效
发明人：杨元才;褚景豫;钱鹏亮;熊凯;朱振东 -专利权人：上海福宜真空设备有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构，包括双层水冷腔体、同轴电缆接头、屏蔽罩，屏蔽罩设置在双层水冷腔体的上方；同轴电缆接头设置在屏蔽罩上，在屏蔽罩与双层水冷腔体之间设置一焊接法兰；焊接法兰的上方设置第一绝缘法兰；第一绝缘法兰上方设置一接线法兰，接线法兰上中心设置一中心圆孔，在其的上方开设一凹槽，设置一进气管；在其两侧各设置一电刷；设置在凹槽内；电刷的一端抵住进气管的外侧；电刷的另一端抵住凹槽的两侧；进气管向下依次穿过第一绝缘法兰、焊接法兰和双层水冷腔体；在进气管与第一绝缘法兰、焊接法兰和双层水冷腔体之间设置一绝缘套；解决了射频信号引入失效的问题。
一种等离子体增强化学沉积设备射频信号引入结构

[发明专利]一种等离子增强型化学气相沉积的接地线结构-CN202310197600.0在审
发明人：黄德伦;庄君伟;范鹤腾;夏宗法;黄志鸿 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子增强型化学气相沉积的接地线结构，包括有真空侧接地线，真空侧接地线的一端与下电极连接，在工艺腔上开设有安装孔，安装孔安装有接地线本体，且接地线本体与工艺腔绝缘连接，真空侧接地线的另一端与接地线本体连接，接地线本体连接有大气侧接地线，大气侧接地线一侧与工艺腔连接，大气侧接地线上连接有可变电阻，接地线本体还连接有检测机构，检测机构连接有控制模块，控制模块根据检测结果控制可变电阻的大小，改变大气侧接地线的通断。本发明能够及时的监控真空侧接地线的断裂数量和断裂位置，在局部真空侧接地线断裂的情况下，不需要立马对工艺腔进行保养维护，延长保养工艺腔周期，能够提高设备的产能。
一种等离子增强化学沉积接地线结构

[发明专利]一种粉体专用多搅拌轴真空气相沉积炉-CN202010043014.7有效
发明人：言伟雄 -专利权人：株洲弗拉德科技有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明提出了一种粉体专用多搅拌轴真空气相沉积炉，所述真空气相沉积炉包括加热炉体、冷却炉体、称重传感器、真空通道、上电极、进料管、测温部件；所述加热炉体内设置有高速搅拌轴及低速搅拌轴。所述上电极和高速搅拌轴分别与射频电源的两个输出电极相连或/和直流电源的两个输出电极相连。各部分受控的气压、气氛、电场、磁场、加热方式组合使用实现对粉体材料的真空气相沉积工艺。
一种专用搅拌空气沉积

[发明专利]高蚀刻选择性非晶碳膜-CN202180059228.6在审
发明人： R·普拉萨德;S·博贝克;P·K·库尔施拉希萨;K·D·李;H·怀特赛尔;押尾英隆;李铜衡;D·M·拉杰米特尔;S·福克;V·R·查瓦 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：提供了用于在基板上沉积非晶碳膜的方法和技术。在一个示例中，方法包括在第一处理区域中的位于基座上的底层上沉积非晶碳膜。方法进一步包括在第二处理区域中将掺杂剂或惰性物种注入到非晶碳膜中。在一些组合中的注入物种、能量、剂量以及温度可用以增强硬模硬度。方法进一步包括将经掺杂的非晶碳膜图案化。方法进一步包括蚀刻底层。
蚀刻选择性非晶碳膜

[发明专利]环硅氧烷和由其制备的膜-CN202180053299.5在审
发明人： F·G·布朗;R·N·弗蒂斯;R·G·里德格韦;萧满超;S·K·拉加拉曼;D·P·思朋斯 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：公开了可用于通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺将低介电常数(低k)绝缘材料沉积到半导体器件的高纵横比间隙、沟槽、通孔和其它表面特征中的组合物。所述组合物可包含衍生自三甲基环三硅氧烷、四甲基环四硅氧烷或五甲基环五硅氧烷的烷氧基官能化的环硅氧烷。烷氧基官能化可包含1至10个碳原子。还公开了通过PECVD工艺沉积烷氧基官能化的环硅氧烷组合物的方法。最后，公开了在衬底上的包含可流动液体或低聚物的膜，其包含低聚或多聚的烷氧基官能化的环硅氧烷组合物。
环硅氧烷制备

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201980031668.3有效
发明人：山涌纯 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明的成膜装置通过等离子体ALD在基片上形成规定的膜，其包括：腔室；载置台；喷淋头，其具有上部电极和与上部电极绝缘的喷淋板；与上部电极连接的第一高频电源；以及与包含于载置台的电极连接的第二高频电源。通过从第一高频电源对上部电极供给高频电功率，在上部电极与喷淋板之间形成高频电场，生成第一电容耦合等离子体，通过从第二高频电源对电极供给高频电功率，在喷淋板与电极之间形成高频电场，生成与第一电容耦合等离子体独立的第二电容耦合等离子体。
装置方法

[发明专利]薄膜沉积方法-CN202211082586.1在审
发明人：申晙惺;崔暎喆;金东鹤 -专利权人：圆益IPS股份有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜沉积方法，更具体而言，涉及一种可以薄膜沉积方法，通过导入脉冲型等离子体吹扫工艺，从而防止超细微薄膜的厚度增加和生成的颗粒导致的物性变化。本发明中的薄膜沉积方法可将RF电源施加至腔室，并利用了在上述腔室内部产生等离子体而在基板上形成薄膜的基板处理装置，其包括：向上述腔室内部准备基板的步骤；在上述腔室内部生成第一等离子体，供应源气体而在上述基板上形成薄膜层的薄膜形成步骤；以及向上述腔室内生成提前预设好占空率的第二等离子体，供应惰性气体而在上述腔室内部将残留源气体清除的脉冲型等离子体吹扫步骤。
薄膜沉积方法

[发明专利]半导体器件及其薄膜沉积装置及方法-CN202211598687.4在审
发明人：郑意;野沢俊久;许嘉毓;娄文博;李健;陈新益 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的薄膜沉积装置、一种半导体器件、一种半导体器件的薄膜沉积方法以及一种计算机可读存储介质。该半导体器件的薄膜沉积装置包括反应腔、射频发生器、可调电容及控制器，其中，控制器被配置为：确定对半导体器件进行薄膜沉积时的目标能量密度；根据目标能量密度及射频发生器的射频频率，调节可调电容的电容值，以使沉积功率、射频时间及反应腔中的沉积压力匹配目标能量密度；以及基于目标能量密度的工艺条件，对半导体器件进行薄膜沉积。
半导体器件及其薄膜沉积装置方法

[发明专利]一种改善InGaAs表面沉积SiO2-CN202211443001.4在审
发明人：黄惠莺;薛正群 -专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善InGaAs表面沉积SiO2脱落的方法，包括以下步骤：（1）当晶圆片完成外延结构生长之后，先用盐酸腐蚀表面的INP材料，再放入氟化铵溶液中，将裸露出来的InGaAs腐蚀3min，随后冲水干净后用氮气枪吹干，并烘干，保证晶圆片完全干燥；（2）通过在沉积SiO2的预清洗阶段增加笑气清洗，并适当增加清洗的流量和射频功率。本发明的方法解决了PECVD在InGaAs表面沉积SIO2脱落的问题，对InGaAs衬底表面进行预处理，优化生长SIO2的recipe，使得SIO2膜与晶圆上的InGaAs粘附更好，减少其它SIO2膜异常的出现。
一种改善 ingaas 表面沉积 sio base sub