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[发明专利]射频电极及薄膜制备装置-CN200810127058.7在审
发明人：范振华 -专利权人：东莞宏威数码机械有限公司
申请日： 2008-06-19 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于薄膜制备的射频电极，该射频电极具有平板结构(11)，且在平板结构(11)的底面设有多个导电凸起(13)。本发明还涉及一种包括上述射频电极的薄膜制备装置，其中射频电极的多个导电凸起(13)伸入布气板(3)上分布的布气孔(4)的中央，在导电凸起(13)和布气孔(4)之间存在间隙。本发明在平板结构上设置了插入布气孔中的导电凸起，使得薄膜制备过程中通过布气孔中的气体能够在导电凸起周围产生强烈放电，从而减少了电离出的离子对薄膜的轰击损伤，提高了沉积膜层的质量。
射频电极薄膜制备装置

[实用新型]一种用于有机电致发光器件封装的多功能成膜系统-CN200720099722.2无效
发明人：杨利营;印寿根;叶丹琴;董波;许昊;华玉林 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2007-09-28 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：一种用于有机电致发光器件封装的多功能成膜系统。该系统由射频等离子体聚合装置和对二甲苯热解聚合成膜系统、真空室和抽气系统所构成。本实用新型根据射频等离子体聚合原理和聚对二甲苯热解成膜原理，在真空室中同时安装这两种装置。使该系统既能对制备的有机电致发光器件采用聚对二甲苯薄膜加以保护，又能对其镀等离子体聚合膜；还可以实现二者的多层连续镀膜。选择合适的成膜气体，可以连续进行有机/无机多层复合薄膜的沉积。所镀的保护膜具有较好的防氧化、防潮的性能。有利于简化有机电致发光器件的封装工艺，使生产规模化。
一种用于有机电致发光器件封装多功能系统

[发明专利]增加等离子体增强化学气相沉积电介质薄膜压应力的方法-CN200710165143.8无效
发明人：米哈拉·鲍尔西努;维克托·T·恩古源;夏立群;弗拉迪米尔·朱布科夫;德里克·R·威蒂;希姆·M·萨德 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-10-29 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明提供一种用于形成具有压应力的碳掺杂氮化硅层的方法。该方法包括形成初始层和该初始层上的体层，其中体层的压应力在大约－0.1GPa至约－10GPa之间。初始层由包括含硅和碳的前驱物以及选择性地包括氮和/或氧源但不包括氢气的气体混合物沉积。体层由包括含硅和碳的前驱物、氮源以及氢气的气体混合物沉积。初始层是允许体层的压应力良好地通过传输到底层的薄层，例如晶体管的沟道。
增加等离子体增强化学沉积电介质薄膜应力方法

[发明专利]可获得均匀电场的大面积VHF－PECVD反应室异形电极-CN200710150228.9无效
发明人：赵颖;张晓丹;葛洪;薛俊明;任慧志;许盛之;张建军;魏长春;侯国付;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2007-11-19 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种可获得均匀电场的大面积VHF－PECVD反应室异形电极。它的功率电极板在功率馈入端口附近设有对应的附加电极片，所述附加电极片平行于功率电极板水平面，所述附加电极片的厚度小于功率电极板，所述附加电极片连接在功率电极板的功率电极面的边缘。本发明的异形功率电极可以在任意激发频率和任意面积大小的PECVD反应室中采用。这种异形功率电极利用电极功率馈入端口的附加电极改变电极表面电流分布，可以抑制电极馈入端口附近电势的对数奇点效应。
可获得均匀电场大面积 vhf pecvd 反应异形电极

[发明专利]可获得均匀电场的大面积VHF－PECVD反应室背馈入式平行板功率电极-CN200710150229.3无效
发明人：赵颖;张晓丹;葛洪;任慧志;薛俊明;许盛之;张建军;魏长春;侯国付;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2007-11-19 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种可获得均匀电场的大面积VHF－PECVD反应室背馈入式平行板功率电极，包括平行板功率电极板和功率馈入连接端口，其特征在于所述功率馈入连接端口位于功率电极板的背面，功率电极板的正面与衬底S相对。本发明利用电极功率馈入端口位置的优化分布，抑制了电极馈入端口附近电势的对数奇点效应和电势驻波效应，使电场分布均匀性得到较大的改善，因而可以避免由于采用电极边缘功率馈入方式造成的电场分布不均匀问题。本发明解决了大面积电极板电位分布的均匀性问题，为研发大面积VHF－PECVD薄膜沉积和刻蚀系统奠定了基础，可有力推动硅薄膜电池和薄膜晶体管矩阵技术产业化进程。
可获得均匀电场大面积 vhf pecvd 反应室背馈入式平行功率电极

[发明专利]一种可获得均匀电场的大面积VHF－PECVD反应室电极-CN200710150227.4无效
发明人：赵颖;张晓丹;葛洪;任慧志;许盛之;张建军;薛俊明;魏长春;侯国付;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2007-11-19 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种可获得均匀电场的大面积VHF－PECVD反应室电极。它包括功率电极板和功率馈入端口，所述功率电极板在功率电极面与功率电极馈入端口之间，设有电极槽。应用本发明的这种电极可获得具有均匀电场的大面积VHF－PECVD反应室。本发明通过优化大面积甚高频功率源馈入方式、电极结构等，解决大面积电极板电位分布均匀性，是研发大面积VHF－PECVD薄膜沉积和刻蚀系统的基础，这种刻槽式电极利用电极功率馈入端口沟槽分布改变电极表面电流的分布，可以抑制电极馈入端口附近电势的对数奇点效应。
一种可获得均匀电场大面积 vhf pecvd 反应电极

[发明专利]成膜装置，匹配器以及阻抗控制方法-CN200680004026.7有效
发明人：松田聪;浅原裕司;山越英男;后藤征司 -专利权人：三菱重工食品包装机械株式会社;麒麟麦酒株式会社
申请日： 2006-01-24 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明用于实现避免在紧接等离子体着火后发生的以负荷阻抗的急剧变化为起因的等离子的消失的阻抗控制。本发明的成膜装置包括：高频电源、匹配电路、经由该匹配电路接收电力，通过该电力在容纳成膜对象的树脂瓶的成膜室内部产生等离子体的外部电极、以及用于控制匹配电路的阻抗的控制单元。控制单元在高频电源开始向外部电极提供电力的第1时刻t₁起的第1期间内将匹配电路的阻抗保持一定，在第1期间结束的第2时刻t₂起开始的第2期间内，响应来自外部电极的反射波电力而控制匹配电路的阻抗。
装置配器以及阻抗控制方法

[发明专利]一种用于大面积薄膜生长的真空等离子体反应器-CN200710134954.1无效
发明人：辛煜;施毅;左则文;宁兆元 -专利权人：苏州大学;南京大学
申请日： 2007-10-31 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于大面积薄膜生长的真空等离子体反应器，包括反应腔体、射频电源，所述反应腔体顶部设有进气孔，底部设有真空抽气口，所述反应腔体内设有与射频电源通过匹配网络连接的电极板、用于承载基片的基片架电极，其特征在于：所述电极板为由方形电极构成的极板阵列；所述进气孔经分进气管道连通至位于各方形电极板中央的气体导流孔；还设有与上电极板和基片架电极板处于同平面且呈同轴排列的接地匀流环，所述接地匀流环上分布有通孔。本发明提高了射频功率的耦合效率，可以在较大面积范围内获得均匀的射频场。
一种用于大面积薄膜生长真空等离子体反应器

[发明专利]卷绕式等离子CVD装置-CN200680001884.6有效
发明人：广野贵启;多田勋;中塚笃;菊池正志;小形英之;川村裕明;斋藤一也;佐藤昌敏 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2006-05-10 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明提供一种卷绕式等离子CVD装置，能将反应气体均匀地供给到薄膜的成膜区域、实现膜质的均匀化，在薄膜的成膜过程中也能进行成膜部的自清洗。相对于薄膜的移动方向，在成膜部(25)的上游侧和下游侧配置一对可动辊(33、34)，将薄膜(22)支承在该一对可动辊(33、34)之间，使薄膜(22)在成膜位置大致直线地移动。这样，可将喷淋板(37)与薄膜(22)之间的相向距离保持为一定、实现膜质的均匀化。薄膜(22)被在其背面侧同时移动的金属带(40)加热。可动辊(33、34)能从成膜位置上升到自清洗位置，使薄膜(22)远离喷淋板(37)。用闸门(65)将罩(51)的开口部封闭，防止自清洗气体漏出，可进行成膜过程中的自清洗。
卷绕等离子 cvd 装置

[发明专利]用于处理衬底的设备-CN200710110927.0无效
发明人：李龙炫 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2007-06-08 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：一种用于处理衬底的设备包含：腔室；基座，其位于所述腔室中；等离子产生单元，其用于在所述腔室中产生等离子；电源单元，其向所述等离子产生单元提供功率；以及接地线，其连接到所述基座的外围，其中所述接地线的总宽度与所述基座的周长的比率在2％到15％的范围中。
用于处理衬底设备

[发明专利]薄膜成膜方法、薄膜成膜装置和薄膜成膜过程的监视方法-CN03822759.2有效
发明人：挂村敏明;鹿岛浩人;十野学 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2003-09-26 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：在将含有单体气体和氧化性反应气体的混合气体等离子化，在基材的表面上形成氧化物组成的薄膜的薄膜成膜方法中，具有一边使所述的单体气体与所述的反应气体的供给流量比发生变化，使所述的供给流量比至少包括特定范围，一边将混合气体等离子化的特征。采用这种薄膜成膜方法和成膜装置，能够没有波动和稳定地形成具有气体阻挡性等性能的薄膜。而且，本发明还提供了一种监视方法，其特征在于，在使薄膜成膜之际测定从等离子放出的氢α射线和氧射线的强度，将各强度与可以得到所需膜质的薄膜时各射线的标准强度作对比，判定是否使所需膜质的薄膜成膜。利用所述的监视方法和薄膜成膜装置，能够在过程中判断成膜的薄膜是否具有所需的膜质。
薄膜方法装置过程监视

[发明专利]等离子体CVD薄膜形成设备以及制造镀覆有CVD薄膜的塑料容器的方法-CN03808176.8无效
发明人：浜研一;鹿毛刚;竹本圭秀;小林巧 -专利权人：三菱商事塑料株式会社;友技科株式会社
申请日： 2003-04-09 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体CVD薄膜形成设备。对于常规的CVD薄膜成形设备，必须要将外电极限定为中空结构，该中空结构包括一用于容纳容器的空腔，且该空腔的形状要大体上类似于容器的外部形状，本发明消除了这一缺陷。本发明等离子体CVD薄膜成形设备的特征在于：向相互分离的外电极内壁面与容器内壁面之间形成的空间内输送一种容器外气体，由此，在利用CVD方法形成薄膜的过程中，由容器外气体生成的等离子体作为导体而向容器的外壁面传输高频能量，从而获得了这样的状态—该状态等同于外电极内壁面与塑料容器外壁面保持接触时的状态，这样就可以向容器的内壁面施加一个均匀的自偏电压。
等离子体 cvd 薄膜形成设备以及制造镀覆塑料容器方法

[发明专利]PECVD沉积低应力SiN薄膜工艺-CN200410061150.X无效
发明人：于映;罗仲梓;吴清鑫 -专利权人：福州大学
申请日： 2004-11-16 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：一种PECVD沉积低应力SiN薄膜工艺，是一种产品致密性好、生长厚度较厚、绝缘性好的PECVD沉积低应力SiN薄膜工艺。本发明经过清洗并烘干基片、在PECVD真空室内升温至150～300℃并保持稳定时，给真空室充入N₂稀释的8～12％的SiH₄和NH₃至1～5Pa，并加上射频功率使其放电，进行沉积分。将沉积完成SiN薄膜的基片放入烘箱内，冲入N₂气进行保护，升温，到达280℃后保温，再降温到室温。本发明可以制作出致密性好，绝缘强度高的SiN薄膜，SiN薄膜能够成为结构梁，且薄膜具有应力小和强度高等特点，并可生长到1μm厚。本具有沉积温度低，沉积效率高的优点。
pecvd 沉积应力 sin 薄膜工艺

[发明专利]等离子体增强式化学气相沉积处理方法-CN03151022.1有效
发明人：汪钉崇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2003-09-18 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：一种等离子体增强式化学气相沉积处理方法，用于在半导体晶片表面上沉积薄膜，包括：稳定化步骤，即向反应炉中通入前驱气体；沉积步骤，即向反应炉中输入射频能，继续通入前驱气体，同时通入反应气体；钝化步骤，即停止通入反应气体，但继续输入射频能；以及抽气步骤，即关闭射频能，停止通入前驱气体，用抽气泵抽出反应炉中的剩余气体；其中，在上述钝化步骤中：射频能与所述沉积步骤的射频能相同或更低；钝化步骤中继续通入前驱气体并持续3－15秒钟；由于本发明增加了钝化步骤，使得晶片薄膜表面上未反应完全的Si键继续反应直至结束，因此能够消除不完全表面反应和悬挂键，从而避免了上覆薄膜中凸块的形成，进而能够消除由此引起的缺陷，提高了产品的合格率。
等离子体增强化学沉积处理方法

[发明专利]透明导电膜的等离子体增强化学气相沉积设备-CN200310110912.6无效
发明人：冯良桓;奚建平;雷智;蔡伟;郑家贵;王钒 -专利权人：四川大学
申请日： 2003-11-12 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明名称为“透明导电膜的等离子体增强化学气相沉积设备”，属于光电功能材料的规模化生产设备。本发明为实施特殊金属氧化物薄膜的制造技术，着重解决大面积薄膜的性能优良，厚度均匀及废气排放等问题。其特点在于设置了特殊的均压喷口，用接地电极对射频电极进行充分的屏蔽、安装冷阱捕集反应废气。本发明适用于多种氧化物薄膜的大面积制造。
透明导电等离子体增强化学沉积设备

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