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[发明专利]蓝光激发的宽半高宽近红外荧光陶瓷及其制备方法和应用-CN202310357588.5在审
发明人：马跃龙;鹿莉莉;朱红瑜;李星灿;邵晨阳;邱慧;田野;王东 -专利权人：河南工业大学;嵩山实验室
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝光激发的宽半高宽近红外荧光陶瓷及其制备方法和应用，该近红外荧光陶瓷化学式为(Gd1‑xCax)3(Sc1‑yCry)2(Al1‑zSiz)3O12，其中0.02≤x≤0.06，0.004≤y≤0.012，0.04≤z≤0.12，x:z=1:（1.5‑2）；采用固相反应法结合高温烧结制备该近红外荧光陶瓷。本发明的近红外荧光陶瓷发光中心Cr离子的价态为+3，其发射光谱主峰在780‑850nm之间，半高宽在240‑280nm之间，在高功率蓝光LED或LD激发下，实现700‑950nm的近红外发光。本发明的近红外荧光陶瓷相结构为钆钪铝石榴石，具有发光效率高、发射光谱半高宽宽等优势。
激发宽半高宽近红外荧光陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种铌基合金熔炼用氧化钇基复相陶瓷坩埚及其制备方法-CN202310491779.0在审
发明人：王周福;宋浩恺;刘浩;马妍;王玺堂 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌基合金熔炼用氧化钇基复相陶瓷坩埚及其制备方法。其技术方案是：将氧化钇粉体与碳化钛粉体共混，球磨，干燥，得到复合粉体；再进行冷等静压成型，得到坩埚坯体；对坩埚坯体进行真空感应烧结，得到坩埚基体；将坩埚基体干燥，置于超支化聚碳硅烷中，在真空和高压条件下保压，固化，于1200～1400℃和氩气气氛中高温裂解；将高温裂解得到的预处理后的坩埚基体包埋于硅粉‑氯化钙复合粉体中，在真空感应烧结炉中于真空度为10‑3～10‑2MPa和1700～1900℃的条件下烧成，制得铌基合金熔炼用氧化钇基复相陶瓷坩埚。所制制品不仅具有优良的断裂韧性、良好的热震稳定性和优异的抗合金熔体侵蚀能力，且使用寿命长和合金熔体洁净度高。
一种合金熔炼氧化钇基复相陶瓷坩埚及其制备方法

[发明专利]烧结体-CN202180086145.6在审
发明人：松仓贤人;田崎義昭;团未那美 -专利权人：日本钇股份有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明的烧结体在X射线衍射测定中以钙钛矿型YAlO3(YAP)作为主相，维氏硬度为11GPa以上。此外，本发明的烧结体在包含除YAlO3以外的组合物的情况下，该组合物优选为实质上由Y3Al5O12和Y4Al2O9构成的组合物，绝对密度还优选为5.1g/cm3以上。开气孔率还优选为1％以下，晶粒的平均粒径还优选为10μm以下。
烧结

[发明专利]基于高熵稀土锡酸盐的氧不敏感型负温度系数热敏材料-CN202310007147.2有效
发明人：高博;李晓卉;孔雯雯;陈肖伊;常爱民 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明涉及一系列基于高熵稀土锡酸盐的氧不敏感型负温度系数热敏材料，该氧不敏感型负温度系数热敏材料以三氧化二镧、三氧化二钕、三氧化二钐、三氧化二钆和二氧化锡分别和三氧化二铕、三氧化二镝、三氧化二钬或三氧化二镱为原料，经过三维震动混合球磨、煅烧、二次球磨、冷等静压成型、高温烧结，即可得到烧绿石结构(La0.2Nd0.2Sm0.2Gd0.2M0.2)2Sn2O7（M=Eu、Dy、Ho或Yb）热敏材料。该系列材料电性能参数为：B400℃/1400℃=11820~12519±2.31%K，ρ1400℃=3.22~5.67×102±1.56%Ω·cm。本发明制备的高熵稀土锡酸盐基氧不敏感型负温度系数热敏材料(La0.2Nd0.2Sm0.2Gd0.2M0.2)2Sn2O7（M=Eu、Dy、Ho或Yb）在温度区间400℃~1400℃内具有优良的负温度系数特性，并在高温下表现出良好的老化稳定性，在1400℃下老化500小时后电阻漂移率均小于1.95%。
基于稀土锡酸盐敏感温度系数热敏材料

[发明专利]一种激光照明用高光效复相荧光陶瓷及其制备方法-CN202210813509.2有效
发明人：张乐;张曦月;李延彬;杨聪聪;黄国灿;王忠英;邵岑;康健;周春鸣;李明;陈浩 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光照明用高光效复相荧光陶瓷及其制备方法，以Y2O3、Al2O3、CeO2、MgO和SiO2作为原料粉体，通过控制烧结温度制备出的以Y3MgAl3SiO12相作为主相，(Y/Mg)4(Al/Si)2O9为二相的复相荧光陶瓷，二相作为散射中心，增强了光散射效应，显著提高了其光提取率。本发明制得的复相陶瓷在波长为455nm蓝光LD芯片激发下，可承受激发功率密度为35Wmm‑2～45Wmm‑2，发射205lm/W～265lm/W的超高光效黄橙光，且制备方法简单，用时短，烧结温度相对较低，可应用于LD器件工业化生产。
一种激光照明用高光效复相荧光陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种纳米结构双硅酸镥喂料及其制备方法和应用-CN202310145214.7有效
发明人：徐宝升;郭东辉;周飞飞;王顺 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米结构双硅酸镥喂料及其制备方法和应用。所述方法包括如下步骤：(1)将纳米Lu2O3粉体和纳米SiO2粉体进行球磨，得到混合浆料；所述纳米Lu2O3粉体和纳米SiO2粉体的摩尔比为1：(2.4～2.6)；(2)将所述混合浆料进行喷雾造粒，得到复合粉体；(3)将所述复合粉体进行高温烧结，得到纳米结构双硅酸镥喂料；所述纳米结构双硅酸镥喂料不含有单硅酸镥Lu2SiO5。本发明制备的纳米结构双硅酸镥喂料纯度高，产物中不含Lu2SiO5，纳米结构双硅酸镥喂料内部组织为纳米晶，喂料粒度分布均匀、致密性高、流动性好、振实密度大，可以大大提高后续涂层的性能，适合用于等离子喷涂工艺。
一种纳米结构硅酸喂料及其制备方法应用

[发明专利]一种低电阻率高B值的NTC热敏电阻材料及制备方法-CN202211534682.5有效
发明人：潘士宾;包汉青;严友兰 -专利权人：唐山恭成科技有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电阻率高B值的NTC热敏电阻材料及制备方法，该NTC热敏电阻材料由尖晶石相和LaxBa1‑xCoO3钙钛矿相构成，其化学组成为aLaxBa1‑xCoO3‑(1‑a)CoyMn3‑yO4，其中0.01≤a≤0.3，0.2≤x≤0.8，1.0≤y≤2.0。尖晶石相由三氧化二锰和三氧化二钴通过高温固相反应合成，其电阻‑温度关系具有典型的NTC效应；钙钛矿相由三氧化二镧、碳酸钡和三氧化二钴通过高温固相反应合成，当0.2≤x≤0.8时具体很高的导电性，电阻率小于1×10‑2Ω·mm。本发明可以获得常规NTC热敏材料不具备的低电阻率高B值性能，进一步扩展NTC热敏电阻元件的应用范围。
一种电阻率 ntc 热敏电阻材料制备方法

[发明专利]一种LTCC应用的高性能微波介质陶瓷材料及制备方法-CN202310560980.X在审
发明人：王莹;施明安;夏往所;马书杨;宋清润;王嘉宁 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种LTCC应用的高性能微波介质陶瓷材料及制备方法，包括以下步骤：步骤1，将Bi2O3、CeO2按不同的比例进行称量配料，得到化学原料；步骤2，将化学原料混合后球磨；步骤3，将化学原料烘干；步骤4，将粉料过X3目筛；步骤5，将粉料置于坩埚中预烧；步骤6，将化学原料混合，加入球磨罐中球磨；步骤7，将化学原料烘干；步骤8，将粉料过X5目筛；步骤9，在粉料中加入质量百分比为5％的石蜡，置于电阻炉上翻炒均匀，过X5目筛；步骤10，将粉料用粉末压片机压制成型为坯体；步骤11，将坯体进行烧结、保温。本发明所使用的制备工艺稳定，操作成熟；过程无污染，适合工业化生产。
一种 ltcc 应用性能微波介质陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种致密的辐射防护陶瓷及其制备方法-CN202310262704.5在审
发明人：时坚;于波;李怀乾;魏彦鹏;苗治全;刘世昌;成京昌;王景成;高鹏;关书文 -专利权人：中国机械总院集团沈阳铸造研究所有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种致密的辐射防护陶瓷及其制备方法，涉及辐射防护材料领域，所述陶瓷以氧化硼、氧化锂、氧化钨和稀土氧化物为原料制成，所述稀土氧化物为氧化钐、氧化钆、氧化铕之一种或几种的组合。传统防护材料存在毒性、耐温能力不足、需要与基体材料或支撑结构组合等问题，造成屏蔽体体积和重量增加。本发明利用高温固相反应制粉，通过无压烧结工艺制备屏蔽陶瓷块体，可获得理论密度在90％以上的致密陶瓷屏蔽体。所得材料可用于医疗辐射源、工业辐射源、核反应堆、乏燃料贮运容器等中子、γ射线防护领域。
一种致密辐射防护陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种铌镱酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法与应用-CN202310468918.8在审
发明人：翟继卫;陈楚凯;葛广龙;杨静 -专利权人：同济大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌镱酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法与应用，反铁电陶瓷材料的化学通式为(Pb1‑xSrx)(Yb0.47Fe0.03Nb0.5)O3，其中0≤x≤0.12。与现有技术相比，本发明同时采用A、B位共掺的组分设计以及工艺优化，能够制得室温下具有优异储能密度(13.39J/cm3)和高储能效率(76.17％)的铌镱酸铅基反铁电陶瓷，同时，该陶瓷在150℃下仍然可以保持超高储能密度(9.52J/cm3)和极好的储能效率(86.39％)。对进一步开发高储能性能的新型反铁电陶瓷电容器具有重要的极高的借鉴意义和实用价值。
一种铌镱酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]一种固相法制备高透过率锆酸镧钆透明陶瓷的方法-CN202310469465.0在审
发明人：卢铁城;邓世溦;齐建起;梁乐行;袁海锋;李子芥 -专利权人：四川大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种固相法制备高透过率锆酸镧钆透明陶瓷的方法，属于透明陶瓷制备技术领域。本发明方法包括以下步骤：(1)采用固相法制备前驱体粉末，在前驱体粉末制备时以氧化镧、氧化钆和氧化锆粉末混合作为原料，并向混合原料中添加氧化钙，氧化钙的添加量占混合粉末原料总重量的0.05～0.10wt％；(2)素坯成型：采用成型工艺将步骤(1)得到的前驱体粉末制成陶瓷素坯；(3)陶瓷烧结：将步骤(2)制得的陶瓷素坯置于真空环境下按特定的烧结程序烧结为纯相陶瓷，将纯相陶瓷进行退火处理，并抛光，得到锆酸镧钆透明陶瓷材料。本发明工艺降低了烧结温度，获得的锆酸镧钆透明陶瓷材料的透过率高，大大降低了生产成本和能耗。
一种法制透过率锆酸镧钆透明陶瓷方法

[发明专利]一种三相混合导体透氧膜材料及其制备方法-CN202310495466.2在审
发明人：程红伟;苏芳春;刘岩博;徐泽鑫;鲁雄刚 -专利权人：上海大学
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种三相混合导体透氧膜材料及其制备方法，该材料包括萤石相、钙钛矿相和尖晶石相三型，组成及重量百分比具体为：Ce0.9Pr0.1O2‑δ氧化物x wt.％、Pr0.6Sr0.4Fe0.9M0.1O3‑δ氧化物y wt.％和NiFe2O4氧化物100‑x‑y wt.％，其中0x100，0y100，M包括Fe、Co和Ni中的至少一种。与现有技术相比，本发明采用溶胶凝胶法一锅制备粉体，研磨后干压成型，再将获得的素坯烧结得到透氧膜材料，三相相容性好，无杂相生成，结构致密，机械强度高，在二氧化碳和还原性气体等腐蚀性气体环境中保持化学稳定性。
一种三相混合导体透氧膜材料及其制备方法

[发明专利]一种基于无氟化学溶液氧压切换法制备超导薄膜的方法-CN202310331855.1在审
发明人：李敏娟;蔡传兵;刘志勇;周星航 -专利权人：上海大学;上海上创超导科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于无氟化学溶液氧压切换法制备超导薄膜的方法，包括前驱液制备、涂覆、低温热解处理、高温晶化和氧化五个步骤。在高温晶化过程中先利用低氧压去除BaCO3，再切换为高氧压，利用氧压的变化来促使BaCO3与CuO反应，产生瞬态液相，从而辅助YBCO生长，提高生长速率。本发明制备的超导薄膜，利用氧压切换法成功实现了金属基底上YBCO薄膜的快速外延生长，生长速率最高可达1800nm/min，远超常规FF‑MOD方法。采用本发明的制备方法，能得到具有较高临界电流密度的YBCO超导薄膜，用于金属有机物沉积法制备第二代高温超导带材。
一种基于氟化溶液切换法制超导薄膜方法

[发明专利]颜色可调的低介微波介质陶瓷材料的制备方法制得的材料在低介微波介质陶瓷材料中的应用-CN202211453726.1有效
发明人：汪胜祥;杜康;刘哲宇;周梦蝶;温泰来;朱维;张博涵;周偲;王婷婷 -专利权人：武汉纺织大学
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种颜色可调的低介微波介质陶瓷材料的制备方法制得的材料在低介微波介质陶瓷材料中的应用，采用化学通式为xBaO‑yRE2O3‑zSiO2的化合物制备陶瓷材料，制得的陶瓷材料的介电常数εr为8.29~13.88，品质因数Q×f为6170~70019GHz，低介电常数的特性提高了电信号在微波介质陶瓷材料中传输的速率，微波介质陶瓷的高Q值可减少系统工作的损耗并改善系统的稳定性。另外，采用上述化合物制得的低介微波介质陶瓷材料能够呈现出丰富的颜色，进一步拓展了陶瓷材料在其他领域的应用。通过上述方式，提供了一种制备过程简单、绿色、且适用于工业化生产的低介微波介质陶瓷材料的制备方法。
颜色可调微波介质陶瓷材料制备法制材料中的应用

[发明专利]一种LD/LED用高显色指数高热稳定性荧光陶瓷及其制备方法-CN202310504493.1在审
发明人：张乐;杨聪聪;闵畅;刘子童;张曦月;康健;邵岑;周春鸣;周天元;陈浩 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种LD/LED用高显色指数高热稳定性的荧光陶瓷及其制备方法。该荧光陶瓷化学式为：(Lu1‑xCex)3(Sc1‑yMny)2Al3O12，其中x为Ce3+掺杂Lu3+位的摩尔百分数，y为Mn2+掺杂Sc3+位的摩尔百分数，0.002≤x≤0.01，0.004≤y≤0.015；采用固相反应法真空烧结制得。本发明提供的荧光陶瓷发射光谱主峰在519nm～535nm之间，半高宽在110nm～125nm之间。在蓝光LD/LED(1W～5W)激发下，实现白光发射，色温3800K～6245K，显色指数在80～86之间；当环境温度为150℃时，该荧光陶瓷的发光强度保持在85％～95％，热稳定性高，且陶瓷的制备工艺简单，易于工业化生产。
一种 ld led 显色指数高热稳定性荧光陶瓷及其制备方法