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[发明专利]一种低烧结温度的氧离子导电陶瓷材料及其制备方法-CN202011114418.7在审
发明人：殷波;郑益锋;张明泽;朱惠良;范昌龙;廖佳 -专利权人：宜兴摩根热陶瓷有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷燃料电池领域，尤其涉及一种低烧结温度的氧离子导电陶瓷材料及其制备方法。本发明的目的是针对现有技术中氧离子导体氧化铈基电解质的烧结性能差、烧结助剂影响电解质的电导率等问题，提供了一种低烧结温度的陶瓷燃料电池氧离子导电陶瓷电解质及其制备方法。所述电解质材料表达式为(Ce0.90Gd0.10O1.95)1‑x+(Fe2O3)x，其中，x为烧结助剂Fe2O3的添加量，0＜x≤0.015。通过使用低廉的Fe2O3作为GDC的烧结助剂，不仅能使GDC的烧结温度降低200‑300℃，也能使GDC的电导率提高10‑15％。本发明制备工艺简单，易于工业化生产，适用于陶瓷燃料电池及其相关高性能电化学器件。
一种烧结温度离子导电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]TiSi2-CN202210097787.2在审
发明人：姜伯晨;王建涛;曹将栋;代云龙;洪晓辰;韩天天;张彤;李秋仪 -专利权人：江苏航运职业技术学院
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种TiSi2掺杂Gd2Zr2O7陶瓷材料、制备方法及热障涂层，其设计思想是利用TiSi2这种断裂韧性优良的材料对Gd2Zr2O7热障涂层陶瓷材料进行掺杂，改变原内部晶体结构的有序度，以此来达到增韧效果，同时也可以改善热膨胀系数、热导率等相关热物理性能，从而解决原Gd2Zr2O7材料存在的相关问题。本发明对比已有发明和技术具有以下显著优点：掺杂不同含量的TiSi2后的Gd2Zr2O7热障涂层陶瓷材料在1500℃下仍然能够保持良好的高温相稳定性和较好的抗烧结性，与传统的Gd2Zr2O7热障涂层陶瓷层材料相比，本发明在高温下具有更高的热膨胀系数以及更低的热导率，同时具有更好的断裂韧性,适合作为耐高温的热障涂层陶瓷层材料。
tisi base sub

[发明专利]一种提高锂镧锆氧陶瓷片烧结相对密度的方法-CN202111659651.8在审
发明人：周霖;崔大祥;张芳;卢玉英;王亚坤;王金;葛美英 -专利权人：上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明提供一种提高锂镧锆氧（LLZO）陶瓷片烧结相对密度的方法，通过在烧结时于锂镧锆氧陶瓷片上下两侧添加相同成分粉末以及通入气体来提高烧结后锂镧锆氧陶瓷片的相对密度，所述新型烧结LLZO陶瓷的方法为寻找一种新的烧结LLZO陶瓷片的方法，使烧结LLZO陶瓷片的相对密度大幅提高，该设计的优点在于烧结成型后的LLZO陶瓷片相对密度在95%以上，成品LLZO陶瓷片内部气孔以及微裂纹等缺陷较少，晶粒粒径均匀且结合紧密，具有优良的离子电导性能以及较好的力学性能，该方法步骤简单，适用于大批量生产，具有很好的应用前景。
一种提高锂镧锆氧陶瓷烧结相对密度方法

[发明专利]一种铈酸盐复合材料及其制备方法和应用-CN201910429426.1有效
发明人：王一光;王乾坤;任科;廉玉龙 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明提供一种铈酸盐复合材料及其制备方法和应用，所述铈酸盐复合材料的组成为A2Ce2O7，其中，A选自稀土元素中的至少三种，且所述至少三种稀土元素中，任意两种稀土元素的物质的量之比为X且2/7≤X≤7/2。该铈酸盐复合材料不仅相稳定性良好，而且具有极低的超低导热率和极强的抗烧结性，适宜作为新一代的热障涂层进行使用和推广。
一种铈酸盐复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种白光LED/LD用高热稳定性荧光陶瓷及其制备方法-CN202010229334.1有效
发明人：张乐;马跃龙;孙炳恒;康健;邵岑;陈东顺;周天元;黄国灿;李明;陈浩 -专利权人：徐州凹凸光电科技有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种白光LED/LD用高热稳定性荧光陶瓷及其制备方法，该荧光陶瓷化学式为：(GdzCexY1‑x‑z)3(ScyAl1‑y)2Al3O12，其中x为Ce3+掺杂Y3+位的摩尔百分数，y为Sc3+掺杂八面体Al3+位的摩尔百分数，z为Gd3+掺杂Y3+位的摩尔百分数，0x≤0.02，0.6≤y≤0.8，y：z＝10：1，采用固相反应法烧结制得。本发明的透明荧光陶瓷材料具有发射光谱主峰520～540nm之间，半高宽在80～90nm之间。在高功率蓝光LED(350～500mA)或蓝光LD(4W～10W)激发下，实现暖白光到淡绿光发射，色温2800～6500K，在150℃下发光强度衰减5％～10％，所制备陶瓷的工艺简单，易于工业化生产。
一种白光 led ld 高热稳定性荧光陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种镀膜用氧化铈颗粒的制备方法-CN202010234167.X有效
发明人：白雪;刘宇阳;桂涛;杨磊;王星明;储茂友;韩沧;段华英 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种镀膜用氧化铈颗粒的制备方法，包括以下步骤：(1)以高纯氧化铈粉体为原料，向其中添加去离子水并进行造粒处理，得到结合紧密的氧化铈片状物；(2)将得到的片状物研磨破碎，并筛分出＜0.1mm的预处理粉体；(3)将所得预处理粉体装入胶套中进行冷等静压成型为坯体。(4)将所得坯体按照如下烧结工艺进行烧结：2‑3小时升温到300‑400℃保温1h‑2h，2小时升到600℃‑800℃保温1h‑2h，4小时升温到1000℃‑1200℃保温1h‑2h，4小时升温到1300℃保温1h‑2h，2小时升温至1400℃保温1‑2h，1小时升温到1450‑1550℃保温3h‑5h；(5)冷却得到氧化铈烧结坯料，将坯料进行破碎和筛分得到镀膜用氧化铈颗粒。该方法生产的氧化铈颗粒具有高纯度、高密度、低喷溅等优点。
一种镀膜氧化颗粒制备方法

[发明专利]一种抑制激光轰击下离子转变的陶瓷材料-CN202111632112.5在审
发明人：赵伊卓;秦煜宸;赵利;王腾飞;董飞 -专利权人：海南钇坤智能科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷材料技术领域，公开了一种抑制激光轰击下离子转变的陶瓷材料，其化学式为：Y3Al5‑xHfxO12:Ce3+,其中0x0.5，即在Y3Al5O12:Ce3+中引入Hf元素。本发明通过在晶体结构中引入Li+，在晶体中诱发形成正电荷填隙缺陷，可以有效抑制Ce3+转变为Ce4+,改进前耐激发密度30W/mm2,改进后到70W/mm2，具有优秀的应用前景，具有优秀的应用前景。
一种抑制激光轰击离子转变陶瓷材料

[发明专利]一种高Q值微波介质陶瓷粉料的制备方法-CN202110084736.1有效
发明人：资美勇;蔡进红;吴浩;马鑫;熊庆洋;张宇 -专利权人：湖北天瓷电子材料有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷材料技术领域，公开了一种高Q值微波介质陶瓷粉料的制备方法，包括步骤：1)原料预处理和称取；2)球磨；3)压滤；4)前驱粉制备；5)预烧结；6)砂磨；7)煅烧；8)冷却、粉碎和过筛。本发明提供一种高Q值微波介质陶瓷粉料的制备方法，采用SiC微球形成局部微区域热源中心，在CSAT粉料煅烧时形成均匀快速的加热区域，获得了小粒径且分布均匀的CSAT粉料；同时掺杂自制的CuO‑B2O5‑ZnO‑MnO2复合烧结助剂，能够有效降低CSAT粉料的烧结温度，合成高性能的CSAT微波介质陶瓷粉料。
一种微波介质陶瓷制备方法

[发明专利]一种高断裂韧性高抗热震性氧化钇材料及其制备方法-CN201811613755.3有效
发明人：颜正国;刘朝阳;王宏;戴文斌;于景坤 -专利权人：东北大学
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明涉及一种高断裂韧性高抗热震性氧化钇材料及其制备方法，属于陶瓷材料制备领域。一种高断裂韧性高抗热震性氧化钇材料的制备方法，所述方法是以微观结构为晶须状或片层状的氧化钇粉体为原料，经电脉冲烧结的方式制得高断裂韧性高抗热震性氧化钇材料。本发明方法制得的材料其其显微结构承袭了原料的微观结构，且晶粒交织，晶粒间存在微小气孔，得以对氧化钇材料显微结构进行优化设计，材料的断裂韧性、抗热震性较以普通氧化钇为原料，常压烧结制品分别提高了50％、300％以上。
一种断裂韧性抗热氧化钇材料及其制备方法

[发明专利]高熵陶瓷粉体及其制备方法和高熵陶瓷块体-CN201911190418.2有效
发明人：苗洋;杨文静;郭猛;张丰年;高峰 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明涉及高性能陶瓷技术领域，尤其涉及一种高熵陶瓷粉体及其制备方法和高熵陶瓷块体。本发明采用共沉淀法制备高熵陶瓷粉体和块体，所需实验设备简单，操作容易，便于规模生产，同时能够显著降低高熵陶瓷的烧结温度，在1000～1400℃温度范围内实现陶瓷的快速烧结，获得具有钙钛矿结构的高熵陶瓷。
陶瓷及其制备方法块体

[发明专利]一种高熵REMgAl11O19陶瓷及其制备方法和应用-CN202110818358.5有效
发明人：刘玲;柳彦博;马壮;朱皓麟 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明涉及高熵陶瓷技术领域，尤其涉及一种高熵REMgAl11O19陶瓷及其制备方法和应用。本发明提供的制备方法，通过采用两步法的方式合成目标产物，即首先合成高熵REAlO3前驱体陶瓷和MgAl2O4前驱体陶瓷这两种前驱体，再以上述两种前驱体为原料合成高熵REMgAl11O19陶瓷，可以降低反应激活能，从而降低合成温度，使高熵REMgAl11O19的煅烧温度降低，从而降低能耗，使其可在一般的马弗炉中进行煅烧，满足大批量工业化生产的要求，降低成本。
一种 remgal11o19 陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]波长转换元件及其制备方法、照明光源-CN201810219116.2有效
发明人：徐梦梦;许颜正 -专利权人：深圳市绎立锐光科技开发有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：一种波长转换元件及其制备方法、照明光源，所述波长转换元件的材质为复相陶瓷，所述复相陶瓷包括均匀穿插分布的第一相(11)和第二相(12)，所述第一相的发射光光谱和第二相的激发光光谱有重叠区域。本发明将第一相RE3+:Al2O3晶相和第二相Ce3+:YAG晶相均匀穿插分布的复相陶瓷制成波长转换元件，使得包含该波长转换元件的照明光源拥有了较宽光谱的高显色指数，有效的改善了出射光斑中颜色不均的现象，提高了出光面的光提取效率，并且其在较高温度下仍具有良好的光学性能。
波长转换元件及其制备方法照明光源

[发明专利]一种氧化钇基超高温绝缘陶瓷异形零件及其制备方法-CN202010212304.X有效
发明人：李军廷;曹永革;陈根富;张家豪;黄集权;杨儒;陶阳;詹友铭 -专利权人：李军廷
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明公开了Y2O3基超高温绝缘陶瓷零件及其制备方法。该方法包括下述步骤：1)用偶联剂对Y2O3基氧化物陶瓷粉体进行改性；2)混炼：将改性Y2O3基氧化物陶瓷粉体与非水溶性粘结剂进行混炼；然后加入水溶性粘结剂和增塑剂，加入润滑剂继续混练10～20min，取出混炼物经破碎造粒，制成粒径3mm～6mm的注射成型喂料；3)注射成型，制得零件注射成型坯体；4)两步法脱脂；5)烧结成型：将脱脂后的坯体进行高温烧结。本发明获得了密度为4.97g/cm3～5.16g/cm3，致密度在99.1％～100％，晶粒尺寸在30μm～120μm，力学性能适中，介电性能优良，尺寸精确的功能陶瓷零件。
一种氧化钇超高温绝缘陶瓷异形零件及其制备方法

[发明专利]一种宽带近红外荧光陶瓷及其制备方法和应用-CN202110297549.1有效
发明人：郑国君;肖文戈;邱建荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽带近红外荧光陶瓷及其制备方法和应用。宽带近红外荧光陶瓷按化学组成Y3‑x‑zAxAl5‑x‑ySixO12：yCr3+，zYb3+的元素计量比制备而成，其中，A为Mg、Ca、Sr、Ba元素中的一种或多种，x、y、z的取值范围分别为：0.5≤x≤1.5，0.005≤y≤0.2，0≤z≤0.2，以及宽带近红外荧光陶瓷在荧光转换型LED器件中的应用。本发明制备的宽带近红外荧光陶瓷量子效率高、热稳定性优异；且制备工艺简单、高效，不需要高压、高真空等极端条件，在常压下通过玻璃晶化的方法即可制备，并且其可以通过与低/高功率LED等固态激发光源组合封装出低/高功率宽带近红外发光器件，此发光器件能够作为固态光源应用于近红外短波段探测、医疗食品检测等领域。
一种宽带红外荧光陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种3-5μm波段下的低发射率陶瓷材料及其制备方法-CN201911411478.2有效
发明人：孙立忠;杨利兵;张振;郑诚 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种3‑5μm波段下的低发射率陶瓷材料，具有双钙钛矿结构，分子式为Gd1‑x‑yCaxSryBaCo2‑zCzO5+δ，其中，C为Ni或Fe，0≤x≤0.2，0≤y≤0.2，0≤z≤0.2，0﹤x+y+z≤0.2。本发明的陶瓷材料，在3‑5μm波段下的红外发射率低，特别是在大于等于100℃的高温下，陶瓷材料在3～5μm波段的红外发射率为0.08～0.22，高温稳定性好，可做成涂覆型材料，也可做成结构型材料，拥有广阔的应用前景。
一种波段发射陶瓷材料及其制备方法