[发明专利]基于地电极局部涂覆的GIL绝缘子表面电荷抑制方法在审

专利信息
申请号: 202111201537.0 申请日: 2021-10-15
公开(公告)号: CN113936874A 公开(公告)日: 2022-01-14
发明(设计)人: 高宇;赵慧存;李敬;王欢;苑晓晨;韩涛;朱新山 申请(专利权)人: 天津大学;国网天津市电力公司
主分类号: H01B19/04 分类号: H01B19/04;G06F30/20
代理公司: 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 代理人: 霍慧慧
地址: 300071*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 基于 电极 局部 gil 绝缘子 表面 电荷 抑制 方法
【权利要求书】:

1.一种基于地电极局部涂覆的GIL绝缘子表面电荷抑制方法,其特征在于:所述方法的步骤为:

S1、根据绝缘子的形状建立对应的仿真模型,并通过仿真模拟选定适合的涂层电导率S、涂层涂覆高度h及涂层涂覆厚度d;

S2、步骤S1仿真计算的电导率S范围为2×10-16S/m~2×10-14S/m,结合电导率数值,调整涂层中纳米氧化铝含量,获得电导率满足条件的涂层涂料;

S3、根据S1、S2确定的涂层涂料,进行涂层涂料配制,并按照适合的涂覆厚度d和高度h将涂层涂料均匀涂刷在地电极内侧。

2.根据权利要求1所述基于地电极局部涂覆的GIL绝缘子表面电荷抑制方法,其特征在于:所述涂覆厚度d的数值范围为0.1mm~0.7mm。

3.根据权利要求1所述基于地电极局部涂覆的GIL绝缘子表面电荷抑制方法,其特征在于:所述涂覆高度h与绝缘子最高点齐平。

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