[发明专利]基于地电极局部涂覆的GIL绝缘子表面电荷抑制方法在审
申请号: | 202111201537.0 | 申请日: | 2021-10-15 |
公开(公告)号: | CN113936874A | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 高宇;赵慧存;李敬;王欢;苑晓晨;韩涛;朱新山 | 申请(专利权)人: | 天津大学;国网天津市电力公司 |
主分类号: | H01B19/04 | 分类号: | H01B19/04;G06F30/20 |
代理公司: | 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 | 代理人: | 霍慧慧 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于地电极局部涂覆的GIL绝缘子表面电荷抑制方法,在地电极内部涂覆低电导率涂层有助于抑制畸变的电场,从而抑制非平面区的电荷积聚,同时,工艺简单,适用于大面积涂覆,且涂层复合材料价格便宜,有利于大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 基于 电极 局部 gil 绝缘子 表面 电荷 抑制 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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