[发明专利]用于制造无缺陷单晶硅晶体的方法和设备在审
| 申请号： | 202111152966.3 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN114318511A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 高梨启一;下崎一平 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/22 | 分类号： | C30B15/22;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜凝;张一舟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 缺陷 单晶硅 晶体 方法 设备 | ||
1.一种晶体提拉机设备，包括：
提拉组件，其用以以提拉速度从硅熔体提拉晶体；
坩埚，其装纳所述硅熔体；
在所述硅熔体的表面上方的热屏蔽件；
升降器，其用以改变所述热屏蔽件和所述硅熔体的表面之间的间隙；以及
一个或多个计算装置，其用以响应于所述提拉速度的变化使用Pv-Pi容限来确定对所述间隙的调节。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述Pv-Pi容限包括针对Pv区域的第一边界和针对Pi区域的第二边界。
3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述Pv-Pi容限还包括在所述第一边界和所述第二边界之间的中间处的中心容限。
4.根据权利要求3所述的设备，其中，所述一个或多个计算装置使用所述中心容限来确定对所述间隙的调节。
5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述提拉速度对应于Voronkov比（v/G）的晶体生长速率（v），并且所述间隙构成所述Voronkov比（v/G）的温度梯度值（G）。
6.根据权利要求5所述的设备，其中，计算装置中的一个或多个通过响应于所述提拉速度的任何变化调节所述间隙来维持所述Voronkov比处于期望值。
7.根据权利要求5所述的设备，其中，对所述间隙的调节是以所述Voronkov比被维持在所述Pv-Pi容限内的方式确定的。
8.根据权利要求1所述的设备，其中，所述升降器竖直地移动所述坩埚。
9.根据权利要求1所述的设备，其中，所述Pv-Pi容限在所述晶体的各种长度下提供。
10.一种晶体提拉机设备，包括：
提拉组件，其用以根据提供提拉速度值的提拉速度配置文件从硅熔体提拉具有期望直径的晶体；
坩埚，其装纳所述硅熔体；
在所述硅熔体的表面上方的热屏蔽件；
在所述坩埚下方的升降器，其竖直地移动所述坩埚以根据提供间隙值的间隙配置文件来控制所述热屏蔽件和所述硅熔体的表面之间的间隙；
测量装置，其用以测量所述晶体的实际直径；以及
一个或多个计算装置，其改变提拉速度值中的一个以提供不同的提拉速度从而保持所述晶体的实际直径处于期望直径，并且响应于所述不同的提拉速度，使用Pv-Pi容限来进一步调节间隙值中的一个以提供间隙调节。
11.根据权利要求10所述的设备，其中，所述Pv-Pi容限包括针对Pv区域的第一边界和针对Pi区域的第二边界。
12.根据权利要求11所述的设备，其中，所述Pv-Pi容限还包括在所述第一边界和所述第二边界之间的中间处的中心容限。
13.根据权利要求12所述的设备，其中，所述一个或多个计算装置使用所述中心容限来确定所述间隙调节。
14.根据权利要求10所述的设备，其中，所述提拉速度配置文件的提拉速度值中的每一个均对应于Voronkov比（v/G）的晶体生长速率（v），并且所述间隙配置文件的间隙值中的每一个均构成所述Voronkov比（v/G）的温度梯度值（G）。
15.根据权利要求14所述的设备，其中，计算装置中的一个或多个通过响应于所述提拉速度值中的一个的任何变化来调节所述间隙值中的一个而维持所述Voronkov比处于期望值。
16.根据权利要求12所述的设备，其中，所述一个或多个计算装置使用所述中心容限、所述提拉速度配置文件和所述间隙配置文件来执行主动温度梯度控制。
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