[发明专利]一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件在审
| 申请号： | 202111139200.1 | 申请日： | 2021-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN113921611A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 陈伟中;周铸;秦海峰 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 侧面 超结槽栅 ldmos 器件 | ||
1.一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，其特征在于，该器件包括：源极P+区(1)、源极N+区(2)、P-body(3)、漂移区(6)、漏极N+区(7)、漏极N-buffer区(8)、漏极P+区(9)、P型辅助耗尽区(10)、槽栅P+接触区(11)和二氧化硅隔离层(12)；其中，所述源极P+区(1)、源极N+区(2)、P-body(3)、漂移区(6)、漏极N-buffer区(8)和漏极N+区(7)从左至右依次排列组成LDMOS导电区；所述槽栅P+接触区(11)、P型辅助耗尽区(10)、漏极N-buffer区(8)、漏极N+区(7)和漏极P+区(9)从左至右依次排列组成双侧面超结槽栅区；所述二氧化硅隔离层(12)用于分离双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区，LDMOS导电区位于二氧化硅隔离层(12)内侧，双侧面超结槽栅区位于二氧化硅隔离层(12)外侧。
2.根据权利要求1所述的具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，其特征在于，所述漂移区(6)包括左右排列的漂移区Ⅰ(6-1)和漂移区Ⅱ(6-2)；其中漂移区Ⅰ(6-1)掺杂浓度大于漂移区Ⅱ(6-2)的掺杂浓度。
3.根据权利要求1所述的具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，其特征在于，所述P型辅助耗尽区(10)包括左右排列的P型辅助耗尽区Ⅰ(10-1)、P型辅助耗尽区Ⅱ(10-2)；其中P型辅助耗尽区Ⅰ(10-1)的掺杂浓度小于P型辅助耗尽区Ⅱ(10-2)的掺杂浓度。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，其特征在于，该器件还包括位于双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区下侧的埋氧层(4)，以及位于埋氧层(4)下侧的衬底(5)。
5.根据权利要求1或2所述的具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，其特征在于，所述漂移区(6)的掺杂类型包括N型或P型。
6.根据权利要求1～3中任意一项所述的具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，其特征在于，该LDMOS器件包括N型或P型。
7.根据权利要求1所述的具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，其特征在于，该器件结构适用于横向二极管或LIGBT。
8.根据权利要求1～3中任意一项所述的具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，其特征在于，所述二氧化硅隔离层(12)的厚度根据需要改变。
9.根据权利要求1或3中任意一项所述的具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，其特征在于，所述漏极N-buffer区(8)的掺杂浓度根据需要改变。
10.根据权利要求1或3中任意一项所述的具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，其特征在于，所述P型辅助耗尽区(10)的掺杂浓度根据需要改变。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆邮电大学，未经重庆邮电大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111139200.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
