[发明专利]显示装置及其制作方法在审
申请号: | 202110972959.1 | 申请日: | 2021-08-24 |
公开(公告)号: | CN113725248A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 于泉鹏;曾洋 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/48 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制作方法 | ||
本发明公开了一种显示装置及其制作方法,属于显示技术领域,显示装置包括相对设置的第一基板和第二基板,第一基板朝向第二基板的一侧包括多个发光元件;第一基板与第二基板之间填充有胶层,第一基板和第二基板通过胶层贴合;沿平行于第一基板所在平面的方向,至少部分胶层延伸至第二基板的边缘位置。显示装置的制作方法用于制作上述显示装置,制作方法包括:提供第一基板;在第一基板上先后设置发光元件和胶层;提供第二基板;第一基板和第二基板通过胶层完成贴合,至少部分胶层延伸至第二基板的边缘位置。本发明有利于减少工艺制程步骤,降低制作成本,提高制程效率,还可以提升产品良率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种显示装置及其制作方法。
背景技术
随着可穿戴显示设备的快速发展,出现了微发光二极管(Micro LED,uLED)、次毫米发光二极管(Mini LED)技术。Micro LED技术和Mini LED技术均属于LED微缩化和矩阵化技术,指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列。Micro LED和Mini LED的耗电量远小于液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD),与有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode,OLED)一样属于自发光,能够将像素之间的距离从毫米等级降至微米等级,色彩饱和度接近OLED,所以很多厂商把Micro LED和Mini LED视为下一代的显示技术。
现有技术中的LED微缩化和矩阵化技术的显示装置通常包括对盒成形的阵列基板和彩膜基板,阵列基板上可以设置微发光二极管或次毫米发光二极管阵列,彩膜基板可以设置与该发光二极管阵列对应的色阻结构,在阵列基板与彩膜基板之间往往还设置有像素bank(即像素隔离柱,用于降低不同像素间的漏光)、各发光二极管之间的填充胶(起到保护作用)、黑矩阵BM(Black Matrix,起到隔绝不同颜色色阻,防止在外观上的混色的作用)、边框胶seal(用于将两基板在边框位置固定)等。但是现有制程中,上述结构中黑矩阵BM、边框胶seal、和像素bank等都需要多种材料及其相关的黄光制程,成本极大,不利于提高制程效率,而且一旦其中一个工序出现溢胶问题,很容易影响产品良率。
因此,提供一种能够有利于降低成本的同时,还可以减少工艺制程步骤,提高产品良率和制程效率的显示装置及其制作方法,是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种显示装置及其制作方法,以解决现有技术中的阵列基板和彩膜基板之间的填充结构种类较多,需要多种材料及其相关的黄光制程,成本极大,不利于提高制程效率,而且一旦其中一个工序出现溢胶问题,很容易影响产品良率的问题。
本发明公开了一种显示装置,包括:相对设置的第一基板和第二基板,第一基板朝向第二基板的一侧包括多个发光元件;第一基板与第二基板之间填充有胶层,第一基板和第二基板通过胶层贴合;沿平行于第一基板所在平面的方向,至少部分胶层延伸至第二基板的边缘位置。
基于同一发明构思,本发明还公开了一种显示装置的制作方法,该制作方法用于制作上述显示装置;该制作方法包括:提供第一基板;在第一基板上先后设置发光元件和胶层;提供第二基板;第一基板和第二基板通过胶层完成贴合,至少部分胶层延伸至第二基板的边缘位置。
与现有技术相比,本发明提供的显示装置及其制作方法,至少实现了如下的有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的