[发明专利]半导体电路及用于其的装置

权利要求书

1.一种半导体电路，其特征在于，包括：

散热基板；

电路布线层，设置于所述散热基板上；

多个电子元件，设置于所述电路布线层，所述电子元件包括功率器件和驱动芯片；

多个引脚，设置于所述散热基板的侧面；

密封层，所述密封层至少包裹设置所述电子元件的散热基板的一面，所述引脚的一端从所述密封层的侧面露出；

其中所述引脚包括传输强电信号的强电引脚组和传输弱电信号的弱电引脚组，所述强电引脚组的引脚与所述功率器件电连接，所述弱电引脚组的引脚与所述驱动芯片电连接，所述强电引脚组和所述弱电引脚组中的多个引脚分别靠近布置，且所述强电引脚组和所述弱电引脚组之间的距离大于所述强电引脚组和所述弱电引脚组内的引脚之间的距离。

2.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述弱电引脚组包括控制信号输入引脚，所述强电引脚组包括三相输出引脚，所述控制信号输入引脚和所述三相输出引脚分别设置于所述密封层的相对的第一侧边和第二侧边。

3.根据权利要求2所述的半导体电路，其特征在于，所述引脚还包括传输在弱电信号和强电信号之间变化的电信号的浮动引脚组，所述浮动引脚组设置于所述第二侧边，且与所述三相输出引脚靠近设置。

4.根据权利要求2所述的半导体电路，其特征在于，所述强电引脚组还包括PFC电感输出引脚和母线电压正端引脚组，所述弱电引脚组还包括三相下桥发射极输出引脚和母线电压负端引脚，其中所述PFC电感输出引脚和所述母线电压正端引脚组设置于所述第二侧边，所述三相下桥发射极输出引脚和所述母线电压负端引脚设置于所述密封层的与所述第二侧边相邻的第三侧边。

5.根据权利要求4所述的半导体电路，其特征在于，所述弱电引脚组还包括使能控制端引脚、驱动供电电压引脚组和保护探测端引脚组，其中所述使能控制端引脚和所述驱动供电电压引脚组设置于所述密封层的与所述第三侧边相对的第四侧边，所述保护探测端引脚组设置于所述第一侧边，且远离所述控制信号输入引脚设置。

6.根据权利要求5所述的半导体电路，其特征在于，所述电路布线层上设置的电路包括由所述驱动芯片组成的驱动电路、三相桥式逆变电路和PFC开关电路；

所述驱动电路位于靠近所述控制信号输入引脚和所述使能控制端引脚的第一设置区，所述三相桥式逆变电路和所述PFC开关电路位于靠近所述PFC电感输出引脚、所述母线电压正端引脚组、所述母线电压负端引脚和所述三相下桥发射极输出引脚的第二设置区，所述第一设置区远离所述第二设置区。

7.根据权利要求6所述的半导体电路，其特征在于，所述三相桥式逆变电路包括上桥臂开关管组和下桥臂开关管组；

所述PFC开关电路靠近所述PFC电感输出引脚、所述母线电压正端引脚组和所述母线电压负端引脚布置，所述上桥臂开关管组靠近所述PFC电感输出引脚和所述母线电压正端引脚组布置，所述下桥臂开关管组靠近所述三相下桥发射极输出引脚布置。

8.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述功率器件为IGBT、MOS管和续流二极管中的一者或多者。

9.一种用于半导体电路的装置，其特征在于，包括PCB板和设置于所述PCB板上、如权利要求1至8任意一项所述的半导体电路，所述PCB板上设置有整流电路、滤波电路、PFC外围电路和采样外围电路；

其中所述滤波电路靠近所述母线电压正端引脚组布置，所述PFC外围电路靠近所述PFC电感输出引脚和所述滤波电路设置，所述整流电路靠近所述PFC外围电路设置，所述采样外围电路靠近所述三相下桥发射极输出引脚和所述整流电路设置。

10.根据权利要求9所述的用于半导体电路的装置，其特征在于，所述PCB板为双面电路板，所述PFC外围电路中连接所述PFC电感输出引脚的走线和所述滤波电路中连接所述母线电压负端引脚的走线分别设置于所述PCB板的两面。