[发明专利]陶瓷件制作方法及陶瓷件有效
申请号: | 202110590905.9 | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN113146483B | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
发明(设计)人: | 郑健飞;王宏伟;符雅丽;郑友山 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | B24C1/08 | 分类号: | B24C1/08;B28B3/00;B28B11/08 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 制作方法 | ||
本发明提供一种陶瓷件制作方法及由该方法制成的陶瓷件,其包括以下步骤:S1、将由陶瓷粉粒压制成的陶瓷胚料切制成陶瓷胚体;S2、通过喷嘴向所述陶瓷胚体的待处理表面喷射喷砂材料,同时控制所述喷嘴与所述陶瓷胚体作相对运动;循环执行步骤S2至少两次,以使所述喷砂材料减少所述待处理表面上的损伤;S3、对所述陶瓷胚体进行烧结,以得到陶瓷件。本发明提供的陶瓷件制作方法及陶瓷件,能够减少陶瓷件在实际应用中颗粒掉落现象的发生。
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,具体地,涉及一种陶瓷件制作方法及陶瓷件。
背景技术
由于陶瓷材料具有质硬、耐磨损、电绝缘、耐酸碱腐蚀、耐火、对液体和气体无渗透性、化学稳定性好等特性,其在集成电路领域得到了广泛的应用,尤其在等离子刻蚀工艺中,是不可或缺的工艺材料。具体的,工艺腔室中的陶瓷窗、喷嘴、聚焦环、绝缘环等结构通常采用陶瓷材料制成;尤其在刻蚀工艺中,工艺腔室内部件的材料是晶圆的主要污染源,因此由陶瓷材料制成的部件的表面粗糙度的高低,对刻蚀工艺结果有至关重要的影响。
现有的陶瓷成型工艺流程包括:制备胚体、烧结、平磨、喷砂和清洗。其中,在制备胚体步骤中,需要对陶瓷配体进行切制,这会不可避免地在陶瓷胚体表面造成损伤,具体包括:在局部区域中造成堆叠的沟壑、在局部区域中造成材料减少或者在局部区域中造成材料增多。这些带有损伤的陶瓷胚体烧结成陶瓷件时,会提高陶瓷件的表面粗糙度,即,使陶瓷件表面更加粗糙;而且,存在损伤的陶瓷件,在刻蚀工艺中极易发生颗粒掉落的现象,进而污染待加工的晶圆。此外,切制后的陶瓷胚体表面还会附着有细小的陶瓷颗粒,这同样会导致后续烧结的陶瓷件在实际应用中容易发生陶瓷颗粒掉落的现象,进而污染待加工的晶圆。
发明内容
本发明实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种陶瓷件制作方法及陶瓷件,其能够减少陶瓷件在实际应用中颗粒掉落现象的发生。
为实现本发明的目的而提供一种陶瓷件制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、将由陶瓷粉粒压制成的陶瓷胚料切制成陶瓷胚体;
S2、通过喷嘴向所述陶瓷胚体的待处理表面喷射喷砂材料,同时控制所述喷嘴与所述陶瓷胚体作相对运动;
循环执行步骤S2至少两次,以使所述喷砂材料减少所述待处理表面上的损伤;
S3、对所述陶瓷胚体进行烧结,以得到陶瓷件。
可选的,所述喷砂材料与所述陶瓷粉粒为同种材料。
可选的,所述步骤S2,包括:
控制所述陶瓷胚体以第一预设速度沿第一方向作直线运动,同时控制所述喷嘴以第二预设速度沿垂直于所述第一方向的第二方向作往复运动,以使所述喷嘴喷出的所述喷砂材料能够完全覆盖所述待处理表面。
可选的,所述第一预设速度的取值范围为1mm/s~2mm/s;所述第二预设速度的取值范围为200mm/s~300mm/s。
可选的,若所述待处理表面为圆周面,则所述步骤S2,还包括:
控制所述陶瓷胚体以所述第一预设速度沿第一方向作直线运动的同时,控制所述陶瓷胚体以指定转速自转,以使所述喷嘴喷出的所述喷砂材料能够完全覆盖所述待处理表面。
可选的,在所述步骤S2之后,且在所述步骤S3之前,还包括:
检测所述待处理表面的表面损伤状况;
判断所述待处理表面是否达到预设表面状况标准,若否,则返回所述待处理表面步骤S2;若是,则继续进行后续步骤。
可选的,所述检测所述待处理表面的表面损伤,包括:采用预设强度的光照射所述待处理表面,观察并检测所述待处理表面的表面损伤状况。
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