[发明专利]一种碳化硅切割用划片结构及其在线修整方法有效
| 申请号： | 202110369700.8 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113172780B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 张迪;邵俊永;王战;韩雪;闫贺亮;陈月涛 | 申请（专利权）人： | 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/02 | 分类号： | B28D5/02;H01L21/78 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 程世芳 |
| 地址： | 450001 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 切割 划片 结构 及其 在线 修整 方法 | ||
1.一种碳化硅切割用划片结构的在线修整方法，其特征在于，其所采用的修整装置包括环形修刀板，SiC晶圆位于环形修刀板的中心孔中并与环形修刀板间隙配合设置，且SiC晶圆与环形修刀板的外端面保持齐平设置，而SiC晶圆的后端面与环形修刀板的后端面均粘贴有胶膜并通过胶膜吸附于陶瓷工作盘上；修整方法包括以下步骤：
（1）制作划片刀用环形修刀板，且其厚度与待切的SiC晶圆厚度保持一致；
（2）将SiC晶圆、环形修刀板、绷环同时粘贴在胶膜上，然后放置在划片机的陶瓷工作盘上，开启真空；
（3）将划片刀安装在划片机主轴上并完成测高程序；
（4）设置划片机主轴转速20000～40000r/min，进刀速度5～20mm/s的工艺参数；
（5）对环形修刀板和SiC晶圆的横向即CH1方向依次进行划切；
（6）对环形修刀板和SiC晶圆的纵向即CH2方向依次进行划切；
（7）划切完毕。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅切割用划片结构的在线修整方法，其特征在于：所述环形修刀板外围还设有限位绷环，且限位绷环的后端面粘贴于胶膜上。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅切割用划片结构的在线修整方法，其特征在于：所述胶膜为蓝膜、白膜或UV膜。
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅切割用划片结构的在线修整方法，其特征在于：步骤（5）和步骤（6）中划切过程中均需使用冷却水对SiC晶圆及划片刀进行冲洗。
5.根据权利要求1所述的一种碳化硅切割用划片结构的在线修整方法，其特征在于：步骤（5）和步骤（6）中划切过程中根据划片刀磨损量定期进行自动非接触测高。
6.根据权利要求1所述的一种碳化硅切割用划片结构的在线修整方法，其特征在于：所述CH1与CH2方向互相垂直。
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