[发明专利]晶圆及其制造方法

说明书

本发明涉及晶圆及其制造方法。所述晶圆至少包括：衬底；以及，位于衬底上的M层金属，所述M层金属与衬底的距离彼此不同；其特征在于，焊盘引线，所述焊盘引线从距离所述衬底最近的第一层金属引出；其中，M为大于或等于1的正整数。在所述晶圆中，焊盘引线从距离晶圆的衬底最近的第一层金属引出，解决了现有技术中晶圆正面混合键合之后无法引出焊盘引线的技术问题，同时不存在多层金属的层叠，使得输入输出焊盘电容较小，对输出信号以及其他信号的影响较小。

技术领域

本发明涉及存储器领域。具体而言，本发明涉及晶圆及其制造方法，其中焊盘引线从所述晶圆的背面引出。

背景技术

混合键合(Hybrid Bonding，HB)技术是近年来在CMOS图像传感器的基础上发展起来的一种晶圆级电子连接(Wafer Level Electrical Connection)技术。

现有技术中的芯片级电子连接(Wafer Level Electrical Connection)主要应用在输入输出接口(I/O Interface)互联中，而新出现的晶圆级电子连接主要应用于功能电路连接。

图1A至图1C示出了现有技术中混合键合的工艺步骤。图1A示出了分别在不同工艺中制作的逻辑晶圆(Logic Wafer)和动态随机存储器(DRAM)晶圆，其中示出的逻辑晶圆至少包括逻辑晶圆衬底和逻辑晶圆的顶层金属，DRAM晶圆至少包括DRAM晶圆衬底和DRAM晶圆的顶层金属。图1B中示出了在逻辑晶圆和DRAM晶圆上生长键合柱子，其中示出了在逻辑晶圆上生长逻辑晶圆的通孔以及逻辑晶圆的顶层金属与逻辑晶圆的通孔的连接部，在DRAM晶圆上生长DRAM晶圆的通孔以及DRAM晶圆的顶层金属与DRAM晶圆的通孔的连接部。图1C示出了图1A和图1B所示出的逻辑晶圆和DRAM晶圆的面对面键合。

图2示出了现有技术中所普遍采用的从晶圆的正面引出焊盘引线的一个例子。在图2中，从晶圆的顶层金属(在此为第三层金属)引出了焊盘引线。

在混合键合中，逻辑晶圆和DRAM晶圆在正面面对面键合之后，无法从正面引出与外部互连的信号线。此外，在现有技术诸如图2中从晶圆的正面引出焊盘引线时，芯片内部的信号通过离衬底最近的金属层(在图2中为第一层金属、第二层金属)等一直连接到顶层金属，多层金属的层叠，会让信号上的寄生电容很大，影响输出信号的质量，同时也会通过寄生的电容耦合，影响其他信号的质量。

因此，亟需解决现有技术中的上述技术问题。

发明内容

本发明涉及晶圆及其制造方法及对应的电子设备。在所述晶圆中，焊盘引线从距离晶圆的衬底最近的第一层金属引出，解决了现有技术中晶圆正面混合键合之后无法引出焊盘引线的技术问题，同时不存在多层金属的层叠，使得输入输出焊盘电容较小，对输出信号以及其他信号的影响较小。

根据本发明的第一方面，提供了一种晶圆，所述晶圆至少包括：

衬底；以及，

位于衬底上的M层金属，所述M层金属与衬底的距离彼此不同；其特征在于，

焊盘引线，所述焊盘引线从距离所述衬底最近的第一层金属引出；

其中，M为大于或等于1的正整数。

根据本发明的晶圆的一个优选实施方案，所述晶圆为逻辑晶圆与存储器晶圆进行混合键合之后得到的组合晶圆。

根据本发明的晶圆的一个优选实施方案，所述焊盘引线从距离所述逻辑晶圆的衬底最近的第一层金属引出。

根据本发明的晶圆的一个优选实施方案，所述焊盘引线从距离所述存储器晶圆的衬底最近的第一层金属引出。

根据本发明的晶圆的一个优选实施方案，第一焊盘引线从距离所述逻辑晶圆的衬底最近的第一层金属引出，以及第二焊盘引线从距离所述存储器晶圆的衬底最近的第一层金属引出。