[发明专利]晶圆及其制造方法在审
| 申请号： | 202110303614.7 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN112908959A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王嵩;谈杰;刘成 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L27/108;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 关丽丽;郑建晖 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 及其 制造 方法 | ||
1.一种晶圆，其特征在于，所述晶圆至少包括：
衬底；以及，
位于衬底上的M层金属，所述M层金属与衬底的距离彼此不同；其特征在于，
焊盘引线，所述焊盘引线从距离所述衬底最近的第一层金属引出；
其中，M为大于或等于1的正整数。
2.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述晶圆为逻辑晶圆与存储器晶圆进行混合键合之后得到的组合晶圆。
3.根据权利要求2所述的晶圆，其特征在于，所述焊盘引线从距离所述逻辑晶圆的衬底最近的第一层金属引出。
4.根据权利要求2所述的晶圆，其特征在于，所述焊盘引线从距离所述存储器晶圆的衬底最近的第一层金属引出。
5.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括根据权利要求1-4中的任一项所述的晶圆。
6.一种制造晶圆的方法，其特征在于，所述方法至少包括：
生产晶圆的衬底；
设置位于所述晶圆的衬底上的M层金属，其中所述M层金属与衬底的距离彼此不同；
从距离所述衬底最近的第一层金属引出焊盘引线；
其中，M为大于或等于1的正整数。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述晶圆为逻辑晶圆与存储器晶圆进行混合键合之后得到的组合晶圆。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
从距离所述逻辑晶圆的衬底最近的第一层金属引出所述焊盘引线。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
从距离所述存储器晶圆的衬底最近的第一层金属引出所述焊盘引线。
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括根据权利要求6-9中的任一项所述的方法制造的晶圆。
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