[发明专利]一种叠层金属和金属氧化物蚀刻液组合物及其使用方法

说明书

本发明提供一种叠层金属和金属氧化物蚀刻液组合物及其使用方法，原料包括：按质量百分数计，过氧化氢5‑20％，无机酸1‑10％，氟离子源0.01‑1％，络合剂1‑10％，碱类化合物1‑10％，金属缓蚀剂0.01‑1％，溶剂补充余量。本发明提供一种叠层金属和金属氧化物蚀刻液组合物及其使用方法不仅能有效蚀刻叠层金属和金属氧化物，而且蚀刻形貌好，蚀刻精度高，能有效满足客户的要求。

技术领域

本发明涉及金属表面化学处理领域，具体涉及一种叠层金属和金属氧化物蚀刻液组合物及其使用方法。

背景技术

铜因其具有良好的导电性、导热性和机械延展性等优点而被广泛应用于电子信息产品领域，铜金属蚀刻技术也因此得到迅速发展。但随着科学技术的发展和人们生活水平的提高，人们对电子材料的提出了更高的要求，叠层金属是改善和提高铜金属在电子材料应用领域重要技术之一，但由于不同膜层之间金属成分不同，不同金属膜层间容易因电化学反应产生裂缝，会导致断线存在倒角，导致后续工艺爬坡断线，影响良率。

同时，随着国际平板显示领域竞争的白热化，各面板企业对缩短生产流程的需求日益强烈。一种新型制造工艺4mask(4道光罩工艺)得到了众多企业的青睐。IGZO和金属导线(SD)层同步蚀刻是一种较为理想的工艺。但是IGZO和金属导线(Cu)的化学和电化学性质差异较大，对药液开发工作造成了很大困难。

为解决上述问题，本发明提供一种叠层金属和金属氧化物蚀刻液组合物及其使用方法，不仅能有效蚀刻叠层金属和IGZO膜层，而且蚀刻形貌好，蚀刻精度高，能有效满足客户的要求，同时对基板的电学性能无损伤。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明的第一个方面提供了一种叠层金属和金属氧化物(IGZO)蚀刻液组合物，原料包括：按质量百分数计，过氧化氢5-20％，无机酸1-10％，氟离子源0.01-1％，络合剂1-10％，碱类化合物1-10％，金属缓蚀剂0.01-1％，溶剂补充余量。

作为一种优选的技术方案，原料包括：按质量百分数计，过氧化氢6-10％，无机酸1-3％，氟离子源0.01-0.5％，络合剂2-5％，碱类化合物2-5％，金属缓蚀剂0.05-0.8％，溶剂补充余量。

作为一种优选的技术方案，所述无机酸包括硫酸、硝酸的一种或几种。

作为一种优选的技术方案，所述氟离子源包括HF、氟化盐的一种或几种。

作为一种优选的技术方案，所述氟化盐包括氟化铵、氟化氢铵、氟化钾、氟化钠的一种或几种。

作为一种优选的技术方案，所述络合剂为多元醇类络合剂。

作为更进一步的一种优选的技术方案，所述多元醇类络合剂包括乙二醇、丙三醇、三甘醇、季戊四醇、丙二醇、二甘醇的一种或几种。

作为一种优选的技术方案，所述碱类化合物包括氨水、有机碱的一种或几种。

作为一种优选的技术方案，所述有机碱包括胺类、醇胺类化合物的一种或几种。

作为更进一步的一种优选的技术方案，所述有机碱包括四甲基氢氧化铵、甲胺、乙二胺、二甲基乙醇胺、二乙氨基丙胺、丙二胺、三乙醇胺、二乙醇胺、异丙醇胺的一种或几种。

作为一种优选的技术方案，所述金属缓蚀剂选自氨基氮唑类化合物。

作为一种优选的技术方案，所述氨基氮唑类化合物包括3-氨基三氮唑、5-氨基四氮唑的一种或几种。

作为一种优选的技术方案，所述溶剂为去离子水。

本发明的第二个方面提供了一种叠层金属和金属氧化物(IGZO)蚀刻液组合物的使用方法，在一定蚀刻温度下，在一定蚀刻温度下，加入蚀刻液于药液箱中，以喷淋的形式均匀喷洒玻璃基板的金属表面。