[实用新型]一种双位多靶离子束沉积装置

权利要求书

1.一种双位多靶离子束沉积装置，其特征在于：包括机架、真空镀膜室、激光器、主离子源、辅离子源、旋转靶座和可加热旋转及前后移动的基片架，所述真空镀膜室装设于机架上，所述主离子源、旋转靶座和基片架均设于真空镀膜室内，所述基片架夹设有基片，所述主离子源、旋转靶座和基片架的中心位于同一水平面上，所述主离子源和旋转靶座均为两个，两旋转靶座相互间隔设置，一个旋转靶座上安装有四种不同的靶材，所述基片架与两旋转靶座相对设置，并且所述基片架的中心线与两旋转靶座的中心线相互重叠，两主离子源分设于基片架的两侧，一个主离子源的发射口对准与之相近的一个旋转靶座，所述辅离子源设置于真空镀膜室的下方，所述辅离子源的发射口对准基片，所述真空镀膜室设有石英窗，所述激光器发出的激光束穿过石英窗射入靶材上。

2.根据权利要求1所述的一种双位多靶离子束沉积装置，其特征在于：所述主离子源的中心线与旋转靶座的中心线所成角度为45°。

3.根据权利要求1所述的一种双位多靶离子束沉积装置，其特征在于：所述辅离子源的中心线与基片架的中心线所成角度为65°。

4.根据权利要求1所述的一种双位多靶离子束沉积装置，其特征在于：还包括驱动旋转靶座旋转的第一驱动电机，所述第一驱动电机设于真空镀膜室的上方，所述旋转靶座与第一驱动电机的输出端固定连接。

5.根据权利要求1所述的一种双位多靶离子束沉积装置，其特征在于：还包括驱动基片架转动的第二驱动电机，所述第二驱动电机安装于真空镀膜室的侧向，所述基片架与第二驱动电机的输出轴固定连接。

6.根据权利要求5所述的一种双位多靶离子束沉积装置，其特征在于：所述基片架和第二驱动电机之间设有用于使基片架能前后伸缩的伸缩装置。

7.根据权利要求6所述的一种双位多靶离子束沉积装置，其特征在于：所述基片架内装设有用于将基片加热的加热器。

8.根据权利要求1所述的一种双位多靶离子束沉积装置，其特征在于：还包括抽真空系统，所述抽真空系统包括机械泵和分子泵，所述机械泵用于对真空镀膜室进行粗抽，所述机械泵的进气口连通分子泵的出气口；所述分子泵用于对真空镀膜室进行二级抽真空，所述分子泵的进气口连通真空镀膜室的出气口；所述分子泵和真空镀膜室之间设置有闸板阀和用于测定真空镀膜室内真空度的真空计。

9.根据权利要求1所述的一种双位多靶离子束沉积装置，其特征在于：所述真空镀膜室设有用于向真空镀膜室输入气体的进气接口。