[发明专利]Si衬底AlN模板的制备方法及Si衬底GaN外延结构的制备方法有效
| 申请号： | 202010361191.X | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111640650B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 刘志宏;刘俊伟;张进成;郝璐;宋昆璐;周弘;赵胜雷;张雅超;张苇杭;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | si 衬底 aln 模板 制备 方法 gan 外延 结构 | ||
1.一种Si衬底AlN模板的制备方法，其特征在于，包括：
选取Si衬底；
在所述Si衬底上生长AlN成核层；
通过所述AlN成核层向所述Si衬底注入离子。
2.根据权利要求1所述的Si衬底AlN模板的制备方法，其特征在于，在所述Si衬底上生长AlN成核层，包括：
利用MBE、MOCVD、HVPE或PVD方法在所述Si衬底上生长所述AlN成核层。
3.根据权利要求1所述的Si衬底AlN模板的制备方法，其特征在于，通过所述AlN成核层向所述Si衬底注入离子，还包括：
通过所述AlN成核层向所述Si衬底注入离子，并向所述AlN成核层注入离子。
4.根据权利要求3所述的Si衬底AlN模板的制备方法，其特征在于，通过所述AlN成核层向所述Si衬底注入离子，并向所述AlN成核层注入离子，包括：
利用离子注入方法通过所述AlN成核层向所述Si衬底注入离子，并利用离子注入方法向所述AlN成核层注入离子。
5.根据权利要求4所述的Si衬底AlN模板的制备方法，其特征在于，所述离子的注入剂量为1×1010cm-2-1×1016cm-2，注入的能量为10KeV-100MeV。
6.根据权利要求4所述的Si衬底AlN模板的制备方法，其特征在于，向所述Si衬底注入的离子为Ar、N、H、O、F、As、P离子中的一种或者几种，向所述AlN成核层注入的离子为Ar、N、Fe、C、F、Mg离子中的一种或者几种。
7.根据权利要求1所述的Si衬底AlN模板的制备方法，其特征在于，所述Si衬底的电阻率为0.01-10000Ω·cm。
8.根据权利要求1所述的Si衬底AlN模板的制备方法，其特征在于，所述Si衬底的厚度为100-1500μm。
9.根据权利要求1所述的Si衬底AlN模板的制备方法，其特征在于，所述AlN成核层的厚度为10-500nm。
10.一种Si衬底GaN外延结构的制备方法，其特征在于，包括：
利用权利要求1至8任一项所述的Si衬底AlN模板的制备方法制备的Si衬底AlN模板；
在所述Si衬底AlN模板的所述AlN成核层上生长III族氮化物过渡层；
在所述III族氮化物过渡层上生长GaN缓冲层；
在所述GaN缓冲层上生长III族氮化物射频器件异质结结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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