[发明专利]用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法

权利要求书

1.一种用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、进行掩模版设计，在所述掩模版上形成有掩模版图形，所述掩模版图形用于定义光刻图形；

所述光刻图形具有侧壁，在所述掩模版图形上设置有定义所述光刻图形的侧壁形貌的掩模版侧面图形结构，所述掩模版侧面图形结构具有使曝光光强逐渐变化的结构，曝光光强越大的区域所述光刻图形的侧壁的高度越低以及曝光光强越小的区域所述光刻图形的侧壁的高度高；

步骤二、在需要曝光的基底上涂布光刻胶；

步骤三、采用所述掩模版对所述光刻胶进行曝光，之后对所述光刻胶进行显影形成所述光刻图形，在曝光过程中，所述掩模版侧面图形结构通过使曝光光强逐渐变化来定义所述光刻图形的侧壁形貌；

步骤四、对所述光刻胶进行后烘。

2.如权利要求1所述的用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法，其特征在于：所述光刻图形包括间隔图形和线条图形。

3.如权利要求2所述的用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法，其特征在于：当所述光刻图形为间隔图形时，所述光刻图形具有内侧面，所述掩模版图形具有内侧面，所述掩模版侧面图形结构位于所述掩模版图形的内侧面上，所述掩模版侧面图形结构中曝光光强越大的区域越靠近所述掩模版图形的内侧面的内侧，使所述光刻图形的侧壁具有倾角小于90度的内侧面形貌。

4.如权利要求3所述的用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法，其特征在于：对于一个所述间隔图形，所述间隔图形的宽度方向为X方向，所述间隔图形的长度方向为Y方向，在所述X方向或者所述Y方向上的至少一个内侧面上具有倾角小于90度的内侧面形貌，各所述间隔图形的内侧面形貌相同或不同。

5.如权利要求3所述的用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法，其特征在于：所述掩模版侧面图形结构具有多个俯视面呈孔或缝隙形状的空心结构，所述空心结构之间为实心结构，通过对所述空心结构的大小和排列的设置来形成使曝光光强逐渐变化的结构，所述空心结构的尺寸越大曝光光强越大。

6.如权利要求5所述的用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法，其特征在于：所述空心结构的俯视面结构为方形或者为圆形；所述空心结构的尺寸包括多种，所述空心结构按照尺寸的大小从所述掩模版图形的内侧面由外往内排列，越靠近内侧的所述空心结构的尺寸越大；

尺寸相同的所述空心结构排列成一行且所述空心结构排列成的行和所述掩模版图形的内侧面的底边平行；所述空心结构排列成的行数大于1。

7.如权利要求6所述的用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法，其特征在于：通过设置各行中的所述空心结构的第一间距以及不同行的所述空心结构之间的第二间距设置所述空心结构的排列密度，所述空心结构的排列密度越大曝光光强越大；同一行中各所述空心结构的第一间距相同，不同行的各所述空心结构的第一间距相同或不同，各所述第一间距和所述第二间距相同或不相同；

不同行的所述空心结构错开排放，相邻两行的所述空心结构错开的宽度大于尺寸较大的所述空心结构的尺寸的1/5。

8.如权利要求2所述的用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法，其特征在于：当所述光刻图形为线条图形时，所述光刻图形具有外侧面，所述掩模版图形具有外侧面，所述掩模版侧面图形结构位于所述掩模版图形的外侧面上，所述掩模版侧面图形结构中曝光光强越大的区域越靠近所述掩模版图形的外侧面的外侧，使所述光刻图形的侧壁具有倾角小于90度的外侧面形貌。

9.如权利要求8所述的用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法，其特征在于：对于一个所述线条图形，所述线条图形的宽度方向为X方向，所述线条图形的长度方向为Y方向，在所述X方向或者所述Y方向上的至少一个外侧面上具有倾角小于90度的外侧面形貌，各所述线条图形的外侧面形貌相同或不同。