[发明专利]一种真空镀膜装置内部件的再生方法及装置在审
| 申请号： | 201910362335.0 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110117779A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 李建;李岩;古大龙;马亮 | 申请（专利权）人： | 信利（仁寿）高端显示科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56;C23C16/44;C23G5/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 廖苑滨 |
| 地址： | 620500 四川省眉山*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 真空镀膜装置 内部件 镀膜层 沉积 再生 熔膜 烘烤 熔解 酸洗 再生方法及装置 镀膜过程 环保问题 有效实现 运输费用 再生工艺 再生过程 阈值时 备用 制作 | ||
1.一种真空镀膜装置内部件的再生方法，所述真空镀膜装置内部件在镀膜过程中会沉积镀膜层，其特征在于，所述再生方法包括以下步骤：
在所述真空镀膜装置内部件会沉积镀膜层的表面制作可熔膜层；
当所述真空镀膜装置内部件上沉积的镀膜层厚度超过厚度阈值时，烘烤所述真空镀膜装置内部件使得可熔膜层熔解带动沉积镀膜层脱落。
2.根据权利要求1所述的真空镀膜装置内部件的再生方法，其特征在于，所述可熔膜层的材料为熔点范围为130℃-350℃的金属。
3.根据权利要求1所述的真空镀膜装置内部件的再生方法，其特征在于，所述可熔膜层的材料为铟或铟合金。
4.根据权利要求3所述的真空镀膜装置内部件的再生方法，其特征在于，所述可熔膜层的材料为铟，且所述可熔膜层的厚度为0.1-10mm。
5.根据权利要求4所述的真空镀膜装置内部件的再生方法，其特征在于，所述烘烤具体为预热3-15分钟后，烘烤5-60分钟。
6.根据权利要求5所述的真空镀膜装置内部件的再生方法，其特征在于，所述烘烤温度大于156.63℃。
7.根据权利要求1所述的真空镀膜装置内部件的再生方法，其特征在于，还包括对熔解的可熔膜层进行回收。
8.根据权利要求7所述的真空镀膜装置内部件的再生方法，其特征在于，所述对熔解的可熔膜层进行回收包括：使得熔解的可熔膜层流经滤网进入回收舱；冷却回收舱中的可熔膜层。
9.根据权利要求1所述的真空镀膜装置内部件的再生方法，其特征在于，所述真空镀膜装置内部件为真空挡板。
10.一种真空镀膜装置内部件的再生装置，其特征在于，包括用于烘烤真空镀膜装置内部件的烤箱和设于所述烤箱下的回收舱；所述回收舱的入口设有滤网。
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