[发明专利]带剥离装置在审
申请号: | 201910302555.4 | 申请日: | 2019-04-16 |
公开(公告)号: | CN110416145A | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 藤谷凉子;伊藤史哲 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护带 剥离带 按压 剥离装置 晶片剥离 晶片 粘贴 夹持单元 圆弧形状 上表面 加热单元 移动单元 外周缘 工作台 抵接 夹持 加热 移动 | ||
提供带剥离装置,在短时间内良好地将保护带从晶片剥离。带剥离装置(1)在粘贴于晶片(W)的一个面上的保护带(51)上粘贴剥离带(54)并拉拽剥离带而将保护带从晶片剥离,该带剥离装置(1)构成为具有:按压部(32),其将剥离带按压至晶片的保护带的上表面上;加热单元(35),其对按压部进行加热;夹持单元(25),其对粘贴于保护带的剥离带的一端进行夹持;以及移动单元(37),其使夹持单元和保持工作台相对地移动而拉拽剥离带从而将保护带从晶片剥离,按压部的抵接面的形状至少具有圆弧形状,在将圆弧形状定位于晶片外周缘的状态下将剥离带按压至保护带上表面上。
技术领域
本发明涉及将粘贴于晶片的保护带剥离的带剥离装置。
背景技术
在对形成有器件的晶片进行磨削时,为了保护器件而在晶片的正面上粘贴保护带。在晶片的磨削之后,在晶片的保护带上粘贴带状的剥离带而借助剥离带将保护带从晶片撕下(例如,参照专利文献1、2)。专利文献1记载的剥离带通过剥离带的整个背面上所涂布的粘接糊而粘贴在保护带上。专利文献2记载的剥离带是热压接带,在加热状态下将抵接部件按压至保护带,从而利用抵接部分将热压接带粘贴在保护带上。
专利文献1:日本特开2012-028478号公报
专利文献2:日本特许第5918928号公报
但是,当要对热压接带进行拉拽而将保护带从晶片剥离时,有时在保护带从晶片被剥离的剥离起点处,晶片的外周部会发生破损。因此,必须放慢剥离速度而慎重地将保护带从晶片撕下。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的,其目的之一在于提供带剥离装置,能够在短时间内良好地将保护带从晶片剥离。
本发明的一个方式的带剥离装置在粘贴于晶片的一个面上的保护带上粘贴剥离带并拉拽该剥离带而将该保护带从晶片剥离,其特征在于,该带剥离装置具有:保持工作台,其对晶片的另一个面侧进行保持;剥离带粘贴单元,其在该保持工作台所保持的晶片的该保护带的上表面上粘贴该剥离带;夹持单元,其对该剥离带粘贴单元所粘贴的该剥离带的一端进行夹持;以及移动单元,其使该夹持单元和该保持工作台相对地移动而将该剥离带从晶片的外侧朝向中心进行拉拽,从而将该保护带从晶片剥离,该剥离带粘贴单元具有:按压部,其将该剥离带按压至晶片的该保护带的上表面上;升降单元,其使该按压部相对于该保持工作台接近或远离;以及加热单元,其对该按压部进行加热,该按压部的与该剥离带抵接的抵接面的形状至少具有圆弧形状,在将该圆弧形状定位于紧挨着晶片外周缘的位置的状态下将该剥离带按压至该保护带上表面上。
根据该结构,按压部的抵接面的形状至少具有圆弧形状,因此能够使按压部的圆弧形状尽可能地靠近晶片的外周缘而将剥离带按压至保护带的上表面上。由此,在晶片的外周缘处将剥离带呈圆弧状热压接在保护带的上表面上,剥离带相对于保护带的粘贴区域与保护带从晶片的外周缘开始剥离的剥离起点靠近。当拉拽剥离带时,借助剥离带而使拉拽力直接作用于在晶片的外周缘将保护带剥离的方向。因此,在保护带的剥离开始时,晶片的外周缘不容易破损,因此能够提高剥离速度而在短时间内良好地将保护带从晶片剥离。
根据本发明,按压部的抵接面的形状至少具有圆弧形状,因此能够使按压部的圆弧形状尽可能地靠近晶片的外周缘而进行热压接,从而能够在短时间内良好地将保护带从晶片剥离。
附图说明
图1是本实施方式的带剥离装置的示意图。
图2的(A)~(D)是比较例的保护带的剥离动作的说明图。
图3的(A)~(C)是本实施方式的剥离带粘贴单元的说明图。
图4的(A)~(C)是变形例的剥离带粘贴单元的说明图。
图5的(A)~(D)是本实施方式的保护带的剥离动作的说明图。
标号说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造