[发明专利]剥离晶片的再利用方法有效
| 申请号： | 200780026791.3 | 申请日： | 2007-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101490806A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 田村明彦;大木好 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/26;H01L21/322;H01L21/304;H01L27/12 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种剥离晶片的再利用方法，是对以离子注入剥离法来制造SOI晶片时附带生成的剥离晶片17，至少施行研磨的再处理后，将剥离晶片17作为接合晶片21，再度在SOI晶片制造步骤中进行再利用的方法，其特征在于：至少作为接合晶片而使用的CZ晶片，是设为其整个面由N区域所构成的低缺陷晶片，上述再处理，是以比在SOI晶片制造步骤中形成热氧化膜12时对接合晶片所施加的温度更高的温度，来对剥离晶片17施行快速加热.快速冷却热处理。借此，可以提供一种剥离晶片的再利用方法，使用200mm以上的大直径CZ晶片来作为接合晶片，并将借由离子注入剥离法来制作SOI晶片时所附带生成的剥离晶片，即使重复作为接合晶片来进行再利用，也不会导致贴合不良或是SOI层的品质降低。 | ||
| 搜索关键词： | 剥离 晶片 再利用 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种剥离晶片的再利用方法，是针对先在CZ晶片表面上形成热氧化膜，将通过该热氧化膜进行离子注入而形成有离子注入层的上述CZ晶片作为接合晶片，隔着上述热氧化膜贴合该接合晶片与基底晶片，然后通过施加热处理，以上述离子注入层为界而分离成SOI晶片与剥离晶片这样的制造步骤，对于附带生成的上述剥离晶片至少施行研磨的再处理后，将该剥离晶片作为接合晶片，再度在SOI晶片制造步骤中进行再利用的方法，其特征在于：至少上述所使用的CZ晶片，是设为其整个面由N区域所构成的低缺陷晶片，上述再处理中，是以比在上述SOI晶片制造步骤中形成上述热氧化膜时对接合晶片所施加的温度更高的温度，来对上述剥离晶片施行快速加热.快速冷却热处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
