[发明专利]谐振器制作方法

权利要求书

1.一种谐振器制作方法，其特征在于，包括：

对衬底进行预处理，形成预设厚度的介质层；

对介质层的预设区域进行离子注入处理；

对经过离子注入处理后的介质层进行刻蚀或腐蚀，形成牺牲材料部分；所述牺牲材料部分的形状为顶面为平面且竖截面呈桥状结构；

在已形成牺牲材料部分的衬底上形成多层结构，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；

去除所述牺牲材料部分。

2.根据权利要求1所述的谐振器制作方法，其特征在于，所述对介质层的预设区域进行离子注入处理，包括：

在介质层的预设区域形成屏蔽层，在形成屏蔽层后的整个介质层进行离子注入处理。

3.根据权利要求2所述的谐振器制作方法，其特征在于，所述在介质层的预设区域形成屏蔽层，包括：

在介质层的预设区域形成边缘厚度小于中部厚度的屏蔽层，且屏蔽层的中部区域为平面。

4.根据权利要求3所述的谐振器制作方法，其特征在于，对于所述屏蔽层，由中部区域的边缘到屏蔽层边缘的厚度逐渐减小。

5.根据权利要求4所述的谐振器制作方法，其特征在于，所述屏蔽层的中部区域的边缘与所述屏蔽层边缘之间为圆滑过渡的平滑曲面。

6.根据权利要求5所述的谐振器制作方法，其特征在于，所述平滑曲面包括圆滑过渡连接的第一曲面和第二曲面。

7.根据权利要求6所述的谐振器制作方法，其特征在于，所述第一曲面的竖截面呈倒抛物线状，所述第二曲面的竖截面呈抛物线状，且第一曲面位于第二曲面之下。

8.根据权利要求5所述的谐振器制作方法，其特征在于，所述平滑曲面与所述衬底接触处的切面与所述衬底的夹角小于45度。

9.根据权利要求2至8任一项所述的谐振器制作方法，其特征在于，所述对形成屏蔽层后的整个介质层进行离子注入处理，包括：

在包含屏蔽层区域的整个介质层上注入预设剂量和预设能量的掺杂杂质。

10.根据权利要求2至8任一项所述的谐振器制作方法，其特征在于，所述对形成屏蔽层后的整个介质层进行离子注入处理，包括：

在包含屏蔽层区域的整个介质层上多次注入预设剂量和预设能量的掺杂杂质，其中每次注入的预设剂量和预设能量均不相同或不尽相同。

11.根据权利要求10所述的谐振器制作方法，其特征在于，每次离子注入的方向均与衬底垂直，或

每次离子注入的方向均与衬底呈不为90度的预设角度，或

一部分次数的离子注入的方向与衬底垂直，其余部分次数的离子注入的方向与衬底呈不为90度的预设角度。

12.根据权利要求10所述的谐振器制作方法，其特征在于，预设能量按照大小排序的各次离子注入中的预设剂量关系为由小到大再由大到小。

13.根据权利要求2所述的谐振器制作方法，其特征在于，所述在介质层的预设区域形成屏蔽层，对形成屏蔽层后的整个介质层进行离子注入处理，包括：

A、在介质层的预设区域形成厚度一致的屏蔽层；

B、在形成屏蔽层区域的整个介质层上注入预设剂量和预设能量的掺杂杂质，并去除盖屏蔽层；

循环多次执行去除该屏蔽层以及步骤A和B，且各次离子注入对应的预设区域、预设剂量、预设能量均不相同或不尽相同。

14.根据权利要求13所述的谐振器制作方法，其特征在于，多次离子注入中预设能量与预设区域大小呈反比关系，且较大的预设区域包含较小的预设区域。