[发明专利]无螺栓衬底支撑件组件有效

专利信息
申请号: 201880015101.2 申请日: 2018-03-07
公开(公告)号: CN110352481B 公开(公告)日: 2023-04-28
发明(设计)人: 郝芳莉;付越虹;陈志刚 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/67;H01L21/68
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 樊英如;张华
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 螺栓 衬底 支撑 组件
【说明书】:

一种衬底支撑件包括被布置为支撑陶瓷层的导电基板。所述导电基板包括沿垂直于由所述导电基板限定的水平平面的轴线延伸的第一腔。耦合组件被布置在所述第一腔内。所述耦合组件包括被配置为围绕所述轴线旋转的齿轮。布置在所述第一腔内的销沿所述轴线延伸穿过所述齿轮并进入所述导电基板下方的第二腔内。所述齿轮的旋转使所述销相对于所述导电基板向上或向下移动。所述销在所述齿轮旋转以使所述销向下移动到所述第二腔内时保持在所述第二腔内。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年3月8日提交的美国专利申请No.15/452,976的优先权。上述申请的全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及衬底处理系统中的衬底支撑件组件。

背景技术

这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的描述的各方面中描述的范围内的当前指定的发明人的工作既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

衬底处理系统可用于处理诸如半导体晶片之类的衬底。可以在衬底上执行的示例性处理包括但不限于化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、导体蚀刻、电介质蚀刻和/或其他蚀刻、沉积或清洁工艺。衬底可以布置在衬底处理系统的处理室中的衬底支撑件上,衬底支撑件例如基座、静电卡盘(ESC)等。在蚀刻期间,可以将包括一种或多种前体的气体混合物引入处理室,并且可以使用等离子体来引发化学反应。

衬底支撑件可包括布置成支撑衬底的陶瓷层。例如,可以在处理期间将衬底夹持到陶瓷层上。陶瓷层可以布置在导电(例如铝)基板上。基板可以进一步设置在绝缘基座上。例如,陶瓷基板可以布置在处理室的底表面和导电基板之间。

发明内容

一种衬底支撑件包括被布置为支撑陶瓷层的导电基板。所述导电基板包括沿垂直于由所述导电基板限定的水平平面的轴线延伸的第一腔。耦合组件被布置在所述第一腔内。所述耦合组件包括被配置为围绕所述轴线旋转的齿轮。布置在所述第一腔内的销沿所述轴线延伸穿过所述齿轮并进入所述导电基板下方的第二腔内。所述齿轮的旋转使所述销相对于所述导电基板向上或向下移动。所述销在所述齿轮旋转以使所述销向下移动到所述第二腔内时保持在所述第二腔内。

根据详细描述、权利要求和附图,本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的,并非意在限制本公开的范围。

附图说明

根据详细描述和附图将更充分地理解本公开,其中:

图1是示例性衬底支撑件,其包括一个或多个用于连接导电基板的螺栓;

图2是根据本公开的包括衬底支撑件的示例性处理室的功能框图;

图3A和3B示出了包括根据本公开的第一示例性耦合组件的衬底支撑件。

图3C和3D示出了包括根据本公开的第二示例性耦合组件的衬底支撑件。

图4示出了包括根据本公开的第三示例性耦合组件的衬底支撑件。

图5示出了包括根据本公开的第四示例性耦合组件的衬底支撑件。

图6示出了包括根据本公开的第五示例性耦合组件的衬底支撑件。

在附图中,可以重复使用附图标记来标识相似和/或相同的元件。

具体实施方式

图1示出了包括基板14和陶瓷层18的示例性衬底支撑件10的一部分。例如,基板14可以对应于铝导电基板。可以在基板14和陶瓷层18之间形成结合层22。可以在陶瓷层18和基板14之间的结合层22的周边周围提供保护性密封件26。衬底30布置在陶瓷层18上。

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