[实用新型]晶圆清洗设备有效
申请号: | 201822036974.1 | 申请日: | 2018-12-05 |
公开(公告)号: | CN208954954U | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 崔亚东;张文福;刘家桦;叶日铨 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗液 晶圆 气流屏障 收容槽 晶圆清洗设备 晶圆表面 喷气单元 放置位 清洗腔 液滴 清洗 流动方向运动 本实用新型 清洗设备 非弹性 回弹 喷出 种晶 | ||
1.一种晶圆清洗设备,其特征在于,包括:
清洗腔,设置有晶圆放置位,用于放置待清洗的晶圆,所述晶圆放置位能带动放置在所述晶圆放置位上的晶圆旋转,以甩脱晶圆表面的清洗液;
清洗液收容槽,设置于所述清洗腔内,用于接收晶圆表面甩脱的清洗液;
喷气单元,设置于所述清洗液收容槽处,能够喷出气体,以在所述清洗液收容槽处形成气流屏障。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备,其特征在于,所述清洗液收容槽环绕所述晶圆放置位设置,具有朝向所述晶圆放置位的槽口。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗设备,其特征在于,所述喷气单元包括环形气室,且所述环形气室设置于所述清洗液收容槽的槽口处,环绕所述晶圆放置位设置。
4.根据权利要求2所述的晶圆清洗设备,其特征在于,所述喷气单元包括气孔,设置在所述清洗液收容槽的槽口,环绕所述晶圆放置位设置。
5.根据权利要求4所述的晶圆清洗设备,其特征在于,所述气孔的数目为三个以上,均匀分布在所述清洗液收容槽的槽口。
6.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备,其特征在于,还包括旋转电机,所述旋转电机具有旋转输出轴,能够绕轴线发生旋转;所述旋转电机通过所述旋转输出轴连接至所述晶圆放置位,带动所述晶圆放置位上放置的晶圆旋转,以甩脱晶圆表面的清洗液。
7.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备,其特征在于,还包括:
清洗气体喷嘴,设置于所述清洗腔内,朝向所述晶圆放置位设置,用于朝向所述晶圆放置位喷出清洗气体。
8.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备,其特征在于,当所述晶圆放置位所在平面与水平面平行时,所述喷气单元喷出的气体形成的气流屏障朝向所述清洗液收容槽内,与水平面呈30°至60°的夹角。
9.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备,其特征在于,当所述晶圆放置位所在平面与水平面平行时,所述喷气单元喷出的气体形成的气流屏障朝向所述清洗液收容槽内,与水平面呈45°的夹角。
10.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备,其特征在于,还包括马达调压针阀,连接至所述喷气单元,用于控制所述喷气单元喷出气体的多寡。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造