[发明专利]一种基于双向扩晶法的微器件巨量转移装置及方法有效
申请号: | 201810991566.3 | 申请日: | 2018-08-29 |
公开(公告)号: | CN109285802B | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 尹周平;陈建魁;金一威 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L27/15 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 张彩锦;曹葆青 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 双向 扩晶法 器件 巨量 转移 装置 方法 | ||
1.一种基于双向扩晶法的微器件巨量转移装置,其特征在于,包括微器件剥离转移模块(10)、X向扩晶模块(20)、过渡承接模块(30)、Y向扩晶模块(40)、目标基板承载模块(50)、微器件补缺模块(60)、固化模块(70)、封装模块(80)和目标基板搬运模块(90),其中:
所述微器件剥离转移模块(10)位于X向扩晶模块(20)的上方,其用于将微器件从晶元盘(14)上剥离;
所述X向扩晶模块(20)用于承接从晶元盘(14)上剥离的微器件,并将微器件沿晶元盘的X向扩晶;
所述过渡承接模块(30)位于X向扩晶模块(20)的右下方,用于承接从X向扩晶模块(20)剥离的微器件,并将微器件旋转90度;
所述Y向扩晶模块(40)位于过渡承接模块(30)的右上方,用于承接从过渡承接模块(30)上剥离的微器件,并将微器件沿着Y向扩晶;
所述目标基板承载模块(50)位于Y向扩晶模块(40)的右下方,用于接收微器件并将目标基板(55)送入微器件补缺模块(60)、固化模块(70)与封装模块(80)中;
所述微器件补缺模块(60)、固化模块(70)、封装模块(80)与基板搬运模块(90)依次布置于目标基板承载模块(50)的右侧,所述微器件补缺模块(60)用于实现目标基板(55)上微器件的补缺,所述固化模块(70)用于实现微器件与基板的连接,所述封装模块(80)用于对连接后的微器件与基板整体封装一层保护层,所述基板搬运模块(90)用于实现目标基板(55)的上下料。
2.如权利要求1所述的基于双向扩晶法的微器件巨量转移装置,其特征在于,所述微器件剥离转移模块(10)包括晶元自动换盘单元(11)、晶元盘移动单元(16)、晶元盘托盘(15)、转移激光扫描单元(12)、转移激光剥离单元(13)以及遍历视觉单元(17),所述晶元自动换盘单元(11)布置于晶元盘移动单元(16)的后方,用于将晶元盘(14)装入晶元盘移动单元(16)上方的晶元盘托盘(15)上,所述转移激光扫描单元(12)与转移激光剥离单元(13)并列布置于晶元盘(14)的上方,分别用于弱化晶元盘上微器件与晶元盘的粘结强度以及将微器件从晶元盘上剥离,所述遍历视觉单元(17)布置于晶元盘(14)的下方,用于检测微器件的质量并标识不良微器件。
3.如权利要求2所述的基于双向扩晶法的微器件巨量转移装置,其特征在于,所述转移激光扫描单元(12)包括第一转移激光扫描单元(12a)、第二转移激光扫描单元(12b)以及第三转移激光扫描单元(12c);所述转移激光剥离单元(13)包括第一转移激光剥离单元(13a)、第二转移激光剥离单元(13b)以及第三转移激光剥离单元(13c);所述晶元盘(14)包括第一晶元盘(14a)、第二晶元盘(14b)以及第三晶元盘(14c);所述晶元盘托盘(15)包括第一晶元盘托盘(15a)、第二晶元盘托盘(15b)以及第三晶元盘托盘(15c);所述晶元盘移动单元(16)包括第一晶元盘移动单元(16a)、第二晶元盘移动单元(16b)以及第三晶元盘移动单元(16c);遍历视觉单元(17)包括第一遍历视觉单元(17a)、第二遍历视觉单元(17b)以及第三遍历视觉单元(17c);所述第一晶元盘(14a)上装有第一类微器件(1401),所第二晶元盘(14b)上安装有第二类微器件(1402),第三晶元盘(14c)上安装有第三类微器件(1403);第一类微器件(1401)、第二类微器件(1402)以及第三类微器件(1403)为三种微器件,三种微器件同时转移到初级载带(24)上,每一类微器件均形成均匀间隔排布。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810991566.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造