[发明专利]一种基于短肽组装体的阻变存储器及制备方法

说明书

本发明公开了一种基于短肽组装体的阻变存储器及制备方法，其中，阻变存储器包括阻变层，采用短肽组装体作为所述阻变层。短肽组装体作为一种生物材料，易于获取，成本较低，具有良好的生物相容性和可降解性，有利于制备绿色环保的存储器件，并且短肽组装体还具有很好的热稳定性和化学稳定性，电子传输效率高。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种基于短肽组装体的阻变存储器及制备方法。

背景技术

阻变存储器（Resistive random access memory，RRAM）具有简单的三层结构，具体为两层金属之间夹一层介电材料作为阻变层。与其他类型的非易失性存储器相比，RRAM结构简单、功耗低、体积小等优点，被认为是下一代非易失性存储器的优良选择。

RRAM中的介电材料是RRAM发生电阻转变的载体，按其基本属性可分为无机和有机材料两大类。常用的无机材料有二元氧化物、三元及多元氧化物、硫族固态电解质等，这些材料或者具有相对复杂的晶体生长条件，或者含有毒性，并且大多难以降解和回收再利用，由联合国大学、国际电联和国际固体废物协会完成的《2017年全球电子垃圾监测》报告显示，2016年全球电子垃圾产生量达4470吨，且随数字化进一步发展，电子垃圾量到2021年将再增加17%。有机材料（有机小分子和高分子聚合物）虽然克服了无机材料的一些缺点，但氧化稳定性或可持续性较弱，色谱较狭窄，并且常常需要掺杂重金属，合成过程也较复杂，这些特点阻碍了基于有机材料的阻变存储器的推广。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种基于短肽组装体的阻变存储器及制备方法，旨在解决现有的阻变存储器中阻变材料无法降解、环境不友好以及稳定性不足的问题。

本发明的技术方案如下：

一种阻变存储器，包括阻变层，采用短肽组装体作为所述阻变层。

所述的阻变存储器，其中，所述短肽组装体由短肽制备而成，所述短肽选自苯丙氨酸二肽、阿斯巴甜、丙谷二肽、苯丙氨酸-苯丙氨酸-苯丙氨酸和精氨酸-甘氨酸-天冬氨酸中的一种或多种。

所述的阻变存储器，其中，所述短肽为纤维状或球状。

所述的阻变存储器，其中，所述短肽组装体的厚度为20-150nm。

一种阻变存储器的制备方法，包括：

步骤A、将含底电极的基底做亲水处理；

步骤B、在所述底电极上制作短肽组装体；

步骤C、在所述短肽组装体上制作顶电极，阻变存储器制作完成。

所述的阻变存储器的制备方法，其中，采用旋涂或蒸镀的方法制作所述短肽组装体。

所述的阻变存储器的制备方法，其中，采用旋涂的方法制作所述短肽组装体，包括：

步骤B1、将短肽分散于极性溶剂中，得到短肽溶液；

步骤B2、将所述短肽溶液以900-5000 rpm的速度旋涂在所述底电极上，并进行退火，得到所述短肽组装体。

所述的阻变存储器的制备方法，其中，所述步骤B1中，所述极性溶剂为水、六氟异丙醇或DMF。

所述的阻变存储器的制备方法，其中，所述步骤B1中，所述极性溶剂为DMF，短肽的DMF溶液的浓度为4-50mg/ml。

所述的阻变存储器的制备方法，其中，所述步骤B2中，退火的温度为60-120℃。