[发明专利]一种基于短肽组装体的阻变存储器及制备方法

权利要求书

1.一种阻变存储器，包括阻变层，其特征在于，采用短肽组装体作为所述阻变层；

其中，所述阻变存储器的开启电压为3V，开关比达100000；

将短肽分散于极性溶剂中，得到短肽溶液，所述溶剂为水、六氟异丙醇或DMF；

短肽溶液的浓度和旋涂速度用于调控短肽组装体的厚度，其中，所述旋涂速度为900-5000rpm，短肽的水溶液的浓度为0.3-5.5mg/ml，短肽的六氟异丙醇溶液和短肽的DMF溶液的浓度均为4-50mg/ml，所述短肽组装体的厚度为20-150nm。

2.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述短肽组装体由短肽制备而成，所述短肽选自苯丙氨酸二肽、阿斯巴甜、丙谷二肽、苯丙氨酸-苯丙氨酸-苯丙氨酸和精氨酸-甘氨酸-天冬氨酸中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的阻变存储器，其特征在于，所述短肽为纤维状或球状。

4.一种如权利要求1所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括：

步骤A、将含底电极的基底做亲水处理；

步骤B、在所述底电极上制作短肽组装体，所述短肽组装体的厚度为20-150nm；

步骤C、在所述短肽组装体上制作顶电极，阻变存储器制作完成。

5.根据权利要求4所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，采用旋涂或蒸镀的方法制作所述短肽组装体。

6.根据权利要求5所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，采用旋涂的方法制作所述短肽组装体，包括：

步骤B1、将短肽分散于极性溶剂中，得到短肽溶液；

步骤B2、将所述短肽溶液以900-5000rpm的速度旋涂在所述底电极上，并进行退火，得到所述短肽组装体。

7.根据权利要求6所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤B1中，所述极性溶剂为水、六氟异丙醇或DMF。

8.根据权利要求7所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤B1中，所述极性溶剂为DMF，短肽的DMF溶液的浓度为4-50mg/ml。

9.根据权利要求6所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤B2中，退火的温度为60-120℃。