[发明专利]一种硅纳米柱的制备方法在审
| 申请号： | 201810231651.X | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN110306243A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 张晓宏;揭建胜;肖鹏 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C30B33/12 | 分类号： | C30B33/12;H01L31/0236;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 薛峰;康正德 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅纳米柱 氧化硅片 预设图案 刻蚀 预设 制备 反应气体 角度倾斜 预设夹角 反射率 入射光 柱状体 减小 照射 铺设 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅纳米柱的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在氧化硅片的表面铺设具有预设图案的模板，所述预设图案选择成在按照所述预设图案进行刻蚀时允许刻蚀出柱状体；
将所述氧化硅片放置于一刻蚀时所用的基片上，并使其与所述基片成预设夹角；
利用反应气体沿着一预设方向向所述氧化硅片的内部进行刻蚀，以在所述氧化硅片内形成以预设倾斜角度倾斜的硅纳米柱。
2.根据权利要求1所述的硅纳米柱的制备方法，其特征在于，利用反应气体沿着一预设方向向所述氧化硅片的内部进行刻蚀，包括如下步骤：
利用反应气体Ar/CHF3沿着所述预设方向刻蚀氧化硅层，以暴露出所述氧化硅片的硅层；
利用反应气体O2/SF6沿着所述预设方向刻蚀所述硅层。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，对所述氧化硅层刻蚀时，所述反应气体Ar/CHF3中Ar的气体流速为10-50sccm中的任一流速值，CHF3的气体流速为10-30sccm中的任一流速值。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，对所述硅层刻蚀时，所述反应气体O2/SF6中O2和SF6的气体流速均为1-10sccm中的任一流速值，且刻蚀时间均为1-60min中的任一时间。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的硅纳米柱的制备方法，其特征在于，所述预设倾斜角度为所述硅纳米柱与所述氧化硅片的底面之间的夹角，所述氧化硅片的底面与所述基片接触；
所述预设倾斜角度为1-89°中的任一角度。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述预定夹角为1-89°中的任一角度。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述模板为单层PS小球薄膜。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在氧化硅片的表面铺设具有预设图案的模板，包括如下步骤：
利用界面自组装的方法将PS小球组装成单层PS小球薄膜；
将所述单层PS小球薄膜转移至氧化硅片的表面；
利用反应离子刻蚀的方法对所述单层PS小球薄膜进行刻蚀，以使所述单层PS小球薄膜中的小球与小球之间具有预设间距，并将刻蚀后的所述单层PS小球薄膜作为所述模板。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，利用反应离子刻蚀的方法对所述单层PS小球薄膜进行刻蚀时，利用O2作为刻蚀气体。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀气体O2的流速为10-50sccm中的任一流速值，且刻蚀时间为10s-30min中的任一时间。
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- 王振交;艾凡凡;韩培育 - 苏州中世太新能源科技有限公司
- 2016-05-20 - 2016-08-10 - C30B33/12
- 本发明提出一种光伏电池硅片表面钝化气体喷淋组件，其包括喷淋板装置和置于其下方的抽风装置，所述喷淋板装置包括壳体，其上设有与反应气体发生器连接的通气孔，设置在壳体内部且与壳体连接的气体匀流板组件，设置在壳体侧边的固定板和挡板；所述抽风装置置于喷淋板的正下方，待处理的硅片从喷淋板装置与抽风装置之间走过。本发明的光伏电池硅片表面气体钝化设备的气体喷淋组件采用三级气体匀流，可以保证气体在硅片片间及片内的均匀性；通过高度可调的设计方便实际应用时针对产线的具体情况进行调整，提高其应用上的适应性；另通过高度可调的挡板设计，避免了外界气体对反应气体的干扰进而影响硅片钝化的质量。本发明的气体喷淋组件及钝化设备，可以大幅提高硅片钝化的效果，提高硅片处理的良率，节省生产成本。
- 一种背钝化机台U型槽-201520926895.1
- 袁中存;党继东;李栋 - 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
- 2015-11-19 - 2016-03-30 - C30B33/12
- 本实用新型公开了一种背钝化机台U型槽，所述U型槽的上端设有侧边，所述侧边上设有复数个第一特气孔，所述U型槽的底端设有复数个第二特气孔，所述第一特气孔和第二特气孔均为椭圆形通孔，且所述椭圆形的长半轴为4～10mm，所述椭圆形的短半轴为5～10mm。本实用新型的特气孔为椭圆形通孔或四瓣型通孔，解决了现有技术中U型槽长期在高温使用中变形导致特气管路与其对应的气孔发生位移，从而影响气流分布的问题。
- 可改善加工精度的传感器单晶硅刻蚀装置-201520491979.7
- 牟恒 - 江苏德尔森传感器科技有限公司
- 2015-07-09 - 2015-12-16 - C30B33/12
- 本实用新型公开了一种可改善加工精度的传感器单晶硅刻蚀装置，其包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，所述反应室的轴线位置设置有片架；所述片架由有多个在水平方向上延伸的置放板件堆叠而成，每一个置放板件均采用环形结构；所述反应室中，送气管道的端部位置设置有导流板，其包括有连接至反应室侧端面，且沿水平方向进行延伸的连接部分，其采用环形结构；所述连接部分的内侧边部设置有延伸至置放板件内侧的导流部分，连接部分与导流部分之上分别设置有多个导流孔；上述刻蚀装置使得片架不同径向位置的单晶硅与反应气体之间可进行均匀的接触，进而使得片架中的单晶硅的整体加工精度可得以现在改善。
- 一种新型正硅酸乙酯气体供应装置-201520601865.3
- 李建刚;焦二强;王晓飞;李海涛 - 麦斯克电子材料有限公司
- 2015-08-12 - 2015-12-16 - C30B33/12
- 一种新型正硅酸乙酯气体供应装置，适用于在硅抛光片晶圆背面催生长成一层二氧化硅时，向背封炉设备内提供正硅酸乙酯气体。本实用新型利用正硅酸乙酯在20度以上即可生成饱和蒸汽压的特性，通过对放置在水箱（7）内盛装正硅酸乙酯液体的1号桶式容器（12）和2号桶式容器（11）进行水温加热和温度控制，使正硅酸乙酯液体生成饱和蒸汽压并与真空泵产生的真空形成一个压力差，通过第一气体输出管道（3）和第二气体输出管道（4）分别经背封炉管道进入背封炉内以达到催生氧化的目的。本实用新型结构简单，操做方便，桶式容器可以自行制做、更换，不同规格、型号的背封炉设备均可选用本实用新型所述的供应装置。
- 石英衬底上多晶硅的刻蚀方法以及平面光波导的制作方法-201410065465.5
- 柳进荣;李朝阳 - 四川飞阳科技有限公司
- 2014-02-25 - 2014-05-28 - C30B33/12
- 本发明公开了一种石英衬底上多晶硅的刻蚀方法以及平面光波导的制作方法，所述刻蚀方法包括：在多晶硅层表面形成光刻胶掩膜层；采用C4F8以及SF6对多晶硅层进行干法刻蚀，形成设定深度和高度的沟槽；其中，所述C4F8的流量是SF6的流量1.5-2.5倍，所述SF6的流量为40sccm-50sccm。采用所述刻蚀方法可以防止由于钝化膜过薄导致侧面过刻蚀以及防止由于钝化膜过厚导致侧面刻蚀不足，保证了刻蚀沟槽侧表面具有较好的垂直性和光滑性。
- 一种蓝宝石材质手机屏幕盖板的加工工艺-201410026830.1
- 杜彦召 - 广东赛翡蓝宝石科技有限公司
- 2014-01-21 - 2014-04-30 - C30B33/12
- 本发明公开了一种蓝宝石材质手机屏幕盖板的加工工艺，属于蓝宝石加工工艺技术领域，其技术要点包括下述步骤：（1）蓝宝石毛坯成型；（2）倒角；（3）研磨；（4）进行面抛光制得成品，其中在研磨工序和面抛光工序之间，还包括下述工序：（a）等离子蚀刻表面去损伤层去应力；（b）溶液腐蚀边缘；本发明旨在提供一种可大幅度提高蓝宝石强度的蓝宝石材质手机屏幕盖板的加工工艺；用于蓝宝石材质手机屏幕盖板的加工。
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